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वर्तमान स्रोत NMOS के आउटपुट प्रतिरोध को ड्रेन करंट दिया गया फॉर्मूला

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आउटपुट प्रतिरोध एक इलेक्ट्रॉनिक सर्किट के वर्तमान प्रवाह के प्रतिरोध को संदर्भित करता है जब लोड इसके आउटपुट से जुड़ा होता है। FAQs जांचें
Rout=VAID'
Rout - आउटपुट प्रतिरोध?VA - डिवाइस पैरामीटर?ID' - चैनल लेंथ मॉड्यूलेशन के बिना करंट ड्रेन करें?

वर्तमान स्रोत NMOS के आउटपुट प्रतिरोध को ड्रेन करंट दिया गया उदाहरण

मूल्यों के साथ
इकाइयों के साथ
केवल उदाहरण

वर्तमान स्रोत NMOS के आउटपुट प्रतिरोध को ड्रेन करंट दिया गया समीकरण मूल्यों के साथ जैसा दिखता है।

वर्तमान स्रोत NMOS के आउटपुट प्रतिरोध को ड्रेन करंट दिया गया समीकरण इकाइयों के साथ जैसा दिखता है।

वर्तमान स्रोत NMOS के आउटपुट प्रतिरोध को ड्रेन करंट दिया गया समीकरण जैसा दिखता है।

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वर्तमान स्रोत NMOS के आउटपुट प्रतिरोध को ड्रेन करंट दिया गया समाधान

वर्तमान स्रोत NMOS के आउटपुट प्रतिरोध को ड्रेन करंट दिया गया की गणना कैसे करें, इसके लिए हमारे चरण-दर-चरण समाधान का पालन करें।

पहला कदम सूत्र पर विचार करें
Rout=VAID'
अगला कदम चरों के प्रतिस्थापन मान
∴ Rout=4V3.2mA
अगला कदम इकाइयों को परिवर्तित करें
∴ Rout=4V0.0032A
अगला कदम मूल्यांकन के लिए तैयार रहें
∴ Rout=40.0032
अगला कदम मूल्यांकन करना
∴Rout=1250Ω
अंतिम चरण आउटपुट की इकाई में परिवर्तित करें
∴Rout=1.25kΩ

वर्तमान स्रोत NMOS के आउटपुट प्रतिरोध को ड्रेन करंट दिया गया FORMULA तत्वों

चर
आउटपुट प्रतिरोध
आउटपुट प्रतिरोध एक इलेक्ट्रॉनिक सर्किट के वर्तमान प्रवाह के प्रतिरोध को संदर्भित करता है जब लोड इसके आउटपुट से जुड़ा होता है।
प्रतीक: Rout
माप: विद्युत प्रतिरोधइकाई: kΩ
टिप्पणी: मूल्य सकारात्मक या नकारात्मक हो सकता है.
आउटपुट प्रतिरोध खोजने के लिए सूत्रOpen Variable
डिवाइस पैरामीटर
डिवाइस पैरामीटर MOSFET से संबंधित गणना में उपयोग किया जाने वाला पैरामीटर है। VA चैनल की लंबाई L के समानुपाती होता है जिसे डिज़ाइनर MOSFET के लिए चुनता है।
प्रतीक: VA
माप: विद्युतीय संभाव्यताइकाई: V
टिप्पणी: मूल्य सकारात्मक या नकारात्मक हो सकता है.
डिवाइस पैरामीटर खोजने के लिए सूत्रOpen Variable
चैनल लेंथ मॉड्यूलेशन के बिना करंट ड्रेन करें
चैनल लेंथ मॉड्यूलेशन के बिना ड्रेन करंट का मतलब है कि ड्रेन-टू-सोर्स वोल्टेज बढ़ने से संतृप्ति-क्षेत्र ड्रेन करंट थोड़ा बढ़ जाएगा।
प्रतीक: ID'
माप: विद्युत प्रवाहइकाई: mA
टिप्पणी: मूल्य सकारात्मक या नकारात्मक हो सकता है.
चैनल लेंथ मॉड्यूलेशन के बिना करंट ड्रेन करें खोजने के लिए सूत्रOpen Variable

एन चैनल संवर्द्धन श्रेणी में अन्य सूत्र

​जाना NMOS ट्रांजिस्टर में चैनल का इलेक्ट्रॉन बहाव वेग
vd=μn⋅EL
​जाना NMOS रैखिक प्रतिरोध के रूप में
rDS=Lμn⋅Cox⋅Wc⋅(Vgs-VT)
​जाना NMOS के वर्तमान में प्रवेश करने वाले ड्रेन टर्मिनल में गेट स्रोत वोल्टेज दिया गया है
Id=k'n⋅WcL⋅((Vgs-VT)⋅Vds-12⋅Vds2)
​जाना NMOS के ट्रायोड क्षेत्र में वर्तमान में प्रवेश करने वाली नाली-स्रोत
Id=k'n⋅WcL⋅((Vgs-VT)⋅Vds-12⋅(Vds)2)

वर्तमान स्रोत NMOS के आउटपुट प्रतिरोध को ड्रेन करंट दिया गया का मूल्यांकन कैसे करें?

