Capacità dello strato di ossido di gate in Progettazione e applicazioni CMOS Formule

La capacità dello strato di ossido di gate è definita come la capacità del terminale di gate di un transistor ad effetto di campo. Ed è indicato da C_ox. Capacità dello strato di ossido di gate viene solitamente misurato utilizzando Microfarad per millimetro quadrato per Capacità di ossido per area unitaria. Tieni presente che il valore di Capacità dello strato di ossido di gate è sempre positivo.

Formule Progettazione e applicazioni CMOS che utilizzano Capacità dello strato di ossido di gate

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FAQ

Qual è il Capacità dello strato di ossido di gate?

La capacità dello strato di ossido di gate è definita come la capacità del terminale di gate di un transistor ad effetto di campo. Capacità dello strato di ossido di gate viene solitamente misurato utilizzando Microfarad per millimetro quadrato per Capacità di ossido per area unitaria. Tieni presente che il valore di Capacità dello strato di ossido di gate è sempre positivo.

Il Capacità dello strato di ossido di gate può essere negativo?

NO, Capacità dello strato di ossido di gate, misurato in Capacità di ossido per area unitaria non può può essere negativo.

Quale unità viene utilizzata per misurare Capacità dello strato di ossido di gate?

Capacità dello strato di ossido di gate viene solitamente misurato utilizzando Microfarad per millimetro quadrato[μF/mm²] per Capacità di ossido per area unitaria. Farad per metro quadrato[μF/mm²], Nanofarad per centimetro quadrato[μF/mm²], Microfarad per centimetro quadrato[μF/mm²] sono le poche altre unità in cui è possibile misurare Capacità dello strato di ossido di gate.

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