Capacità di gate-drain in MOSFET Formule

La capacità di gate-drain è una capacità parassita che esiste tra gli elettrodi di gate e di drain di un transistor ad effetto di campo (FET). Ed è indicato da C_gd. Capacità di gate-drain viene solitamente misurato utilizzando Microfarad per Capacità. Tieni presente che il valore di Capacità di gate-drain è sempre positivo.

Formule MOSFET che utilizzano Capacità di gate-drain

fxTensione positiva data il parametro del dispositivo nel MOSFETva

fxTensione tra gate e sorgente del MOSFET data la corrente di ingressova

fxFrequenza di transizione del MOSFETva

fxCapacità Miller del Mosfetva

fxMosfet di capacità Miller di uscitava

FAQ

Qual è il Capacità di gate-drain?

La capacità di gate-drain è una capacità parassita che esiste tra gli elettrodi di gate e di drain di un transistor ad effetto di campo (FET). Capacità di gate-drain viene solitamente misurato utilizzando Microfarad per Capacità. Tieni presente che il valore di Capacità di gate-drain è sempre positivo.

Il Capacità di gate-drain può essere negativo?

NO, Capacità di gate-drain, misurato in Capacità non può può essere negativo.

Quale unità viene utilizzata per misurare Capacità di gate-drain?

Capacità di gate-drain viene solitamente misurato utilizzando Microfarad[μF] per Capacità. Farad[μF], kilofarad[μF], Millifrad[μF] sono le poche altre unità in cui è possibile misurare Capacità di gate-drain.

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