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गेट टू सोर्स वोल्टेज का उपयोग करके MOSFET के चैनल का संचालन फॉर्मूला

जानाMOSFET के रैखिक प्रतिरोध में आचरण FORMULA

Fx प्रतिलिपि

LaTeX प्रतिलिपि

चैनल के प्रवाहकत्त्व को आम तौर पर चैनल के माध्यम से गुजरने वाले मौजूदा वोल्टेज के अनुपात के रूप में परिभाषित किया जाता है। FAQs जांचें

G = μ s \cdot C ox \cdot \frac{W c}{L} \cdot (V gs - V th)

G - चैनल का संचालन?μ_s - चैनल की सतह पर इलेक्ट्रॉनों की गतिशीलता?C_ox - ऑक्साइड धारिता?W_c - चैनल की चौड़ाई?L - चैनल की लंबाई?V_gs - गेट-स्रोत वोल्टेज?V_th - सीमा वोल्टेज?

गेट टू सोर्स वोल्टेज का उपयोग करके MOSFET के चैनल का संचालन उदाहरण

मूल्यों के साथ

इकाइयों के साथ

केवल उदाहरण

गेट टू सोर्स वोल्टेज का उपयोग करके MOSFET के चैनल का संचालन समीकरण मूल्यों के साथ जैसा दिखता है।

गेट टू सोर्स वोल्टेज का उपयोग करके MOSFET के चैनल का संचालन समीकरण इकाइयों के साथ जैसा दिखता है।

गेट टू सोर्स वोल्टेज का उपयोग करके MOSFET के चैनल का संचालन समीकरण जैसा दिखता है।

6.0724 = 38 \cdot 940 \cdot \frac{10}{100} \cdot (4 - 2.3)

6.0724mS = 38m²/V*s \cdot 940μF \cdot \frac{10μm}{100μm} \cdot (4V - 2.3V)

6.0724 = 38 \cdot 940 \cdot \frac{10}{100} \cdot (4 - 2.3)

बख्शीश: इनपुट मान और इकाइयों को संपादित करने के लिए ऊपर दिए गए पेंसिल ( Pencil

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गेट टू सोर्स वोल्टेज का उपयोग करके MOSFET के चैनल का संचालन समाधान

गेट टू सोर्स वोल्टेज का उपयोग करके MOSFET के चैनल का संचालन की गणना कैसे करें, इसके लिए हमारे चरण-दर-चरण समाधान का पालन करें।

पहला कदम सूत्र पर विचार करें

G = μ s \cdot C ox \cdot \frac{W c}{L} \cdot (V gs - V th)

अगला कदम चरों के प्रतिस्थापन मान

∴

G = 38m²/V*s \cdot 940μF \cdot \frac{10μm}{100μm} \cdot (4V - 2.3V)

अगला कदम इकाइयों को परिवर्तित करें

∴

G = 38m²/V*s \cdot 0.0009F \cdot \frac{1E-5m}{0.0001m} \cdot (4V - 2.3V)

अगला कदम मूल्यांकन के लिए तैयार रहें

∴

G = 38 \cdot 0.0009 \cdot \frac{1E-5}{0.0001} \cdot (4 - 2.3)

अगला कदम मूल्यांकन करना

∴

G = 0.0060724S

अंतिम चरण आउटपुट की इकाई में परिवर्तित करें

∴

G = 6.0724mS

गेट टू सोर्स वोल्टेज का उपयोग करके MOSFET के चैनल का संचालन FORMULA तत्वों

चर

चैनल का संचालन

चैनल के प्रवाहकत्त्व को आम तौर पर चैनल के माध्यम से गुजरने वाले मौजूदा वोल्टेज के अनुपात के रूप में परिभाषित किया जाता है।

प्रतीक: G

माप: विद्युत चालनइकाई: mS

टिप्पणी: मूल्य सकारात्मक या नकारात्मक हो सकता है.

चैनल का संचालन खोजने के लिए सूत्र

चैनल की सतह पर इलेक्ट्रॉनों की गतिशीलता

चैनल की सतह पर इलेक्ट्रॉनों की गतिशीलता अर्धचालक सामग्री की सतह के माध्यम से स्थानांतरित होने या यात्रा करने की इलेक्ट्रॉनों की क्षमता को संदर्भित करती है, जैसे ट्रांजिस्टर में सिलिकॉन चैनल।

प्रतीक: μ_s

माप: गतिशीलताइकाई: m²/V*s