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ओवरड्राइव वोल्टेज का उपयोग कर एमओएसएफईटी का डीसी बायस करंट फॉर्मूला

जानाइनपुट बायस करंट FORMULA

जानाMOSFET का DC बायस करंट FORMULA

Fx प्रतिलिपि

LaTeX प्रतिलिपि

डीसी बायस करंट वह स्थिर धारा है जो एक सर्किट या डिवाइस के माध्यम से एक निश्चित ऑपरेटिंग पॉइंट या बायस पॉइंट स्थापित करने के लिए बहती है। FAQs जांचें

I b = \frac{1}{2} \cdot k n \cdot {V eff}^{2}

I_b - डीसी बायस करंट?k_n - ट्रांसकंडक्शन पैरामीटर?V_eff - प्रभावी वोल्टेज?

ओवरड्राइव वोल्टेज का उपयोग कर एमओएसएफईटी का डीसी बायस करंट उदाहरण

मूल्यों के साथ

इकाइयों के साथ

केवल उदाहरण

ओवरड्राइव वोल्टेज का उपयोग कर एमओएसएफईटी का डीसी बायस करंट समीकरण मूल्यों के साथ जैसा दिखता है।

ओवरड्राइव वोल्टेज का उपयोग कर एमओएसएफईटी का डीसी बायस करंट समीकरण इकाइयों के साथ जैसा दिखता है।

ओवरड्राइव वोल्टेज का उपयोग कर एमओएसएफईटी का डीसी बायस करंट समीकरण जैसा दिखता है।

15172.5 = \frac{1}{2} \cdot 10.5 \cdot {1.7}^{2}

15172.5mA = \frac{1}{2} \cdot 10.5A/V² \cdot {1.7V}^{2}

15172.5 = \frac{1}{2} \cdot 10.5 \cdot {1.7}^{2}

बख्शीश: इनपुट मान और इकाइयों को संपादित करने के लिए ऊपर दिए गए पेंसिल ( Pencil

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ओवरड्राइव वोल्टेज का उपयोग कर एमओएसएफईटी का डीसी बायस करंट समाधान

ओवरड्राइव वोल्टेज का उपयोग कर एमओएसएफईटी का डीसी बायस करंट की गणना कैसे करें, इसके लिए हमारे चरण-दर-चरण समाधान का पालन करें।

पहला कदम सूत्र पर विचार करें

I b = \frac{1}{2} \cdot k n \cdot {V eff}^{2}

अगला कदम चरों के प्रतिस्थापन मान

∴

I b = \frac{1}{2} \cdot 10.5A/V² \cdot {1.7V}^{2}

अगला कदम मूल्यांकन के लिए तैयार रहें

∴

I b = \frac{1}{2} \cdot 10.5 \cdot {1.7}^{2}

अगला कदम मूल्यांकन करना

∴

I b = 15.1725A

अंतिम चरण आउटपुट की इकाई में परिवर्तित करें

∴

I b = 15172.5mA

ओवरड्राइव वोल्टेज का उपयोग कर एमओएसएफईटी का डीसी बायस करंट FORMULA तत्वों

चर

डीसी बायस करंट

डीसी बायस करंट वह स्थिर धारा है जो एक सर्किट या डिवाइस के माध्यम से एक निश्चित ऑपरेटिंग पॉइंट या बायस पॉइंट स्थापित करने के लिए बहती है।

प्रतीक: I_b

माप: विद्युत प्रवाहइकाई: mA

टिप्पणी: मान 0 से अधिक होना चाहिए.

डीसी बायस करंट खोजने के लिए सूत्र

ट्रांसकंडक्शन पैरामीटर

ट्रांसकंडक्शन पैरामीटर इलेक्ट्रॉनिक उपकरणों और सर्किट में एक महत्वपूर्ण पैरामीटर है, जो वोल्टेज और करंट के बीच इनपुट-आउटपुट संबंध का वर्णन और मात्रा निर्धारित करने में मदद करता है।

प्रतीक: k_n

माप: ट्रांसकंडक्शन पैरामीटरइकाई: A/V²

टिप्पणी: मूल्य सकारात्मक या नकारात्मक हो सकता है.

ट्रांसकंडक्शन पैरामीटर खोजने के लिए सूत्र

प्रभावी वोल्टेज

MOSFET (मेटल-ऑक्साइड-सेमीकंडक्टर फील्ड-इफेक्ट ट्रांजिस्टर) में प्रभावी वोल्टेज वह वोल्टेज है जो डिवाइस के व्यवहार को निर्धारित करता है। इसे गेट-सोर्स वोल्टेज के रूप में भी जाना जाता है।

प्रतीक: V_eff

माप: विद्युतीय संभाव्यताइकाई: V

टिप्पणी: मान 0 से अधिक होना चाहिए.

