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ड्रेन करंट दिए गए डिवाइस पैरामीटर फॉर्मूला

Fx प्रतिलिपि

LaTeX प्रतिलिपि

थ्रेशोल्ड वोल्टेज के नीचे ड्रेन करंट को सबथ्रेशोल्ड करंट के रूप में परिभाषित किया गया है और गेट से सोर्स वोल्टेज के साथ घातीय रूप से भिन्न होता है। FAQs जांचें

I d = \frac{1}{2} \cdot G m \cdot WL \cdot {(V ov - V th)}^{2} \cdot (1 + V A \cdot V DS)

I_d - नाली वर्तमान?G_m - transconductance?WL - आस्पेक्ट अनुपात?V_ov - प्रभावी वोल्टेज?V_th - सीमा वोल्टेज?V_A - डिवाइस पैरामीटर?V_DS - नाली और स्रोत के बीच वोल्टेज?

ड्रेन करंट दिए गए डिवाइस पैरामीटर उदाहरण

मूल्यों के साथ

इकाइयों के साथ

केवल उदाहरण

ड्रेन करंट दिए गए डिवाइस पैरामीटर समीकरण मूल्यों के साथ जैसा दिखता है।

ड्रेन करंट दिए गए डिवाइस पैरामीटर समीकरण इकाइयों के साथ जैसा दिखता है।

ड्रेन करंट दिए गए डिवाइस पैरामीटर समीकरण जैसा दिखता है।

3366.1289 = \frac{1}{2} \cdot 1.72 \cdot 8.75 \cdot {(25 - 5.5)}^{2} \cdot (1 + 0.024 \cdot 7.35)

3366.1289mA = \frac{1}{2} \cdot 1.72mS \cdot 8.75 \cdot {(25V - 5.5V)}^{2} \cdot (1 + 0.024 \cdot 7.35V)

3366.1289 = \frac{1}{2} \cdot 1.72 \cdot 8.75 \cdot {(25 - 5.5)}^{2} \cdot (1 + 0.024 \cdot 7.35)

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ड्रेन करंट दिए गए डिवाइस पैरामीटर समाधान

ड्रेन करंट दिए गए डिवाइस पैरामीटर की गणना कैसे करें, इसके लिए हमारे चरण-दर-चरण समाधान का पालन करें।

पहला कदम सूत्र पर विचार करें

I d = \frac{1}{2} \cdot G m \cdot WL \cdot {(V ov - V th)}^{2} \cdot (1 + V A \cdot V DS)

अगला कदम चरों के प्रतिस्थापन मान

∴

I d = \frac{1}{2} \cdot 1.72mS \cdot 8.75 \cdot {(25V - 5.5V)}^{2} \cdot (1 + 0.024 \cdot 7.35V)

अगला कदम इकाइयों को परिवर्तित करें

∴

I d = \frac{1}{2} \cdot 0.0017S \cdot 8.75 \cdot {(25V - 5.5V)}^{2} \cdot (1 + 0.024 \cdot 7.35V)

अगला कदम मूल्यांकन के लिए तैयार रहें

∴

I d = \frac{1}{2} \cdot 0.0017 \cdot 8.75 \cdot {(25 - 5.5)}^{2} \cdot (1 + 0.024 \cdot 7.35)

अगला कदम मूल्यांकन करना

∴

I d = 3.3661289025A

अगला कदम आउटपुट की इकाई में परिवर्तित करें

∴

I d = 3366.1289025mA

अंतिम चरण उत्तर को गोल करना

∴

I d = 3366.1289mA

ड्रेन करंट दिए गए डिवाइस पैरामीटर FORMULA तत्वों

चर

नाली वर्तमान

थ्रेशोल्ड वोल्टेज के नीचे ड्रेन करंट को सबथ्रेशोल्ड करंट के रूप में परिभाषित किया गया है और गेट से सोर्स वोल्टेज के साथ घातीय रूप से भिन्न होता है।

प्रतीक: I_d

माप: विद्युत प्रवाहइकाई: mA

टिप्पणी: मूल्य सकारात्मक या नकारात्मक हो सकता है.

नाली वर्तमान खोजने के लिए सूत्र

transconductance

ट्रांसकंडक्शन आउटपुट टर्मिनल पर करंट में बदलाव का अनुपात है जो एक सक्रिय डिवाइस के इनपुट टर्मिनल पर वोल्टेज में बदलाव का अनुपात है।

प्रतीक: G_m

माप: विद्युत चालनइकाई: mS

टिप्पणी: मूल्य सकारात्मक या नकारात्मक हो सकता है.

transconductance खोजने के लिए सूत्र

आस्पेक्ट अनुपात

पहलू अनुपात चैनल की लंबाई के लिए चैनल की चौड़ाई का अनुपात है।

प्रतीक: WL

माप: NAइकाई: Unitless

टिप्पणी: मूल्य सकारात्मक या नकारात्मक हो सकता है.

आस्पेक्ट अनुपात खोजने के लिए सूत्र

प्रभावी वोल्टेज

प्रभावी वोल्टेज या ओवरड्राइव वोल्टेज थर्मल वोल्टेज से अधिक ऑक्साइड के वोल्टेज से अधिक होता है।

प्रतीक: V_ov

माप: विद्युतीय संभाव्यताइकाई: V

टिप्पणी: मूल्य सकारात्मक या नकारात्मक हो सकता है.

