{श्रेणी} सूत्रों में बहाव प्रतिरोध (आईजीबीटी)

ड्रिफ्ट रेजिस्टेंस (IGBT) डिवाइस में सेमीकंडक्टर सामग्री का N-ड्रिफ्ट क्षेत्र है। N-ड्रिफ्ट क्षेत्र एक मोटा डोप्ड सिलिकॉन है जो कलेक्टर को P-बेस क्षेत्र से अलग करता है। और इसे R_d(igbt) द्वारा दर्शाया जाता है. बहाव प्रतिरोध (आईजीबीटी) को आम तौर पर विद्युत प्रतिरोध के लिए किलोहम का उपयोग करके मापा जाता है। ध्यान दें कि बहाव प्रतिरोध (आईजीबीटी) का मान हमेशा सकारात्मक होता है।