Capacità di sovrapposizione del gate MOS in Fabbricazione VLSI Formule

La capacità di sovrapposizione del gate MOS è una capacità che deriva dalla costruzione del dispositivo stesso ed è solitamente associata alle sue giunzioni PN interne. Ed è indicato da C_mos. Capacità di sovrapposizione del gate MOS viene solitamente misurato utilizzando Microfarad per Capacità. Tieni presente che il valore di Capacità di sovrapposizione del gate MOS è sempre positivo.

Formule per trovare Capacità di sovrapposizione del gate MOS in Fabbricazione VLSI

fxCapacità intrinseca di gateva

Elenco di variabili nelle formule Fabbricazione VLSI

fx Capacità del gate MOS va

fx Larghezza di transizione va

FAQ

Qual è il Capacità di sovrapposizione del gate MOS?

La capacità di sovrapposizione del gate MOS è una capacità che deriva dalla costruzione del dispositivo stesso ed è solitamente associata alle sue giunzioni PN interne. Capacità di sovrapposizione del gate MOS viene solitamente misurato utilizzando Microfarad per Capacità. Tieni presente che il valore di Capacità di sovrapposizione del gate MOS è sempre positivo.

Il Capacità di sovrapposizione del gate MOS può essere negativo?

NO, Capacità di sovrapposizione del gate MOS, misurato in Capacità non può può essere negativo.

Quale unità viene utilizzata per misurare Capacità di sovrapposizione del gate MOS?

Capacità di sovrapposizione del gate MOS viene solitamente misurato utilizzando Microfarad[μF] per Capacità. Farad[μF], kilofarad[μF], Millifrad[μF] sono le poche altre unità in cui è possibile misurare Capacità di sovrapposizione del gate MOS.

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