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ड्रेन वीएलएसआई के साथ पीएन जंक्शन डिप्लेशन गहराई फॉर्मूला

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ड्रेन के साथ पीएन जंक्शन रिक्तीकरण गहराई को ड्रेन टर्मिनल के निकट अर्धचालक सामग्री में क्षय क्षेत्र के विस्तार के रूप में परिभाषित किया गया है। FAQs जांचें

x dD = \sqrt{(\frac{2 \cdot [Permitivity-silicon] \cdot [Permitivity-vacuum]}{[Charge-e] \cdot N A}) \cdot (Ø 0 + V ds)}

x_dD - पीएन जंक्शन नाली के साथ कमी गहराई?N_A - स्वीकर्ता एकाग्रता?Ø₀ - जंक्शन अंतर्निर्मित वोल्टेज?V_ds - स्रोत क्षमता के लिए नाली?[Permitivity-silicon] - सिलिकॉन की पारगम्यता?[Permitivity-vacuum] - निर्वात की पारगम्यता?[Charge-e] - इलेक्ट्रॉन का आवेश?

ड्रेन वीएलएसआई के साथ पीएन जंक्शन डिप्लेशन गहराई उदाहरण

मूल्यों के साथ

इकाइयों के साथ

केवल उदाहरण

ड्रेन वीएलएसआई के साथ पीएन जंक्शन डिप्लेशन गहराई समीकरण मूल्यों के साथ जैसा दिखता है।

ड्रेन वीएलएसआई के साथ पीएन जंक्शन डिप्लेशन गहराई समीकरण इकाइयों के साथ जैसा दिखता है।

ड्रेन वीएलएसआई के साथ पीएन जंक्शन डिप्लेशन गहराई समीकरण जैसा दिखता है।

0.5345 = \sqrt{(\frac{2 \cdot 11.7 \cdot 8.9E-12}{1.6E-19 \cdot 1E+16}) \cdot (0.76 + 1.45)}

0.5345μm = \sqrt{(\frac{2 \cdot 11.7 \cdot 8.9E-12F/m}{1.6E-19C \cdot 1E+161/cm³}) \cdot (0.76V + 1.45V)}

0.5345 = \sqrt{(\frac{2 \cdot 11.7 \cdot 8.9E-12}{1.6E-19 \cdot 1E+16}) \cdot (0.76 + 1.45)}

बख्शीश: इनपुट मान और इकाइयों को संपादित करने के लिए ऊपर दिए गए पेंसिल ( Pencil

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वीएलएसआई निर्माण » fx ड्रेन वीएलएसआई के साथ पीएन जंक्शन डिप्लेशन गहराई

ड्रेन वीएलएसआई के साथ पीएन जंक्शन डिप्लेशन गहराई समाधान

ड्रेन वीएलएसआई के साथ पीएन जंक्शन डिप्लेशन गहराई की गणना कैसे करें, इसके लिए हमारे चरण-दर-चरण समाधान का पालन करें।

पहला कदम सूत्र पर विचार करें

x dD = \sqrt{(\frac{2 \cdot [Permitivity-silicon] \cdot [Permitivity-vacuum]}{[Charge-e] \cdot N A}) \cdot (Ø 0 + V ds)}

अगला कदम चरों के प्रतिस्थापन मान

∴

x dD = \sqrt{(\frac{2 \cdot [Permitivity-silicon] \cdot [Permitivity-vacuum]}{[Charge-e] \cdot 1E+161/cm³}) \cdot (0.76V + 1.45V)}

अगला कदम स्थिरांकों के प्रतिस्थापन मान

∴

x dD = \sqrt{(\frac{2 \cdot 11.7 \cdot 8.9E-12F/m}{1.6E-19C \cdot 1E+161/cm³}) \cdot (0.76V + 1.45V)}

अगला कदम इकाइयों को परिवर्तित करें

∴

x dD = \sqrt{(\frac{2 \cdot 11.7 \cdot 8.9E-12F/m}{1.6E-19C \cdot 1E+221/m³}) \cdot (0.76V + 1.45V)}

अगला कदम मूल्यांकन के लिए तैयार रहें

∴

x dD = \sqrt{(\frac{2 \cdot 11.7 \cdot 8.9E-12}{1.6E-19 \cdot 1E+22}) \cdot (0.76 + 1.45)}

अगला कदम मूल्यांकन करना

∴

x dD = 5.34466520692296E-07m

अगला कदम आउटपुट की इकाई में परिवर्तित करें

∴

x dD = 0.534466520692296μm

अंतिम चरण उत्तर को गोल करना

∴

x dD = 0.5345μm

ड्रेन वीएलएसआई के साथ पीएन जंक्शन डिप्लेशन गहराई FORMULA तत्वों

चर

स्थिरांक

कार्य

पीएन जंक्शन नाली के साथ कमी गहराई

ड्रेन के साथ पीएन जंक्शन रिक्तीकरण गहराई को ड्रेन टर्मिनल के निकट अर्धचालक सामग्री में क्षय क्षेत्र के विस्तार के रूप में परिभाषित किया गया है।

प्रतीक: x_dD

माप: लंबाईइकाई: μm

टिप्पणी: मान 0 से अधिक होना चाहिए.

