FormulaDen.com
Fisica
Chimica
Matematica
Ingegneria Chimica
Civile
Elettrico
Elettronica
Elettronica e strumentazione
Scienza dei materiali
Meccanico
Ingegneria di produzione
Finanziario
Salute
Tu sei qui
-
Casa
»
Ingegneria
»
Elettronica
»
Progettazione e applicazioni CMOS
Concentrazione elettronica intrinseca in Progettazione e applicazioni CMOS Formule
La concentrazione elettronica intrinseca è definita come il numero di elettroni nella banda di conduzione o il numero di lacune nella banda di valenza nel materiale intrinseco. Ed è indicato da n
i
.
Formule Progettazione e applicazioni CMOS che utilizzano Concentrazione elettronica intrinseca
f
x
Potenziale integrato
va
f
x
Tensione termica del CMOS
va
FAQ
Qual è il Concentrazione elettronica intrinseca?
La concentrazione elettronica intrinseca è definita come il numero di elettroni nella banda di conduzione o il numero di lacune nella banda di valenza nel materiale intrinseco.
Il Concentrazione elettronica intrinseca può essere negativo?
{YesorNo}, Concentrazione elettronica intrinseca, misurato in {OutputVariableMeasurementName} {CanorCannot} può essere negativo.
Let Others Know
✖
Facebook
Twitter
Reddit
LinkedIn
Email
WhatsApp
Copied!