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Capacità di ossido per unità di area in Fabbricazione VLSI Formule

La capacità di ossido per unità di area è definita come la capacità per unità di area dello strato di ossido isolante che separa il gate metallico dal materiale semiconduttore. Ed è indicato da Coxide. Capacità di ossido per unità di area viene solitamente misurato utilizzando Microfarad per centimetro quadrato per Capacità di ossido per area unitaria. Tieni presente che il valore di Capacità di ossido per unità di area è sempre positivo.

Formule Fabbricazione VLSI che utilizzano Capacità di ossido per unità di area

fxCorrente di saturazione del canale corto VLSI​va
fxCapacità dell'ossido dopo il ridimensionamento completo VLSI​va
fxRiduzione della tensione di soglia a canale corto VLSI​va
fxCapacità dell'ossido dopo il ridimensionamento della tensione VLSI​va
fxVLSI di tensione di soglia aggiuntiva a canale stretto​va

FAQ

Qual è il Capacità di ossido per unità di area?
La capacità di ossido per unità di area è definita come la capacità per unità di area dello strato di ossido isolante che separa il gate metallico dal materiale semiconduttore. Capacità di ossido per unità di area viene solitamente misurato utilizzando Microfarad per centimetro quadrato per Capacità di ossido per area unitaria. Tieni presente che il valore di Capacità di ossido per unità di area è sempre positivo.
Il Capacità di ossido per unità di area può essere negativo?
NO, Capacità di ossido per unità di area, misurato in Capacità di ossido per area unitaria non può può essere negativo.
Quale unità viene utilizzata per misurare Capacità di ossido per unità di area?
Capacità di ossido per unità di area viene solitamente misurato utilizzando Microfarad per centimetro quadrato[μF/cm²] per Capacità di ossido per area unitaria. Farad per metro quadrato[μF/cm²], Nanofarad per centimetro quadrato[μF/cm²], Microfarad per millimetro quadrato[μF/cm²] sono le poche altre unità in cui è possibile misurare Capacità di ossido per unità di area.
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