{श्रेणी} सूत्रों में THCO में C चरण के बीच संभावित अंतर

टीएचसीओ में सी चरण के बीच संभावित अंतर को दो स्थानों के बीच एक कण की स्थिति के कारण होने वाली विद्युत क्षमता की मात्रा में अंतर के रूप में परिभाषित किया गया है। और इसे Vcc'_(thco) द्वारा दर्शाया जाता है. THCO में C चरण के बीच संभावित अंतर को आम तौर पर विद्युतीय संभाव्यता के लिए वोल्ट का उपयोग करके मापा जाता है। ध्यान दें कि THCO में C चरण के बीच संभावित अंतर का मान हमेशा नकारात्मक होता है।

ओपन कंडक्टर फॉल्ट में THCO में C चरण के बीच संभावित अंतर खोजने के सूत्र

fxसी-चरण (तीन कंडक्टर ओपन) के बीच संभावित अंतरजाना

ओपन कंडक्टर फॉल्ट सूत्र जो THCO में C चरण के बीच संभावित अंतर का उपयोग करते हैं

fxशून्य अनुक्रम संभावित अंतर (तीन कंडक्टर खुले)जाना

fxबी-चरण (तीन कंडक्टर ओपन) के बीच संभावित अंतरजाना

fxए-फेज (तीन कंडक्टर ओपन) के बीच संभावित अंतरजाना

{श्रेणी} सूत्रों में चरों की सूची

fx THCO में शून्य अनुक्रम संभावित अंतर जाना

fx THCO में एक चरण के बीच संभावित अंतर जाना

fx THCO में बी चरण के बीच संभावित अंतर जाना

FAQ

THCO में C चरण के बीच संभावित अंतर क्या है?

टीएचसीओ में सी चरण के बीच संभावित अंतर को दो स्थानों के बीच एक कण की स्थिति के कारण होने वाली विद्युत क्षमता की मात्रा में अंतर के रूप में परिभाषित किया गया है। THCO में C चरण के बीच संभावित अंतर को आम तौर पर विद्युतीय संभाव्यता के लिए वोल्ट का उपयोग करके मापा जाता है। ध्यान दें कि THCO में C चरण के बीच संभावित अंतर का मान हमेशा नकारात्मक होता है।

क्या THCO में C चरण के बीच संभावित अंतर ऋणात्मक हो सकता है?

{हां या नहीं}, {आउटपुट वेरिएबल मापन नाम} में मापा गया THCO में C चरण के बीच संभावित अंतर, ऋणात्मक {हो सकता है या नहीं हो सकता}।

THCO में C चरण के बीच संभावित अंतर को मापने के लिए किस इकाई का उपयोग किया जाता है?

THCO में C चरण के बीच संभावित अंतर को आम तौर पर विद्युतीय संभाव्यता के लिए वोल्ट[V] का उपयोग करके मापा जाता है। millivolt[V], माइक्रोवोल्ट[V], नैनोवोल्ट[V] कुछ अन्य इकाइयाँ हैं जिनमें THCO में C चरण के बीच संभावित अंतर को मापा जा सकता है।

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