जंक्शन अंतर्निर्मित वोल्टेज वीएलएसआई फॉर्मूला

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जंक्शन बिल्ट-इन वोल्टेज को उस वोल्टेज के रूप में परिभाषित किया जाता है जो थर्मल संतुलन में अर्धचालक जंक्शन पर मौजूद होता है, जहां कोई बाहरी वोल्टेज लागू नहीं होता है। FAQs जांचें
Ø0=([BoltZ]T[Charge-e])ln(NAND(Ni)2)
Ø0 - जंक्शन अंतर्निर्मित वोल्टेज?T - तापमान?NA - स्वीकर्ता एकाग्रता?ND - दाता एकाग्रता?Ni - आंतरिक एकाग्रता?[BoltZ] - बोल्ट्ज़मान स्थिरांक?[Charge-e] - इलेक्ट्रॉन का आवेश?

जंक्शन अंतर्निर्मित वोल्टेज वीएलएसआई उदाहरण

मूल्यों के साथ
इकाइयों के साथ
केवल उदाहरण

जंक्शन अंतर्निर्मित वोल्टेज वीएलएसआई समीकरण मूल्यों के साथ जैसा दिखता है।

जंक्शन अंतर्निर्मित वोल्टेज वीएलएसआई समीकरण इकाइयों के साथ जैसा दिखता है।

जंक्शन अंतर्निर्मित वोल्टेज वीएलएसआई समीकरण जैसा दिखता है।

0.7546Edit=(1.4E-23300Edit1.6E-19)ln(1E+16Edit1E+17Edit(1.5E+10Edit)2)
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जंक्शन अंतर्निर्मित वोल्टेज वीएलएसआई समाधान

जंक्शन अंतर्निर्मित वोल्टेज वीएलएसआई की गणना कैसे करें, इसके लिए हमारे चरण-दर-चरण समाधान का पालन करें।

पहला कदम सूत्र पर विचार करें
Ø0=([BoltZ]T[Charge-e])ln(NAND(Ni)2)
अगला कदम चरों के प्रतिस्थापन मान
Ø0=([BoltZ]300K[Charge-e])ln(1E+161/cm³1E+171/cm³(1.5E+101/cm³)2)
अगला कदम स्थिरांकों के प्रतिस्थापन मान
Ø0=(1.4E-23J/K300K1.6E-19C)ln(1E+161/cm³1E+171/cm³(1.5E+101/cm³)2)
अगला कदम इकाइयों को परिवर्तित करें
Ø0=(1.4E-23J/K300K1.6E-19C)ln(1E+221/m³1E+231/m³(1.5E+161/m³)2)
अगला कदम मूल्यांकन के लिए तैयार रहें
Ø0=(1.4E-233001.6E-19)ln(1E+221E+23(1.5E+16)2)
अगला कदम मूल्यांकन करना
Ø0=0.75463200359389V
अंतिम चरण उत्तर को गोल करना
Ø0=0.7546V

जंक्शन अंतर्निर्मित वोल्टेज वीएलएसआई FORMULA तत्वों

चर
स्थिरांक
कार्य
जंक्शन अंतर्निर्मित वोल्टेज
जंक्शन बिल्ट-इन वोल्टेज को उस वोल्टेज के रूप में परिभाषित किया जाता है जो थर्मल संतुलन में अर्धचालक जंक्शन पर मौजूद होता है, जहां कोई बाहरी वोल्टेज लागू नहीं होता है।
प्रतीक: Ø0
माप: विद्युतीय संभाव्यताइकाई: V
टिप्पणी: मान 0 से अधिक होना चाहिए.
तापमान
तापमान दर्शाता है कि कोई वस्तु या वातावरण कितना गर्म या ठंडा है।
प्रतीक: T
माप: तापमानइकाई: K
टिप्पणी: मूल्य सकारात्मक या नकारात्मक हो सकता है.
स्वीकर्ता एकाग्रता
स्वीकर्ता एकाग्रता एक अर्धचालक सामग्री में स्वीकर्ता डोपेंट परमाणुओं की एकाग्रता को संदर्भित करती है।
प्रतीक: NA
माप: वाहक एकाग्रताइकाई: 1/cm³
टिप्पणी: मान 0 से अधिक होना चाहिए.
दाता एकाग्रता
दाता एकाग्रता से तात्पर्य मुक्त इलेक्ट्रॉनों की संख्या बढ़ाने के लिए अर्धचालक सामग्री में पेश किए गए दाता डोपेंट परमाणुओं की एकाग्रता से है।
प्रतीक: ND
माप: वाहक एकाग्रताइकाई: 1/cm³
टिप्पणी: मान 0 से अधिक होना चाहिए.
आंतरिक एकाग्रता
आंतरिक एकाग्रता थर्मल संतुलन पर एक आंतरिक अर्धचालक में चार्ज वाहक (इलेक्ट्रॉन और छेद) की एकाग्रता को संदर्भित करती है।
प्रतीक: Ni
माप: वाहक एकाग्रताइकाई: 1/cm³
टिप्पणी: मान 0 से अधिक होना चाहिए.
बोल्ट्ज़मान स्थिरांक
बोल्ट्ज़मैन स्थिरांक गैस में कणों की औसत गतिज ऊर्जा को गैस के तापमान से जोड़ता है और सांख्यिकीय यांत्रिकी और थर्मोडायनामिक्स में एक मौलिक स्थिरांक है।
प्रतीक: [BoltZ]
कीमत: 1.38064852E-23 J/K
इलेक्ट्रॉन का आवेश
इलेक्ट्रॉन का आवेश एक मौलिक भौतिक स्थिरांक है, जो एक इलेक्ट्रॉन द्वारा किए गए विद्युत आवेश का प्रतिनिधित्व करता है, जो एक नकारात्मक विद्युत आवेश वाला प्राथमिक कण है।
प्रतीक: [Charge-e]
कीमत: 1.60217662E-19 C
ln
प्राकृतिक लघुगणक, जिसे आधार e का लघुगणक भी कहा जाता है, प्राकृतिक घातांकीय फलन का व्युत्क्रम फलन है।
वाक्य - विन्यास: ln(Number)

