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पीएमओएस ट्रांजिस्टर का ओवरऑल ड्रेन करंट फॉर्मूला

जानापीएमओएस ट्रांजिस्टर के ट्रायोड क्षेत्र में ड्रेन करेंट FORMULA

जानादिए गए पीएमओएस ट्रांजिस्टर के ट्रायोड क्षेत्र में ड्रेन करेंट वीएसडी FORMULA

Fx प्रतिलिपि

LaTeX प्रतिलिपि

ड्रेन करंट ड्रेन से फील्ड-इफेक्ट ट्रांजिस्टर (FET) या मेटल-ऑक्साइड-सेमीकंडक्टर फील्ड-इफेक्ट ट्रांजिस्टर (MOSFET) के स्रोत तक बहने वाली विद्युत धारा है। FAQs जांचें

I d = \frac{1}{2} \cdot k' p \cdot WL \cdot {(V GS - mod \underset{̲}{u} s (V T))}^{2} \cdot (1 + \frac{V DS}{mod} \underset{̲}{u} s (V a))

I_d - नाली वर्तमान?k'_p - पीएमओएस में प्रोसेस ट्रांसकंडक्शन पैरामीटर?WL - आस्पेक्ट अनुपात?V_GS - गेट और स्रोत के बीच वोल्टेज?V_T - सीमा वोल्टेज?V_DS - नाली और स्रोत के बीच वोल्टेज?V_a - प्रारंभिक वोल्टेज?

पीएमओएस ट्रांजिस्टर का ओवरऑल ड्रेन करंट उदाहरण

मूल्यों के साथ

इकाइयों के साथ

केवल उदाहरण

पीएमओएस ट्रांजिस्टर का ओवरऑल ड्रेन करंट समीकरण मूल्यों के साथ जैसा दिखता है।

पीएमओएस ट्रांजिस्टर का ओवरऑल ड्रेन करंट समीकरण इकाइयों के साथ जैसा दिखता है।

पीएमओएस ट्रांजिस्टर का ओवरऑल ड्रेन करंट समीकरण जैसा दिखता है।

30.8336 = \frac{1}{2} \cdot 2.1 \cdot 6 \cdot {(2.86 - mod \underset{̲}{u} s (0.7))}^{2} \cdot (1 + \frac{2.45}{mod} \underset{̲}{u} s (50))

30.8336mA = \frac{1}{2} \cdot 2.1mS \cdot 6 \cdot {(2.86V - mod \underset{̲}{u} s (0.7V))}^{2} \cdot (1 + \frac{2.45V}{mod} \underset{̲}{u} s (50V))

30.8336 = \frac{1}{2} \cdot 2.1 \cdot 6 \cdot {(2.86 - mod \underset{̲}{u} s (0.7))}^{2} \cdot (1 + \frac{2.45}{mod} \underset{̲}{u} s (50))

बख्शीश: इनपुट मान और इकाइयों को संपादित करने के लिए ऊपर दिए गए पेंसिल ( Pencil

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पीएमओएस ट्रांजिस्टर का ओवरऑल ड्रेन करंट समाधान

पीएमओएस ट्रांजिस्टर का ओवरऑल ड्रेन करंट की गणना कैसे करें, इसके लिए हमारे चरण-दर-चरण समाधान का पालन करें।

पहला कदम सूत्र पर विचार करें

I d = \frac{1}{2} \cdot k' p \cdot WL \cdot {(V GS - mod \underset{̲}{u} s (V T))}^{2} \cdot (1 + \frac{V DS}{mod} \underset{̲}{u} s (V a))

अगला कदम चरों के प्रतिस्थापन मान

∴

I d = \frac{1}{2} \cdot 2.1mS \cdot 6 \cdot {(2.86V - mod \underset{̲}{u} s (0.7V))}^{2} \cdot (1 + \frac{2.45V}{mod} \underset{̲}{u} s (50V))

अगला कदम इकाइयों को परिवर्तित करें

∴

I d = \frac{1}{2} \cdot 0.0021S \cdot 6 \cdot {(2.86V - mod \underset{̲}{u} s (0.7V))}^{2} \cdot (1 + \frac{2.45V}{mod} \underset{̲}{u} s (50V))

अगला कदम मूल्यांकन के लिए तैयार रहें

∴

I d = \frac{1}{2} \cdot 0.0021 \cdot 6 \cdot {(2.86 - mod \underset{̲}{u} s (0.7))}^{2} \cdot (1 + \frac{2.45}{mod} \underset{̲}{u} s (50))

