Capacità di drenaggio del gate FET in Dispositivi transistor avanzati Formule

Capacità di drain del gate FET è la capacità tra i terminali di gate e drain del FET. È causato dalla sovrapposizione tra le regioni di gate e drain. Ed è indicato da C_gd(fet). Capacità di drenaggio del gate FET viene solitamente misurato utilizzando Farad per Capacità. Tieni presente che il valore di Capacità di drenaggio del gate FET è sempre positivo.