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एनालॉग इलेक्ट्रॉनिक्स
{श्रेणी} सूत्रों में चैनल की सतह पर इलेक्ट्रॉनों की गतिशीलता
चैनल की सतह पर इलेक्ट्रॉनों की गतिशीलता एक विद्युत क्षेत्र के अधीन सामग्री की सतह परत के भीतर स्थानांतरित करने या संचालित करने के लिए इलेक्ट्रॉनों की क्षमता को दर्शाती है। और इसे μ
n
द्वारा दर्शाया जाता है. चैनल की सतह पर इलेक्ट्रॉनों की गतिशीलता को आम तौर पर गतिशीलता के लिए वर्ग मीटर प्रति वोल्ट प्रति सेकंड का उपयोग करके मापा जाता है। ध्यान दें कि चैनल की सतह पर इलेक्ट्रॉनों की गतिशीलता का मान हमेशा नकारात्मक होता है।
MOSFET सूत्र जो चैनल की सतह पर इलेक्ट्रॉनों की गतिशीलता का उपयोग करते हैं
f
x
NMOS ट्रांजिस्टर में चैनल का इलेक्ट्रॉन बहाव वेग
जाना
f
x
NMOS रैखिक प्रतिरोध के रूप में
जाना
FAQ
चैनल की सतह पर इलेक्ट्रॉनों की गतिशीलता क्या है?
चैनल की सतह पर इलेक्ट्रॉनों की गतिशीलता एक विद्युत क्षेत्र के अधीन सामग्री की सतह परत के भीतर स्थानांतरित करने या संचालित करने के लिए इलेक्ट्रॉनों की क्षमता को दर्शाती है। चैनल की सतह पर इलेक्ट्रॉनों की गतिशीलता को आम तौर पर गतिशीलता के लिए वर्ग मीटर प्रति वोल्ट प्रति सेकंड का उपयोग करके मापा जाता है। ध्यान दें कि चैनल की सतह पर इलेक्ट्रॉनों की गतिशीलता का मान हमेशा नकारात्मक होता है।
क्या चैनल की सतह पर इलेक्ट्रॉनों की गतिशीलता ऋणात्मक हो सकता है?
{हां या नहीं}, {आउटपुट वेरिएबल मापन नाम} में मापा गया चैनल की सतह पर इलेक्ट्रॉनों की गतिशीलता, ऋणात्मक {हो सकता है या नहीं हो सकता}।
चैनल की सतह पर इलेक्ट्रॉनों की गतिशीलता को मापने के लिए किस इकाई का उपयोग किया जाता है?
चैनल की सतह पर इलेक्ट्रॉनों की गतिशीलता को आम तौर पर गतिशीलता के लिए वर्ग मीटर प्रति वोल्ट प्रति सेकंड[m²/V*s] का उपयोग करके मापा जाता है। वर्ग सेंटीमीटर प्रति वोल्ट सेकंड[m²/V*s] कुछ अन्य इकाइयाँ हैं जिनमें चैनल की सतह पर इलेक्ट्रॉनों की गतिशीलता को मापा जा सकता है।
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