प्रभावी वोल्टेज खोजने के लिए सूत्र

डीसी बायस करंट खोजने के लिए अन्य सूत्र

जाना इनपुट बायस करंट

I b = \frac{I b1 + I b2}{2}

जाना MOSFET का DC बायस करंट

I b = \frac{1}{2} \cdot k n \cdot {(V gs - V th)}^{2}

जाना डिफरेंशियल पेयर में बायस करंट

I b = I d1 + I d2

बयाझिंग श्रेणी में अन्य सूत्र

जाना ड्रेन पर डीसी बायस आउटपुट वोल्टेज

V out = V dd - R L \cdot I b

जाना MOSFET का पूर्वाग्रह वोल्टेज

V be = V bias + V de

जाना MOSFET का बेस करंट

I base = \frac{V bb - V be}{R b}

जाना कलेक्टर एमिटर वोल्टेज

V ce = V cc - R c \cdot I c

और देखें

ओवरड्राइव वोल्टेज का उपयोग कर एमओएसएफईटी का डीसी बायस करंट का मूल्यांकन कैसे करें?

ओवरड्राइव वोल्टेज का उपयोग कर एमओएसएफईटी का डीसी बायस करंट मूल्यांकनकर्ता डीसी बायस करंट, डीसी ड्रेन करंट और ड्रेन-टू-सोर्स वोल्टेज द्वारा ओवरड्राइव वोल्टेज का उपयोग करके MOSFET का डीसी बायस करंट और यह हमेशा लोड लाइन पर होता है। यह वोल्टेज की मात्रा है जो एक इलेक्ट्रॉनिक उपकरण को डीसी बायसिंग स्थिति में चाहिए, जहां एक अतिरिक्त भार जोड़ा जाता है और जंक्शन पर वोल्टेज को बायसिंग के प्रकार के अनुसार दिया जाता है। का मूल्यांकन करने के लिए DC Bias Current = 1/2*ट्रांसकंडक्शन पैरामीटर*प्रभावी वोल्टेज^2 का उपयोग करता है। डीसी बायस करंट को I_b प्रतीक द्वारा दर्शाया जाता है।

इस ऑनलाइन मूल्यांकनकर्ता का उपयोग करके ओवरड्राइव वोल्टेज का उपयोग कर एमओएसएफईटी का डीसी बायस करंट का मूल्यांकन कैसे करें? ओवरड्राइव वोल्टेज का उपयोग कर एमओएसएफईटी का डीसी बायस करंट के लिए इस ऑनलाइन मूल्यांकनकर्ता का उपयोग करने के लिए, ट्रांसकंडक्शन पैरामीटर (k_n) & प्रभावी वोल्टेज (V_eff) दर्ज करें और गणना बटन दबाएं।

FAQs पर ओवरड्राइव वोल्टेज का उपयोग कर एमओएसएफईटी का डीसी बायस करंट

ओवरड्राइव वोल्टेज का उपयोग कर एमओएसएफईटी का डीसी बायस करंट ज्ञात करने का सूत्र क्या है?

ओवरड्राइव वोल्टेज का उपयोग कर एमओएसएफईटी का डीसी बायस करंट का सूत्र DC Bias Current = 1/2*ट्रांसकंडक्शन पैरामीटर*प्रभावी वोल्टेज^2 के रूप में व्यक्त किया जाता है। यहाँ एक उदाहरण दिया गया है- 1.5E+7 = 1/2*10.5*1.7^2.

ओवरड्राइव वोल्टेज का उपयोग कर एमओएसएफईटी का डीसी बायस करंट की गणना कैसे करें?

ट्रांसकंडक्शन पैरामीटर (k_n) & प्रभावी वोल्टेज (V_eff) के साथ हम ओवरड्राइव वोल्टेज का उपयोग कर एमओएसएफईटी का डीसी बायस करंट को सूत्र - DC Bias Current = 1/2*ट्रांसकंडक्शन पैरामीटर*प्रभावी वोल्टेज^2 का उपयोग करके पा सकते हैं।

डीसी बायस करंट की गणना करने के अन्य तरीके क्या हैं?

डीसी बायस करंट-

DC Bias Current=(Input Bias Current 1+Input Bias Current 2)/2
DC Bias Current=1/2*Transconductance Parameter*(Gate-Source Voltage-Threshold Voltage)^2
DC Bias Current=Drain Current 1+Drain Current 2

की गणना करने के विभिन्न तरीके यहां दिए गए हैं

क्या ओवरड्राइव वोल्टेज का उपयोग कर एमओएसएफईटी का डीसी बायस करंट ऋणात्मक हो सकता है?

{हां या नहीं}, विद्युत प्रवाह में मापा गया ओवरड्राइव वोल्टेज का उपयोग कर एमओएसएफईटी का डीसी बायस करंट ऋणात्मक {हो सकता है या नहीं हो सकता}।

ओवरड्राइव वोल्टेज का उपयोग कर एमओएसएफईटी का डीसी बायस करंट को मापने के लिए किस इकाई का उपयोग किया जाता है?

ओवरड्राइव वोल्टेज का उपयोग कर एमओएसएफईटी का डीसी बायस करंट को आम तौर पर विद्युत प्रवाह के लिए मिलीएम्पियर[mA] का उपयोग करके मापा जाता है। एम्पेयर[mA], माइक्रोएम्पीयर[mA], सेंटियमपीयर[mA] कुछ अन्य इकाइयाँ हैं जिनमें ओवरड्राइव वोल्टेज का उपयोग कर एमओएसएफईटी का डीसी बायस करंट को मापा जा सकता है।

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