अगला कदम मूल्यांकन करना

∴

I d = 0.03083355072A

अगला कदम आउटपुट की इकाई में परिवर्तित करें

∴

I d = 30.83355072mA

अंतिम चरण उत्तर को गोल करना

∴

I d = 30.8336mA

पीएमओएस ट्रांजिस्टर का ओवरऑल ड्रेन करंट FORMULA तत्वों

चर

कार्य

नाली वर्तमान

ड्रेन करंट ड्रेन से फील्ड-इफेक्ट ट्रांजिस्टर (FET) या मेटल-ऑक्साइड-सेमीकंडक्टर फील्ड-इफेक्ट ट्रांजिस्टर (MOSFET) के स्रोत तक बहने वाली विद्युत धारा है।

प्रतीक: I_d

माप: विद्युत प्रवाहइकाई: mA

टिप्पणी: मान 0 से अधिक होना चाहिए.

नाली वर्तमान खोजने के लिए सूत्र

पीएमओएस में प्रोसेस ट्रांसकंडक्शन पैरामीटर

पीएमओएस (पीटीएम) में प्रोसेस ट्रांसकंडक्शन पैरामीटर एक ट्रांजिस्टर के प्रदर्शन को चिह्नित करने के लिए सेमीकंडक्टर डिवाइस मॉडलिंग में इस्तेमाल किया जाने वाला पैरामीटर है।

प्रतीक: k'_p

माप: विद्युत चालनइकाई: mS

टिप्पणी: मूल्य सकारात्मक या नकारात्मक हो सकता है.

पीएमओएस में प्रोसेस ट्रांसकंडक्शन पैरामीटर खोजने के लिए सूत्र

आस्पेक्ट अनुपात

पहलू अनुपात को ट्रांजिस्टर के चैनल की चौड़ाई और उसकी लंबाई के अनुपात के रूप में परिभाषित किया गया है। यह स्रोत के बीच की दूरी से गेट की चौड़ाई का अनुपात है

प्रतीक: WL

माप: NAइकाई: Unitless

टिप्पणी: मान 0 से अधिक होना चाहिए.

आस्पेक्ट अनुपात खोजने के लिए सूत्र

गेट और स्रोत के बीच वोल्टेज

क्षेत्र-प्रभाव ट्रांजिस्टर (FET) के गेट और स्रोत के बीच वोल्टेज को गेट-सोर्स वोल्टेज (VGS) के रूप में जाना जाता है। यह एक महत्वपूर्ण पैरामीटर है जो FET के संचालन को प्रभावित करता है।

प्रतीक: V_GS

माप: विद्युतीय संभाव्यताइकाई: V

टिप्पणी: मूल्य सकारात्मक या नकारात्मक हो सकता है.

गेट और स्रोत के बीच वोल्टेज खोजने के लिए सूत्र

सीमा वोल्टेज

थ्रेशोल्ड वोल्टेज, जिसे गेट थ्रेशोल्ड वोल्टेज या केवल Vth के रूप में भी जाना जाता है, फील्ड-इफेक्ट ट्रांजिस्टर के संचालन में एक महत्वपूर्ण पैरामीटर है, जो आधुनिक इलेक्ट्रॉनिक्स में मूलभूत घटक हैं।

प्रतीक: V_T

माप: विद्युतीय संभाव्यताइकाई: V

टिप्पणी: मान 0 से अधिक होना चाहिए.

सीमा वोल्टेज खोजने के लिए सूत्र

नाली और स्रोत के बीच वोल्टेज

क्षेत्र-प्रभाव ट्रांजिस्टर (FET) के संचालन में नाली और स्रोत के बीच वोल्टेज एक प्रमुख पैरामीटर है और इसे अक्सर "ड्रेन-सोर्स वोल्टेज" या VDS के रूप में जाना जाता है।

प्रतीक: V_DS

माप: विद्युतीय संभाव्यताइकाई: V

टिप्पणी: मूल्य सकारात्मक या नकारात्मक हो सकता है.

नाली और स्रोत के बीच वोल्टेज खोजने के लिए सूत्र

प्रारंभिक वोल्टेज

प्रारंभिक वोल्टेज पूरी तरह से प्रक्रिया-प्रौद्योगिकी पर निर्भर है, वोल्ट प्रति माइक्रोन के आयामों के साथ।

प्रतीक: V_a

माप: विद्युतीय संभाव्यताइकाई: V

टिप्पणी: मूल्य सकारात्मक या नकारात्मक हो सकता है.

