महत्वपूर्ण आयाम फॉर्मूला

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सेमीकंडक्टर निर्माण में महत्वपूर्ण आयाम किसी दिए गए प्रक्रिया में सबसे छोटे फीचर आकार या सबसे छोटे मापने योग्य आकार को संदर्भित करता है। FAQs जांचें
CD=k1λlNA
CD - महत्वपूर्ण आयाम?k1 - प्रक्रिया पर निर्भर स्थिरांक?λl - फोटोलिथोग्राफी में तरंग दैर्ध्य?NA - संख्यात्मक छिद्र?

महत्वपूर्ण आयाम उदाहरण

मूल्यों के साथ
इकाइयों के साथ
केवल उदाहरण

महत्वपूर्ण आयाम समीकरण मूल्यों के साथ जैसा दिखता है।

महत्वपूर्ण आयाम समीकरण इकाइयों के साथ जैसा दिखता है।

महत्वपूर्ण आयाम समीकरण जैसा दिखता है।

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महत्वपूर्ण आयाम समाधान

महत्वपूर्ण आयाम की गणना कैसे करें, इसके लिए हमारे चरण-दर-चरण समाधान का पालन करें।

पहला कदम सूत्र पर विचार करें
CD=k1λlNA
अगला कदम चरों के प्रतिस्थापन मान
CD=1.56223nm0.717
अगला कदम इकाइयों को परिवर्तित करें
CD=1.562.2E-7m0.717
अगला कदम मूल्यांकन के लिए तैयार रहें
CD=1.562.2E-70.717
अगला कदम मूल्यांकन करना
CD=4.85188284518829E-07m
अगला कदम आउटपुट की इकाई में परिवर्तित करें
CD=485.188284518829nm
अंतिम चरण उत्तर को गोल करना
CD=485.1883nm

महत्वपूर्ण आयाम FORMULA तत्वों

चर
महत्वपूर्ण आयाम
सेमीकंडक्टर निर्माण में महत्वपूर्ण आयाम किसी दिए गए प्रक्रिया में सबसे छोटे फीचर आकार या सबसे छोटे मापने योग्य आकार को संदर्भित करता है।
प्रतीक: CD
माप: लंबाईइकाई: nm
टिप्पणी: मान 0 से अधिक होना चाहिए.
प्रक्रिया पर निर्भर स्थिरांक
प्रोसेस डिपेंडेंट कॉन्स्टैंट एक पैरामीटर या मान को संदर्भित करता है जो निर्माण प्रक्रिया के एक विशिष्ट पहलू को दर्शाता है और अर्धचालक उपकरणों के प्रदर्शन पर महत्वपूर्ण प्रभाव डालता है।
प्रतीक: k1
माप: NAइकाई: Unitless
टिप्पणी: मान 0 से अधिक होना चाहिए.
फोटोलिथोग्राफी में तरंग दैर्ध्य
फोटोलिथोग्राफी में तरंग दैर्ध्य अर्धचालक निर्माण प्रक्रिया के दौरान पैटर्न अर्धचालक वेफर्स के लिए नियोजित विद्युत चुम्बकीय विकिरण की विशिष्ट श्रेणी को संदर्भित करता है।
प्रतीक: λl
माप: वेवलेंथइकाई: nm
टिप्पणी: मान 0 से अधिक होना चाहिए.
संख्यात्मक छिद्र
ऑप्टिकल सिस्टम का संख्यात्मक एपर्चर एक ऑप्टिकल सिस्टम की क्षमता का वर्णन करने के लिए प्रकाशिकी में उपयोग किया जाने वाला एक पैरामीटर है। सेमीकंडक्टर निर्माण और फोटोलिथोग्राफी के संदर्भ में।
प्रतीक: NA
माप: NAइकाई: Unitless
टिप्पणी: मान 0 से अधिक होना चाहिए.

एमओएस आईसी निर्माण श्रेणी में अन्य सूत्र

​जाना MOSFET में शारीरिक प्रभाव
Vt=Vth+γ(2Φf+Vbs-2Φf)
​जाना MOSFET एकता-लाभ आवृत्ति
ft=gmCgs+Cgd
​जाना संतृप्ति क्षेत्र में MOSFET का ड्रेन करंट
Id=β2(Vgs-Vth)2(1+λiVds)
​जाना चैनल प्रतिरोध
Rch=LtWt1μnQon

महत्वपूर्ण आयाम का मूल्यांकन कैसे करें?

महत्वपूर्ण आयाम मूल्यांकनकर्ता महत्वपूर्ण आयाम, क्रिटिकल डायमेंशन सबसे छोटे आयाम या फीचर आकार को संदर्भित करता है जो सर्किट के प्रदर्शन और कार्यक्षमता को निर्धारित करता है। यह निर्माण प्रक्रिया के रिज़ॉल्यूशन और सटीकता को परिभाषित करने के लिए महत्वपूर्ण है। का मूल्यांकन करने के लिए Critical Dimension = प्रक्रिया पर निर्भर स्थिरांक*फोटोलिथोग्राफी में तरंग दैर्ध्य/संख्यात्मक छिद्र का उपयोग करता है। महत्वपूर्ण आयाम को CD प्रतीक द्वारा दर्शाया जाता है।

इस ऑनलाइन मूल्यांकनकर्ता का उपयोग करके महत्वपूर्ण आयाम का मूल्यांकन कैसे करें? महत्वपूर्ण आयाम के लिए इस ऑनलाइन मूल्यांकनकर्ता का उपयोग करने के लिए, प्रक्रिया पर निर्भर स्थिरांक (k1), फोटोलिथोग्राफी में तरंग दैर्ध्य l) & संख्यात्मक छिद्र (NA) दर्ज करें और गणना बटन दबाएं।

FAQs पर महत्वपूर्ण आयाम

महत्वपूर्ण आयाम ज्ञात करने का सूत्र क्या है?
महत्वपूर्ण आयाम का सूत्र Critical Dimension = प्रक्रिया पर निर्भर स्थिरांक*फोटोलिथोग्राफी में तरंग दैर्ध्य/संख्यात्मक छिद्र के रूप में व्यक्त किया जाता है। यहाँ एक उदाहरण दिया गया है- 4.9E+11 = 1.56*2.23E-07/0.717.
महत्वपूर्ण आयाम की गणना कैसे करें?
प्रक्रिया पर निर्भर स्थिरांक (k1), फोटोलिथोग्राफी में तरंग दैर्ध्य l) & संख्यात्मक छिद्र (NA) के साथ हम महत्वपूर्ण आयाम को सूत्र - Critical Dimension = प्रक्रिया पर निर्भर स्थिरांक*फोटोलिथोग्राफी में तरंग दैर्ध्य/संख्यात्मक छिद्र का उपयोग करके पा सकते हैं।
क्या महत्वपूर्ण आयाम ऋणात्मक हो सकता है?
{हां या नहीं}, लंबाई में मापा गया महत्वपूर्ण आयाम ऋणात्मक {हो सकता है या नहीं हो सकता}।
महत्वपूर्ण आयाम को मापने के लिए किस इकाई का उपयोग किया जाता है?
महत्वपूर्ण आयाम को आम तौर पर लंबाई के लिए नैनोमीटर[nm] का उपयोग करके मापा जाता है। मीटर[nm], मिलीमीटर[nm], किलोमीटर[nm] कुछ अन्य इकाइयाँ हैं जिनमें महत्वपूर्ण आयाम को मापा जा सकता है।
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