वीएलएसआई सामग्री अनुकूलन श्रेणी में अन्य सूत्र

​जाना शारीरिक प्रभाव गुणांक
γ=modu̲s(Vt-Vt0Φs+(Vsb)-Φs)
​जाना चैनल चार्ज
Qch=Cg(Vgc-Vt)
​जाना गंभीर वोल्टेज
Vx=ExEch
​जाना डीआईबीएल गुणांक
η=Vt0-VtVds

जंक्शन अंतर्निर्मित वोल्टेज वीएलएसआई का मूल्यांकन कैसे करें?

जंक्शन अंतर्निर्मित वोल्टेज वीएलएसआई मूल्यांकनकर्ता जंक्शन अंतर्निर्मित वोल्टेज, जंक्शन बिल्ट-इन वोल्टेज वीएलएसआई फॉर्मूला को उस वोल्टेज के रूप में परिभाषित किया गया है जो थर्मल संतुलन में अर्धचालक जंक्शन पर मौजूद है, जहां कोई बाहरी वोल्टेज लागू नहीं होता है। का मूल्यांकन करने के लिए Junction Built-in Voltage = ([BoltZ]*तापमान/[Charge-e])*ln(स्वीकर्ता एकाग्रता*दाता एकाग्रता/(आंतरिक एकाग्रता)^2) का उपयोग करता है। जंक्शन अंतर्निर्मित वोल्टेज को Ø0 प्रतीक द्वारा दर्शाया जाता है।

इस ऑनलाइन मूल्यांकनकर्ता का उपयोग करके जंक्शन अंतर्निर्मित वोल्टेज वीएलएसआई का मूल्यांकन कैसे करें? जंक्शन अंतर्निर्मित वोल्टेज वीएलएसआई के लिए इस ऑनलाइन मूल्यांकनकर्ता का उपयोग करने के लिए, तापमान (T), स्वीकर्ता एकाग्रता (NA), दाता एकाग्रता (ND) & आंतरिक एकाग्रता (Ni) दर्ज करें और गणना बटन दबाएं।

FAQs पर जंक्शन अंतर्निर्मित वोल्टेज वीएलएसआई

जंक्शन अंतर्निर्मित वोल्टेज वीएलएसआई ज्ञात करने का सूत्र क्या है?
जंक्शन अंतर्निर्मित वोल्टेज वीएलएसआई का सूत्र Junction Built-in Voltage = ([BoltZ]*तापमान/[Charge-e])*ln(स्वीकर्ता एकाग्रता*दाता एकाग्रता/(आंतरिक एकाग्रता)^2) के रूप में व्यक्त किया जाता है। यहाँ एक उदाहरण दिया गया है- 0.754632 = ([BoltZ]*300/[Charge-e])*ln(1E+22*1E+23/(1.45E+16)^2).
जंक्शन अंतर्निर्मित वोल्टेज वीएलएसआई की गणना कैसे करें?
तापमान (T), स्वीकर्ता एकाग्रता (NA), दाता एकाग्रता (ND) & आंतरिक एकाग्रता (Ni) के साथ हम जंक्शन अंतर्निर्मित वोल्टेज वीएलएसआई को सूत्र - Junction Built-in Voltage = ([BoltZ]*तापमान/[Charge-e])*ln(स्वीकर्ता एकाग्रता*दाता एकाग्रता/(आंतरिक एकाग्रता)^2) का उपयोग करके पा सकते हैं। यह सूत्र बोल्ट्ज़मान स्थिरांक, इलेक्ट्रॉन का आवेश स्थिरांक और प्राकृतिक लघुगणक (ln) फ़ंक्शन का भी उपयोग करता है.
क्या जंक्शन अंतर्निर्मित वोल्टेज वीएलएसआई ऋणात्मक हो सकता है?
{हां या नहीं}, विद्युतीय संभाव्यता में मापा गया जंक्शन अंतर्निर्मित वोल्टेज वीएलएसआई ऋणात्मक {हो सकता है या नहीं हो सकता}।
जंक्शन अंतर्निर्मित वोल्टेज वीएलएसआई को मापने के लिए किस इकाई का उपयोग किया जाता है?
जंक्शन अंतर्निर्मित वोल्टेज वीएलएसआई को आम तौर पर विद्युतीय संभाव्यता के लिए वोल्ट[V] का उपयोग करके मापा जाता है। millivolt[V], माइक्रोवोल्ट[V], नैनोवोल्ट[V] कुछ अन्य इकाइयाँ हैं जिनमें जंक्शन अंतर्निर्मित वोल्टेज वीएलएसआई को मापा जा सकता है।
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