प्रारंभिक वोल्टेज खोजने के लिए सूत्र

modulus

किसी संख्या का मापांक वह शेषफल होता है जो उस संख्या को किसी अन्य संख्या से विभाजित करने पर प्राप्त होता है।

वाक्य - विन्यास: modulus

नाली वर्तमान खोजने के लिए अन्य सूत्र

जाना पीएमओएस ट्रांजिस्टर के ट्रायोड क्षेत्र में ड्रेन करेंट

I d = k' p \cdot WL \cdot ((V GS - mod \underset{̲}{u} s (V T)) \cdot V DS - \frac{1}{2} \cdot {(V DS)}^{2})

जाना दिए गए पीएमओएस ट्रांजिस्टर के ट्रायोड क्षेत्र में ड्रेन करेंट वीएसडी

I d = k' p \cdot WL \cdot (mod \underset{̲}{u} s (V ov) - \frac{1}{2} \cdot V DS) \cdot V DS

पी चैनल संवर्द्धन श्रेणी में अन्य सूत्र

जाना PMOS ट्रांजिस्टर के संतृप्ति क्षेत्र में ड्रेन करंट

I ds = \frac{1}{2} \cdot k' p \cdot WL \cdot {(V GS - mod \underset{̲}{u} s (V T))}^{2}

जाना दिए गए पीएमओएस ट्रांजिस्टर के संतृप्ति क्षेत्र में ड्रेन करेंट

I ds = \frac{1}{2} \cdot k' p \cdot WL \cdot {(V ov)}^{2}

और देखें

पीएमओएस ट्रांजिस्टर का ओवरऑल ड्रेन करंट का मूल्यांकन कैसे करें?

पीएमओएस ट्रांजिस्टर का ओवरऑल ड्रेन करंट मूल्यांकनकर्ता नाली वर्तमान, पीएमओएस ट्रांजिस्टर का ओवरऑल ड्रेन करंट, ड्रेन करंट पहले लागू ड्रेन-टू-सोर्स वोल्टेज के साथ रैखिक रूप से बढ़ता है, लेकिन फिर अधिकतम मूल्य तक पहुंच जाता है। गेट के ड्रेन एंड पर स्थित एक घटती परत अतिरिक्त ड्रेन-टू-सोर्स वोल्टेज को समायोजित करती है। इस व्यवहार को ड्रेन करंट के रूप में जाना जाता है। का मूल्यांकन करने के लिए Drain Current = 1/2*पीएमओएस में प्रोसेस ट्रांसकंडक्शन पैरामीटर*आस्पेक्ट अनुपात*(गेट और स्रोत के बीच वोल्टेज-modulus(सीमा वोल्टेज))^2*(1+नाली और स्रोत के बीच वोल्टेज/modulus(प्रारंभिक वोल्टेज)) का उपयोग करता है। नाली वर्तमान को I_d प्रतीक द्वारा दर्शाया जाता है।

इस ऑनलाइन मूल्यांकनकर्ता का उपयोग करके पीएमओएस ट्रांजिस्टर का ओवरऑल ड्रेन करंट का मूल्यांकन कैसे करें? पीएमओएस ट्रांजिस्टर का ओवरऑल ड्रेन करंट के लिए इस ऑनलाइन मूल्यांकनकर्ता का उपयोग करने के लिए, पीएमओएस में प्रोसेस ट्रांसकंडक्शन पैरामीटर (k'_p), आस्पेक्ट अनुपात (WL), गेट और स्रोत के बीच वोल्टेज (V_GS), सीमा वोल्टेज (V_T), नाली और स्रोत के बीच वोल्टेज (V_DS) & प्रारंभिक वोल्टेज (V_a) दर्ज करें और गणना बटन दबाएं।

FAQs पर पीएमओएस ट्रांजिस्टर का ओवरऑल ड्रेन करंट

पीएमओएस ट्रांजिस्टर का ओवरऑल ड्रेन करंट ज्ञात करने का सूत्र क्या है?