पीएन जंक्शन नाली के साथ कमी गहराई खोजने के लिए सूत्र

स्वीकर्ता एकाग्रता

स्वीकर्ता एकाग्रता एक अर्धचालक सामग्री में स्वीकर्ता डोपेंट परमाणुओं की एकाग्रता को संदर्भित करती है।

प्रतीक: N_A

माप: वाहक एकाग्रताइकाई: 1/cm³

टिप्पणी: मान 0 से अधिक होना चाहिए.

स्वीकर्ता एकाग्रता खोजने के लिए सूत्र

जंक्शन अंतर्निर्मित वोल्टेज

जंक्शन बिल्ट-इन वोल्टेज को उस वोल्टेज के रूप में परिभाषित किया जाता है जो थर्मल संतुलन में अर्धचालक जंक्शन पर मौजूद होता है, जहां कोई बाहरी वोल्टेज लागू नहीं होता है।

प्रतीक: Ø₀

माप: विद्युतीय संभाव्यताइकाई: V

टिप्पणी: मान 0 से अधिक होना चाहिए.

जंक्शन अंतर्निर्मित वोल्टेज खोजने के लिए सूत्र

स्रोत क्षमता के लिए नाली

नाली से स्रोत तक की क्षमता नाली और स्रोत के बीच की क्षमता है।

प्रतीक: V_ds

माप: विद्युतीय संभाव्यताइकाई: V

टिप्पणी: मान 0 से अधिक होना चाहिए.

स्रोत क्षमता के लिए नाली खोजने के लिए सूत्र

सिलिकॉन की पारगम्यता

सिलिकॉन की पारगम्यता विद्युत क्षेत्र में विद्युत ऊर्जा को संग्रहीत करने की क्षमता को मापती है, जो अर्धचालक प्रौद्योगिकी में महत्वपूर्ण है।

प्रतीक: [Permitivity-silicon]

कीमत: 11.7

निर्वात की पारगम्यता

निर्वात की पारगम्यता एक मौलिक भौतिक स्थिरांक है जो विद्युत क्षेत्र रेखाओं के संचरण की अनुमति देने के लिए निर्वात की क्षमता का वर्णन करता है।

प्रतीक: [Permitivity-vacuum]

कीमत: 8.85E-12 F/m

इलेक्ट्रॉन का आवेश

इलेक्ट्रॉन का आवेश एक मौलिक भौतिक स्थिरांक है, जो एक इलेक्ट्रॉन द्वारा किए गए विद्युत आवेश का प्रतिनिधित्व करता है, जो एक नकारात्मक विद्युत आवेश वाला प्राथमिक कण है।

प्रतीक: [Charge-e]

कीमत: 1.60217662E-19 C

sqrt

वर्गमूल फ़ंक्शन एक ऐसा फ़ंक्शन है जो एक गैर-ऋणात्मक संख्या को इनपुट के रूप में लेता है और दी गई इनपुट संख्या का वर्गमूल लौटाता है।

वाक्य - विन्यास: sqrt(Number)

वीएलएसआई सामग्री अनुकूलन श्रेणी में अन्य सूत्र

जाना शारीरिक प्रभाव गुणांक

γ = mod \underset{̲}{u} s (\frac{V t - V t0}{\sqrt{Φ s + (V sb)} - \sqrt{Φ s}})

जाना चैनल चार्ज

Q ch = C g \cdot (V gc - V t)

जाना गंभीर वोल्टेज

V x = E x \cdot E ch

जाना डीआईबीएल गुणांक

η = \frac{V t0 - V t}{V ds}

और देखें

ड्रेन वीएलएसआई के साथ पीएन जंक्शन डिप्लेशन गहराई का मूल्यांकन कैसे करें?

