{श्रेणी} सूत्रों में इलेक्ट्रॉन डोपिंग सिलिकॉन गतिशीलता

इलेक्ट्रॉन डोपिंग सिलिकॉन मोबिलिटी यह दर्शाती है कि विद्युत क्षेत्र द्वारा खींचे जाने पर एक इलेक्ट्रॉन किसी धातु या अर्धचालक के माध्यम से कितनी तेजी से आगे बढ़ सकता है। और इसे μ_n द्वारा दर्शाया जाता है. इलेक्ट्रॉन डोपिंग सिलिकॉन गतिशीलता को आम तौर पर गतिशीलता के लिए वर्ग सेंटीमीटर प्रति वोल्ट सेकंड का उपयोग करके मापा जाता है। ध्यान दें कि इलेक्ट्रॉन डोपिंग सिलिकॉन गतिशीलता का मान हमेशा सकारात्मक होता है।