प्रभावी वोल्टेज खोजने के लिए सूत्र

सीमा वोल्टेज

ट्रांजिस्टर का थ्रेशोल्ड वोल्टेज स्रोत वोल्टेज का न्यूनतम गेट है जो स्रोत और नाली टर्मिनलों के बीच एक संचालन पथ बनाने के लिए आवश्यक है।

प्रतीक: V_th

माप: विद्युतीय संभाव्यताइकाई: V

टिप्पणी: मान 0 से अधिक होना चाहिए.

सीमा वोल्टेज खोजने के लिए सूत्र

डिवाइस पैरामीटर

डिवाइस पैरामीटर BJT से संबंधित गणना में प्रयुक्त पैरामीटर है।

प्रतीक: V_A

माप: NAइकाई: Unitless

टिप्पणी: मूल्य सकारात्मक या नकारात्मक हो सकता है.

डिवाइस पैरामीटर खोजने के लिए सूत्र

नाली और स्रोत के बीच वोल्टेज

नाली और स्रोत के बीच वोल्टेज नाली और स्रोत के बीच सकारात्मक वोल्टेज लगाया जाता है, जिससे एक चैनल प्रेरित होता है।

प्रतीक: V_DS

माप: विद्युतीय संभाव्यताइकाई: V

टिप्पणी: मूल्य सकारात्मक या नकारात्मक हो सकता है.

नाली और स्रोत के बीच वोल्टेज खोजने के लिए सूत्र

बेस करंट श्रेणी में अन्य सूत्र

जाना BJT का बेस करंट 1

I B = \frac{I c}{β}

जाना BJT का बेस करंट 2

I B = (\frac{I sat}{β}) \cdot (e^{\frac{V BE}{V t}})

और देखें

ड्रेन करंट दिए गए डिवाइस पैरामीटर का मूल्यांकन कैसे करें?

ड्रेन करंट दिए गए डिवाइस पैरामीटर मूल्यांकनकर्ता नाली वर्तमान, ड्रेन करंट दिया गया डिवाइस पैरामीटर तब होता है जब MOSFET का उपयोग एम्पलीफायर को डिजाइन करने के लिए किया जाता है, यह संतृप्ति क्षेत्र में संचालित होता है। संतृप्ति में ड्रेन करंट लगातार V . द्वारा निर्धारित किया जाता है का मूल्यांकन करने के लिए Drain Current = 1/2*transconductance*आस्पेक्ट अनुपात*(प्रभावी वोल्टेज-सीमा वोल्टेज)^2*(1+डिवाइस पैरामीटर*नाली और स्रोत के बीच वोल्टेज) का उपयोग करता है। नाली वर्तमान को I_d प्रतीक द्वारा दर्शाया जाता है।

इस ऑनलाइन मूल्यांकनकर्ता का उपयोग करके ड्रेन करंट दिए गए डिवाइस पैरामीटर का मूल्यांकन कैसे करें? ड्रेन करंट दिए गए डिवाइस पैरामीटर के लिए इस ऑनलाइन मूल्यांकनकर्ता का उपयोग करने के लिए, transconductance (G_m), आस्पेक्ट अनुपात (WL), प्रभावी वोल्टेज (V_ov), सीमा वोल्टेज (V_th), डिवाइस पैरामीटर (V_A) & नाली और स्रोत के बीच वोल्टेज (V_DS) दर्ज करें और गणना बटन दबाएं।

FAQs पर ड्रेन करंट दिए गए डिवाइस पैरामीटर

ड्रेन करंट दिए गए डिवाइस पैरामीटर ज्ञात करने का सूत्र क्या है?

ड्रेन करंट दिए गए डिवाइस पैरामीटर का सूत्र Drain Current = 1/2*transconductance*आस्पेक्ट अनुपात*(प्रभावी वोल्टेज-सीमा वोल्टेज)^2*(1+डिवाइस पैरामीटर*नाली और स्रोत के बीच वोल्टेज) के रूप में व्यक्त किया जाता है। यहाँ एक उदाहरण दिया गया है- 3.4E+6 = 1/2*0.00172*8.75*(25-5.5)^2*(1+0.024*7.35).

ड्रेन करंट दिए गए डिवाइस पैरामीटर की गणना कैसे करें?

transconductance (G_m), आस्पेक्ट अनुपात (WL), प्रभावी वोल्टेज (V_ov), सीमा वोल्टेज (V_th), डिवाइस पैरामीटर (V_A) & नाली और स्रोत के बीच वोल्टेज (V_DS) के साथ हम ड्रेन करंट दिए गए डिवाइस पैरामीटर को सूत्र - Drain Current = 1/2*transconductance*आस्पेक्ट अनुपात*(प्रभावी वोल्टेज-सीमा वोल्टेज)^2*(1+डिवाइस पैरामीटर*नाली और स्रोत के बीच वोल्टेज) का उपयोग करके पा सकते हैं।

क्या ड्रेन करंट दिए गए डिवाइस पैरामीटर ऋणात्मक हो सकता है?

{हां या नहीं}, विद्युत प्रवाह में मापा गया ड्रेन करंट दिए गए डिवाइस पैरामीटर ऋणात्मक {हो सकता है या नहीं हो सकता}।

ड्रेन करंट दिए गए डिवाइस पैरामीटर को मापने के लिए किस इकाई का उपयोग किया जाता है?

ड्रेन करंट दिए गए डिवाइस पैरामीटर को आम तौर पर विद्युत प्रवाह के लिए मिलीएम्पियर[mA] का उपयोग करके मापा जाता है। एम्पेयर[mA], माइक्रोएम्पीयर[mA], सेंटियमपीयर[mA] कुछ अन्य इकाइयाँ हैं जिनमें ड्रेन करंट दिए गए डिवाइस पैरामीटर को मापा जा सकता है।

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