वर्तमान स्रोत NMOS के आउटपुट प्रतिरोध को ड्रेन करंट दिया गया मूल्यांकनकर्ता आउटपुट प्रतिरोध, वर्तमान स्रोत एनएमओएस का आउटपुट प्रतिरोध दिया गया नाली वर्तमान रैखिक मोड में संचालित होता है जिसे आर द्वारा नाली-स्रोत वोल्टेज और नाली वर्तमान का अनुपात दिया जाता है। का मूल्यांकन करने के लिए Output Resistance = डिवाइस पैरामीटर/चैनल लेंथ मॉड्यूलेशन के बिना करंट ड्रेन करें का उपयोग करता है। आउटपुट प्रतिरोध को Rout प्रतीक द्वारा दर्शाया जाता है।

इस ऑनलाइन मूल्यांकनकर्ता का उपयोग करके वर्तमान स्रोत NMOS के आउटपुट प्रतिरोध को ड्रेन करंट दिया गया का मूल्यांकन कैसे करें? वर्तमान स्रोत NMOS के आउटपुट प्रतिरोध को ड्रेन करंट दिया गया के लिए इस ऑनलाइन मूल्यांकनकर्ता का उपयोग करने के लिए, डिवाइस पैरामीटर (VA) & चैनल लेंथ मॉड्यूलेशन के बिना करंट ड्रेन करें (ID') दर्ज करें और गणना बटन दबाएं।

FAQs पर वर्तमान स्रोत NMOS के आउटपुट प्रतिरोध को ड्रेन करंट दिया गया

वर्तमान स्रोत NMOS के आउटपुट प्रतिरोध को ड्रेन करंट दिया गया ज्ञात करने का सूत्र क्या है?
वर्तमान स्रोत NMOS के आउटपुट प्रतिरोध को ड्रेन करंट दिया गया का सूत्र Output Resistance = डिवाइस पैरामीटर/चैनल लेंथ मॉड्यूलेशन के बिना करंट ड्रेन करें के रूप में व्यक्त किया जाता है। यहाँ एक उदाहरण दिया गया है- 0.00125 = 4/0.0032.
वर्तमान स्रोत NMOS के आउटपुट प्रतिरोध को ड्रेन करंट दिया गया की गणना कैसे करें?
डिवाइस पैरामीटर (VA) & चैनल लेंथ मॉड्यूलेशन के बिना करंट ड्रेन करें (ID') के साथ हम वर्तमान स्रोत NMOS के आउटपुट प्रतिरोध को ड्रेन करंट दिया गया को सूत्र - Output Resistance = डिवाइस पैरामीटर/चैनल लेंथ मॉड्यूलेशन के बिना करंट ड्रेन करें का उपयोग करके पा सकते हैं।
क्या वर्तमान स्रोत NMOS के आउटपुट प्रतिरोध को ड्रेन करंट दिया गया ऋणात्मक हो सकता है?
{हां या नहीं}, विद्युत प्रतिरोध में मापा गया वर्तमान स्रोत NMOS के आउटपुट प्रतिरोध को ड्रेन करंट दिया गया ऋणात्मक {हो सकता है या नहीं हो सकता}।
वर्तमान स्रोत NMOS के आउटपुट प्रतिरोध को ड्रेन करंट दिया गया को मापने के लिए किस इकाई का उपयोग किया जाता है?
वर्तमान स्रोत NMOS के आउटपुट प्रतिरोध को ड्रेन करंट दिया गया को आम तौर पर विद्युत प्रतिरोध के लिए किलोहम[kΩ] का उपयोग करके मापा जाता है। ओम[kΩ], प्रयुत ओम[kΩ], माइक्रोह्म[kΩ] कुछ अन्य इकाइयाँ हैं जिनमें वर्तमान स्रोत NMOS के आउटपुट प्रतिरोध को ड्रेन करंट दिया गया को मापा जा सकता है।
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