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एनालॉग इलेक्ट्रॉनिक्स
{श्रेणी} सूत्रों में ऑक्साइड भर में वोल्टेज
ऑक्साइड-सेमीकंडक्टर इंटरफ़ेस पर चार्ज के कारण ऑक्साइड में वोल्टेज और तीसरा शब्द ऑक्साइड में चार्ज घनत्व के कारण है। और इसे V
ox
द्वारा दर्शाया जाता है. ऑक्साइड भर में वोल्टेज को आम तौर पर विद्युतीय संभाव्यता के लिए वोल्ट का उपयोग करके मापा जाता है। ध्यान दें कि ऑक्साइड भर में वोल्टेज का मान हमेशा नकारात्मक होता है।
MOSFET सूत्र जो ऑक्साइड भर में वोल्टेज का उपयोग करते हैं
f
x
MOSFETs के चैनल का संचालन
जाना
FAQ
ऑक्साइड भर में वोल्टेज क्या है?
ऑक्साइड-सेमीकंडक्टर इंटरफ़ेस पर चार्ज के कारण ऑक्साइड में वोल्टेज और तीसरा शब्द ऑक्साइड में चार्ज घनत्व के कारण है। ऑक्साइड भर में वोल्टेज को आम तौर पर विद्युतीय संभाव्यता के लिए वोल्ट का उपयोग करके मापा जाता है। ध्यान दें कि ऑक्साइड भर में वोल्टेज का मान हमेशा नकारात्मक होता है।
क्या ऑक्साइड भर में वोल्टेज ऋणात्मक हो सकता है?
{हां या नहीं}, {आउटपुट वेरिएबल मापन नाम} में मापा गया ऑक्साइड भर में वोल्टेज, ऋणात्मक {हो सकता है या नहीं हो सकता}।
ऑक्साइड भर में वोल्टेज को मापने के लिए किस इकाई का उपयोग किया जाता है?
ऑक्साइड भर में वोल्टेज को आम तौर पर विद्युतीय संभाव्यता के लिए वोल्ट[V] का उपयोग करके मापा जाता है। millivolt[V], माइक्रोवोल्ट[V], नैनोवोल्ट[V] कुछ अन्य इकाइयाँ हैं जिनमें ऑक्साइड भर में वोल्टेज को मापा जा सकता है।
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