पीएमओएस ट्रांजिस्टर का ओवरऑल ड्रेन करंट का सूत्र Drain Current = 1/2*पीएमओएस में प्रोसेस ट्रांसकंडक्शन पैरामीटर*आस्पेक्ट अनुपात*(गेट और स्रोत के बीच वोल्टेज-modulus(सीमा वोल्टेज))^2*(1+नाली और स्रोत के बीच वोल्टेज/modulus(प्रारंभिक वोल्टेज)) के रूप में व्यक्त किया जाता है। यहाँ एक उदाहरण दिया गया है- 30833.55 = 1/2*0.0021*6*(2.86-modulus(0.7))^2*(1+2.45/modulus(50)).

पीएमओएस ट्रांजिस्टर का ओवरऑल ड्रेन करंट की गणना कैसे करें?

पीएमओएस में प्रोसेस ट्रांसकंडक्शन पैरामीटर (k'_p), आस्पेक्ट अनुपात (WL), गेट और स्रोत के बीच वोल्टेज (V_GS), सीमा वोल्टेज (V_T), नाली और स्रोत के बीच वोल्टेज (V_DS) & प्रारंभिक वोल्टेज (V_a) के साथ हम पीएमओएस ट्रांजिस्टर का ओवरऑल ड्रेन करंट को सूत्र - Drain Current = 1/2*पीएमओएस में प्रोसेस ट्रांसकंडक्शन पैरामीटर*आस्पेक्ट अनुपात*(गेट और स्रोत के बीच वोल्टेज-modulus(सीमा वोल्टेज))^2*(1+नाली और स्रोत के बीच वोल्टेज/modulus(प्रारंभिक वोल्टेज)) का उपयोग करके पा सकते हैं। यह सूत्र मापांक (modulus) फ़ंक्शन का भी उपयोग करता है.

नाली वर्तमान की गणना करने के अन्य तरीके क्या हैं?

नाली वर्तमान-

Drain Current=Process Transconductance Parameter in PMOS*Aspect Ratio*((Voltage between Gate and Source-modulus(Threshold Voltage))*Voltage between Drain and Source-1/2*(Voltage between Drain and Source)^2)
Drain Current=Process Transconductance Parameter in PMOS*Aspect Ratio*(modulus(Effective Voltage)-1/2*Voltage between Drain and Source)*Voltage between Drain and Source
Drain Current=(Width of Junction*Inversion Layer Charge*Drift Velocity of Inversion)

की गणना करने के विभिन्न तरीके यहां दिए गए हैं

क्या पीएमओएस ट्रांजिस्टर का ओवरऑल ड्रेन करंट ऋणात्मक हो सकता है?

{हां या नहीं}, विद्युत प्रवाह में मापा गया पीएमओएस ट्रांजिस्टर का ओवरऑल ड्रेन करंट ऋणात्मक {हो सकता है या नहीं हो सकता}।

पीएमओएस ट्रांजिस्टर का ओवरऑल ड्रेन करंट को मापने के लिए किस इकाई का उपयोग किया जाता है?

पीएमओएस ट्रांजिस्टर का ओवरऑल ड्रेन करंट को आम तौर पर विद्युत प्रवाह के लिए मिलीएम्पियर[mA] का उपयोग करके मापा जाता है। एम्पेयर[mA], माइक्रोएम्पीयर[mA], सेंटियमपीयर[mA] कुछ अन्य इकाइयाँ हैं जिनमें पीएमओएस ट्रांजिस्टर का ओवरऑल ड्रेन करंट को मापा जा सकता है।

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पीएमओएस ट्रांजिस्टर का ओवरऑल ड्रेन करंट फॉर्मूला

​जानापीएमओएस ट्रांजिस्टर के ट्रायोड क्षेत्र में ड्रेन करेंट FORMULA

​जानादिए गए पीएमओएस ट्रांजिस्टर के ट्रायोड क्षेत्र में ड्रेन करेंट वीएसडी FORMULA

पीएमओएस ट्रांजिस्टर का ओवरऑल ड्रेन करंट उदाहरण

पीएमओएस ट्रांजिस्टर का ओवरऑल ड्रेन करंट समाधान

पीएमओएस ट्रांजिस्टर का ओवरऑल ड्रेन करंट FORMULA तत्वों

नाली वर्तमान खोजने के लिए अन्य सूत्र

पी चैनल संवर्द्धन श्रेणी में अन्य सूत्र

पीएमओएस ट्रांजिस्टर का ओवरऑल ड्रेन करंट का मूल्यांकन कैसे करें?

FAQs पर पीएमओएस ट्रांजिस्टर का ओवरऑल ड्रेन करंट

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