Capacità di ossido dopo il ridimensionamento della tensione in Fabbricazione VLSI Formule

La capacità dell’ossido dopo il ridimensionamento della tensione si riferisce alla capacità associata allo strato di ossido tra il gate metallico e il substrato dopo che il dispositivo è stato ridimensionato mediante il ridimensionamento della tensione. Ed è indicato da C_ox(vs)'. Capacità di ossido dopo il ridimensionamento della tensione viene solitamente misurato utilizzando Nanofarad per centimetro quadrato per Capacità di ossido per area unitaria. Tieni presente che il valore di Capacità di ossido dopo il ridimensionamento della tensione è sempre positivo.