ड्रेन वीएलएसआई के साथ पीएन जंक्शन डिप्लेशन गहराई मूल्यांकनकर्ता पीएन जंक्शन नाली के साथ कमी गहराई, ड्रेन वीएलएसआई फॉर्मूला के साथ पीएन जंक्शन रिक्तीकरण गहराई को ड्रेन टर्मिनल के पास अर्धचालक सामग्री में कमी क्षेत्र के विस्तार के रूप में परिभाषित किया गया है। का मूल्यांकन करने के लिए P-n Junction Depletion Depth with Drain = sqrt(((2*[Permitivity-silicon]*[Permitivity-vacuum])/([Charge-e]*स्वीकर्ता एकाग्रता))*(जंक्शन अंतर्निर्मित वोल्टेज+स्रोत क्षमता के लिए नाली)) का उपयोग करता है। पीएन जंक्शन नाली के साथ कमी गहराई को x_dD प्रतीक द्वारा दर्शाया जाता है।

इस ऑनलाइन मूल्यांकनकर्ता का उपयोग करके ड्रेन वीएलएसआई के साथ पीएन जंक्शन डिप्लेशन गहराई का मूल्यांकन कैसे करें? ड्रेन वीएलएसआई के साथ पीएन जंक्शन डिप्लेशन गहराई के लिए इस ऑनलाइन मूल्यांकनकर्ता का उपयोग करने के लिए, स्वीकर्ता एकाग्रता (N_A), जंक्शन अंतर्निर्मित वोल्टेज (Ø₀) & स्रोत क्षमता के लिए नाली (V_ds) दर्ज करें और गणना बटन दबाएं।

FAQs पर ड्रेन वीएलएसआई के साथ पीएन जंक्शन डिप्लेशन गहराई

ड्रेन वीएलएसआई के साथ पीएन जंक्शन डिप्लेशन गहराई ज्ञात करने का सूत्र क्या है?

ड्रेन वीएलएसआई के साथ पीएन जंक्शन डिप्लेशन गहराई का सूत्र P-n Junction Depletion Depth with Drain = sqrt(((2*[Permitivity-silicon]*[Permitivity-vacuum])/([Charge-e]*स्वीकर्ता एकाग्रता))*(जंक्शन अंतर्निर्मित वोल्टेज+स्रोत क्षमता के लिए नाली)) के रूप में व्यक्त किया जाता है। यहाँ एक उदाहरण दिया गया है- 534466.5 = sqrt(((2*[Permitivity-silicon]*[Permitivity-vacuum])/([Charge-e]*1E+22))*(0.76+1.45)).

ड्रेन वीएलएसआई के साथ पीएन जंक्शन डिप्लेशन गहराई की गणना कैसे करें?

स्वीकर्ता एकाग्रता (N_A), जंक्शन अंतर्निर्मित वोल्टेज (Ø₀) & स्रोत क्षमता के लिए नाली (V_ds) के साथ हम ड्रेन वीएलएसआई के साथ पीएन जंक्शन डिप्लेशन गहराई को सूत्र - P-n Junction Depletion Depth with Drain = sqrt(((2*[Permitivity-silicon]*[Permitivity-vacuum])/([Charge-e]*स्वीकर्ता एकाग्रता))*(जंक्शन अंतर्निर्मित वोल्टेज+स्रोत क्षमता के लिए नाली)) का उपयोग करके पा सकते हैं। यह सूत्र सिलिकॉन की पारगम्यता, निर्वात की पारगम्यता, इलेक्ट्रॉन का आवेश स्थिरांक और वर्गमूल (sqrt) फ़ंक्शन का भी उपयोग करता है.

क्या ड्रेन वीएलएसआई के साथ पीएन जंक्शन डिप्लेशन गहराई ऋणात्मक हो सकता है?

{हां या नहीं}, लंबाई में मापा गया ड्रेन वीएलएसआई के साथ पीएन जंक्शन डिप्लेशन गहराई ऋणात्मक {हो सकता है या नहीं हो सकता}।

ड्रेन वीएलएसआई के साथ पीएन जंक्शन डिप्लेशन गहराई को मापने के लिए किस इकाई का उपयोग किया जाता है?

ड्रेन वीएलएसआई के साथ पीएन जंक्शन डिप्लेशन गहराई को आम तौर पर लंबाई के लिए माइक्रोमीटर[μm] का उपयोग करके मापा जाता है। मीटर[μm], मिलीमीटर[μm], किलोमीटर[μm] कुछ अन्य इकाइयाँ हैं जिनमें ड्रेन वीएलएसआई के साथ पीएन जंक्शन डिप्लेशन गहराई को मापा जा सकता है।

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ड्रेन वीएलएसआई के साथ पीएन जंक्शन डिप्लेशन गहराई फॉर्मूला

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FAQs पर ड्रेन वीएलएसआई के साथ पीएन जंक्शन डिप्लेशन गहराई

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