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प्रतिरोध में बदलाव फॉर्मूला

Fx प्रतिलिपि
LaTeX प्रतिलिपि
प्रतिरोध परिवर्तन से तात्पर्य आपतित प्रकाश की तीव्रता में परिवर्तन के कारण विद्युत प्रतिरोध में होने वाले परिवर्तन से है। FAQs जांचें
ΔR=ΔH⋅ΔS
ΔR - प्रतिरोध परिवर्तन?ΔH - विकिरण परिवर्तन?ΔS - फोटोरेज़िस्टिव ट्रांसड्यूसर संवेदनशीलता?

प्रतिरोध में बदलाव उदाहरण

मूल्यों के साथ
इकाइयों के साथ
केवल उदाहरण

प्रतिरोध में बदलाव समीकरण मूल्यों के साथ जैसा दिखता है।

प्रतिरोध में बदलाव समीकरण इकाइयों के साथ जैसा दिखता है।

प्रतिरोध में बदलाव समीकरण जैसा दिखता है।

34.8Edit=30Edit⋅1.16Edit
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HomeIcon घर » Category अभियांत्रिकी » Category इलेक्ट्रॉनिक्स और इंस्ट्रूमेंटेशन » Category ट्रांसड्यूसर » fx प्रतिरोध में बदलाव

प्रतिरोध में बदलाव समाधान

प्रतिरोध में बदलाव की गणना कैसे करें, इसके लिए हमारे चरण-दर-चरण समाधान का पालन करें।

पहला कदम सूत्र पर विचार करें
ΔR=ΔH⋅ΔS
अगला कदम चरों के प्रतिस्थापन मान
∴ ΔR=30W/m²⋅1.16
अगला कदम मूल्यांकन के लिए तैयार रहें
∴ ΔR=30⋅1.16
अंतिम चरण मूल्यांकन करना
∴ΔR=34.8Ω

प्रतिरोध में बदलाव FORMULA तत्वों

चर
प्रतिरोध परिवर्तन
प्रतिरोध परिवर्तन से तात्पर्य आपतित प्रकाश की तीव्रता में परिवर्तन के कारण विद्युत प्रतिरोध में होने वाले परिवर्तन से है।
प्रतीक: ΔR
माप: विद्युत प्रतिरोधइकाई: Ω
टिप्पणी: मान 0 से अधिक होना चाहिए.
प्रतिरोध परिवर्तन खोजने के लिए सूत्रOpen Variable
विकिरण परिवर्तन
विकिरण परिवर्तन को प्रति इकाई क्षेत्र में सतह द्वारा प्राप्त विकिरण प्रवाह (शक्ति) के रूप में परिभाषित किया जाता है।
प्रतीक: ΔH
माप: विकिरणइकाई: W/m²
टिप्पणी: मान 0 से अधिक होना चाहिए.
विकिरण परिवर्तन खोजने के लिए सूत्रOpen Variable
फोटोरेज़िस्टिव ट्रांसड्यूसर संवेदनशीलता
प्रकाश प्रतिरोधक ट्रांसड्यूसर संवेदनशीलता वह डिग्री है जिस तक प्रकाश की तीव्रता में परिवर्तन के प्रति उसका प्रतिरोध बदलता है।
प्रतीक: ΔS
माप: NAइकाई: Unitless
टिप्पणी: मान 0 से अधिक होना चाहिए.
फोटोरेज़िस्टिव ट्रांसड्यूसर संवेदनशीलता खोजने के लिए सूत्रOpen Variable

ट्रांसड्यूसर श्रेणी में अन्य सूत्र

​जाना फोटोरेसिस्टिव ट्रांसड्यूसर की संवेदनशीलता
ΔS=ΔRΔH
​जाना वर्तमान जनरेटर क्षमता
Cg=Ct+Camp+Ccable
​जाना ट्रांसड्यूसर की क्षमता
Ct=Cg-(Camp+Ccable)
​जाना केबल की क्षमता
Ccable=Cg-(Ct+Camp)

प्रतिरोध में बदलाव का मूल्यांकन कैसे करें?

प्रतिरोध में बदलाव मूल्यांकनकर्ता प्रतिरोध परिवर्तन, प्रतिरोध में परिवर्तन सूत्र को विकिरण या प्रकाश की तीव्रता में परिवर्तन के कारण फोटोरेसिस्टिव ट्रांसड्यूसर में देखे गए विद्युत प्रतिरोध में परिवर्तन के रूप में परिभाषित किया गया है। यह विकिरण परिवर्तन की परिमाण और उन परिवर्तनों के प्रति ट्रांसड्यूसर की संवेदनशीलता दोनों द्वारा निर्धारित किया जाता है। का मूल्यांकन करने के लिए Resistance Change = विकिरण परिवर्तन*फोटोरेज़िस्टिव ट्रांसड्यूसर संवेदनशीलता का उपयोग करता है। प्रतिरोध परिवर्तन को ΔR प्रतीक द्वारा दर्शाया जाता है।

इस ऑनलाइन मूल्यांकनकर्ता का उपयोग करके प्रतिरोध में बदलाव का मूल्यांकन कैसे करें? प्रतिरोध में बदलाव के लिए इस ऑनलाइन मूल्यांकनकर्ता का उपयोग करने के लिए, विकिरण परिवर्तन (ΔH) & फोटोरेज़िस्टिव ट्रांसड्यूसर संवेदनशीलता (ΔS) दर्ज करें और गणना बटन दबाएं।

FAQs पर प्रतिरोध में बदलाव

प्रतिरोध में बदलाव ज्ञात करने का सूत्र क्या है?
प्रतिरोध में बदलाव का सूत्र Resistance Change = विकिरण परिवर्तन*फोटोरेज़िस्टिव ट्रांसड्यूसर संवेदनशीलता के रूप में व्यक्त किया जाता है। यहाँ एक उदाहरण दिया गया है- 3.6 = 30*1.16.
प्रतिरोध में बदलाव की गणना कैसे करें?
विकिरण परिवर्तन (ΔH) & फोटोरेज़िस्टिव ट्रांसड्यूसर संवेदनशीलता (ΔS) के साथ हम प्रतिरोध में बदलाव को सूत्र - Resistance Change = विकिरण परिवर्तन*फोटोरेज़िस्टिव ट्रांसड्यूसर संवेदनशीलता का उपयोग करके पा सकते हैं।
क्या प्रतिरोध में बदलाव ऋणात्मक हो सकता है?
{हां या नहीं}, विद्युत प्रतिरोध में मापा गया प्रतिरोध में बदलाव ऋणात्मक {हो सकता है या नहीं हो सकता}।
प्रतिरोध में बदलाव को मापने के लिए किस इकाई का उपयोग किया जाता है?
प्रतिरोध में बदलाव को आम तौर पर विद्युत प्रतिरोध के लिए ओम[Ω] का उपयोग करके मापा जाता है। प्रयुत ओम[Ω], माइक्रोह्म[Ω], वोल्ट प्रति एम्पीयर[Ω] कुछ अन्य इकाइयाँ हैं जिनमें प्रतिरोध में बदलाव को मापा जा सकता है।
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