Capacità della sorgente di gate in Dispositivi a semiconduttore a microonde Formule

La capacità di gate source si riferisce alla capacità tra i terminali di gate e source di un transistor ad effetto di campo (FET). Ed è indicato da C_gs. Capacità della sorgente di gate viene solitamente misurato utilizzando Microfarad per Capacità. Tieni presente che il valore di Capacità della sorgente di gate è sempre positivo.

Formule Dispositivi a semiconduttore a microonde che utilizzano Capacità della sorgente di gate

fxFrequenza di taglio MESFETva

fxFattore di rumore GaAs MESFETva

FAQ

Qual è il Capacità della sorgente di gate?

La capacità di gate source si riferisce alla capacità tra i terminali di gate e source di un transistor ad effetto di campo (FET). Capacità della sorgente di gate viene solitamente misurato utilizzando Microfarad per Capacità. Tieni presente che il valore di Capacità della sorgente di gate è sempre positivo.

Il Capacità della sorgente di gate può essere negativo?

NO, Capacità della sorgente di gate, misurato in Capacità non può può essere negativo.

Quale unità viene utilizzata per misurare Capacità della sorgente di gate?

Capacità della sorgente di gate viene solitamente misurato utilizzando Microfarad[μF] per Capacità. Farad[μF], kilofarad[μF], Millifrad[μF] sono le poche altre unità in cui è possibile misurare Capacità della sorgente di gate.

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