Il drogaggio sul lato N si riferisce al processo di introduzione di tipi specifici di impurità nella regione del semiconduttore di tipo N di un dispositivo a semiconduttore. Ed è indicato da Ndn. Doping sul lato N viene solitamente misurato utilizzando 1 per centimetro cubo per Densità numerica. Tieni presente che il valore di Doping sul lato N è sempre positivo.