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गेट टू ड्रेन पोटेंशियल फॉर्मूला

Fx प्रतिलिपि
LaTeX प्रतिलिपि
गेट टू ड्रेन पोटेंशियल को MOSFETs के गेट और ड्रेन जंक्शन पर वोल्टेज के रूप में परिभाषित किया गया है। FAQs जांचें
Vgd=2⋅Vgc-Vgs
Vgd - गेट टू ड्रेन पोटेंशियल?Vgc - गेट टू चैनल वोल्टेज?Vgs - स्रोत क्षमता का द्वार?

गेट टू ड्रेन पोटेंशियल उदाहरण

मूल्यों के साथ
इकाइयों के साथ
केवल उदाहरण

गेट टू ड्रेन पोटेंशियल समीकरण मूल्यों के साथ जैसा दिखता है।

गेट टू ड्रेन पोटेंशियल समीकरण इकाइयों के साथ जैसा दिखता है।

गेट टू ड्रेन पोटेंशियल समीकरण जैसा दिखता है।

9.022Edit=2⋅7.011Edit-5Edit
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HomeIcon घर » Category अभियांत्रिकी » Category इलेक्ट्रानिक्स » Category वीएलएसआई निर्माण » fx गेट टू ड्रेन पोटेंशियल

गेट टू ड्रेन पोटेंशियल समाधान

गेट टू ड्रेन पोटेंशियल की गणना कैसे करें, इसके लिए हमारे चरण-दर-चरण समाधान का पालन करें।

पहला कदम सूत्र पर विचार करें
Vgd=2⋅Vgc-Vgs
अगला कदम चरों के प्रतिस्थापन मान
∴ Vgd=2⋅7.011V-5V
अगला कदम मूल्यांकन के लिए तैयार रहें
∴ Vgd=2⋅7.011-5
अंतिम चरण मूल्यांकन करना
∴Vgd=9.022V

गेट टू ड्रेन पोटेंशियल FORMULA तत्वों

चर
गेट टू ड्रेन पोटेंशियल
गेट टू ड्रेन पोटेंशियल को MOSFETs के गेट और ड्रेन जंक्शन पर वोल्टेज के रूप में परिभाषित किया गया है।
प्रतीक: Vgd
माप: विद्युतीय संभाव्यताइकाई: V
टिप्पणी: मान 0 से अधिक होना चाहिए.
गेट टू ड्रेन पोटेंशियल खोजने के लिए सूत्रOpen Variable
गेट टू चैनल वोल्टेज
गेट टू चैनल वोल्टेज को इस प्रकार परिभाषित किया जाता है कि जब गेट वोल्टेज थ्रेशोल्ड वोल्टेज के आसपास होता है तो ड्रेन-सोर्स ऑन-स्टेट प्रतिरोध रेटेड मूल्य से बड़ा होता है।
प्रतीक: Vgc
माप: विद्युतीय संभाव्यताइकाई: V
टिप्पणी: मान 0 से अधिक होना चाहिए.
गेट टू चैनल वोल्टेज खोजने के लिए सूत्रOpen Variable
स्रोत क्षमता का द्वार
गेट टू सोर्स पोटेंशियल गेट और एमिटर के बीच वोल्टेज है।
प्रतीक: Vgs
माप: विद्युतीय संभाव्यताइकाई: V
टिप्पणी: मान 0 से अधिक होना चाहिए.
स्रोत क्षमता का द्वार खोजने के लिए सूत्रOpen Variable

एनालॉग वीएलएसआई डिज़ाइन श्रेणी में अन्य सूत्र

​जाना नाली का वोल्टेज
Vbc=Pdf⋅C
​जाना गेट टू बेस कैपेसिटेंस
Cgb=Cg-(Cgs+Cgd)
​जाना गेट टू चैनल वोल्ट
Vgc=(QchCg)+Vt
​जाना गेट टू कलेक्टर पोटेंशियल
Vgc=Vgs+Vgd2

गेट टू ड्रेन पोटेंशियल का मूल्यांकन कैसे करें?

गेट टू ड्रेन पोटेंशियल मूल्यांकनकर्ता गेट टू ड्रेन पोटेंशियल, गेट टू ड्रेन पोटेंशियल फॉर्मूला को MOSFETs के गेट और ड्रेन जंक्शन पर वोल्टेज के रूप में परिभाषित किया गया है। का मूल्यांकन करने के लिए Gate to Drain Potential = 2*गेट टू चैनल वोल्टेज-स्रोत क्षमता का द्वार का उपयोग करता है। गेट टू ड्रेन पोटेंशियल को Vgd प्रतीक द्वारा दर्शाया जाता है।

इस ऑनलाइन मूल्यांकनकर्ता का उपयोग करके गेट टू ड्रेन पोटेंशियल का मूल्यांकन कैसे करें? गेट टू ड्रेन पोटेंशियल के लिए इस ऑनलाइन मूल्यांकनकर्ता का उपयोग करने के लिए, गेट टू चैनल वोल्टेज (Vgc) & स्रोत क्षमता का द्वार (Vgs) दर्ज करें और गणना बटन दबाएं।

FAQs पर गेट टू ड्रेन पोटेंशियल

गेट टू ड्रेन पोटेंशियल ज्ञात करने का सूत्र क्या है?
गेट टू ड्रेन पोटेंशियल का सूत्र Gate to Drain Potential = 2*गेट टू चैनल वोल्टेज-स्रोत क्षमता का द्वार के रूप में व्यक्त किया जाता है। यहाँ एक उदाहरण दिया गया है- 9.02 = 2*7.011-5.
गेट टू ड्रेन पोटेंशियल की गणना कैसे करें?
गेट टू चैनल वोल्टेज (Vgc) & स्रोत क्षमता का द्वार (Vgs) के साथ हम गेट टू ड्रेन पोटेंशियल को सूत्र - Gate to Drain Potential = 2*गेट टू चैनल वोल्टेज-स्रोत क्षमता का द्वार का उपयोग करके पा सकते हैं।
क्या गेट टू ड्रेन पोटेंशियल ऋणात्मक हो सकता है?
{हां या नहीं}, विद्युतीय संभाव्यता में मापा गया गेट टू ड्रेन पोटेंशियल ऋणात्मक {हो सकता है या नहीं हो सकता}।
गेट टू ड्रेन पोटेंशियल को मापने के लिए किस इकाई का उपयोग किया जाता है?
गेट टू ड्रेन पोटेंशियल को आम तौर पर विद्युतीय संभाव्यता के लिए वोल्ट[V] का उपयोग करके मापा जाता है। millivolt[V], माइक्रोवोल्ट[V], नैनोवोल्ट[V] कुछ अन्य इकाइयाँ हैं जिनमें गेट टू ड्रेन पोटेंशियल को मापा जा सकता है।
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