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ऑन-स्टेट में आईजीबीटी में वोल्टेज में गिरावट फॉर्मूला

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LaTeX प्रतिलिपि
वोल्टेज ड्रॉप ऑन स्टेज (IGBT) कलेक्टर और एमिटर टर्मिनल के बीच वोल्टेज का अंतर है जब IGBT चालू होता है। यह डिवाइस में अर्धचालक पदार्थ है। FAQs जांचें
VON(igbt)=if(igbt)⋅Rch(igbt)+if(igbt)⋅Rd(igbt)+Vj1(igbt)
VON(igbt) - वोल्टेज ड्रॉप ऑन स्टेज (आईजीबीटी)?if(igbt) - फॉरवर्ड करंट (आईजीबीटी)?Rch(igbt) - एन चैनल प्रतिरोध (आईजीबीटी)?Rd(igbt) - बहाव प्रतिरोध (आईजीबीटी)?Vj1(igbt) - वोल्टेज पीएन जंक्शन 1 (आईजीबीटी)?

ऑन-स्टेट में आईजीबीटी में वोल्टेज में गिरावट उदाहरण

मूल्यों के साथ
इकाइयों के साथ
केवल उदाहरण

ऑन-स्टेट में आईजीबीटी में वोल्टेज में गिरावट समीकरण मूल्यों के साथ जैसा दिखता है।

ऑन-स्टेट में आईजीबीटी में वोल्टेज में गिरावट समीकरण इकाइयों के साथ जैसा दिखता है।

ऑन-स्टेट में आईजीबीटी में वोल्टेज में गिरावट समीकरण जैसा दिखता है।

20.2533Edit=1.69Edit⋅10.59Edit+1.69Edit⋅0.98Edit+0.7Edit
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ऑन-स्टेट में आईजीबीटी में वोल्टेज में गिरावट समाधान

ऑन-स्टेट में आईजीबीटी में वोल्टेज में गिरावट की गणना कैसे करें, इसके लिए हमारे चरण-दर-चरण समाधान का पालन करें।

पहला कदम सूत्र पर विचार करें
VON(igbt)=if(igbt)⋅Rch(igbt)+if(igbt)⋅Rd(igbt)+Vj1(igbt)
अगला कदम चरों के प्रतिस्थापन मान
∴ VON(igbt)=1.69mA⋅10.59kΩ+1.69mA⋅0.98kΩ+0.7V
अगला कदम इकाइयों को परिवर्तित करें
∴ VON(igbt)=0.0017A⋅10590Ω+0.0017A⋅980Ω+0.7V
अगला कदम मूल्यांकन के लिए तैयार रहें
∴ VON(igbt)=0.0017⋅10590+0.0017⋅980+0.7
अंतिम चरण मूल्यांकन करना
∴VON(igbt)=20.2533V

ऑन-स्टेट में आईजीबीटी में वोल्टेज में गिरावट FORMULA तत्वों

चर
वोल्टेज ड्रॉप ऑन स्टेज (आईजीबीटी)
वोल्टेज ड्रॉप ऑन स्टेज (IGBT) कलेक्टर और एमिटर टर्मिनल के बीच वोल्टेज का अंतर है जब IGBT चालू होता है। यह डिवाइस में अर्धचालक पदार्थ है।
प्रतीक: VON(igbt)
माप: विद्युतीय संभाव्यताइकाई: V
टिप्पणी: मान 0 से अधिक होना चाहिए.
वोल्टेज ड्रॉप ऑन स्टेज (आईजीबीटी) खोजने के लिए सूत्रOpen Variable
फॉरवर्ड करंट (आईजीबीटी)
फॉरवर्ड करंट (IGBT) वह अधिकतम करंट है जो डिवाइस के चालू होने पर उसमें प्रवाहित हो सकता है।
प्रतीक: if(igbt)
माप: विद्युत प्रवाहइकाई: mA
टिप्पणी: मान 0 से अधिक होना चाहिए.
फॉरवर्ड करंट (आईजीबीटी) खोजने के लिए सूत्रOpen Variable
एन चैनल प्रतिरोध (आईजीबीटी)
एन चैनल प्रतिरोध (आईजीबीटी) डिवाइस में अर्धचालक सामग्री का प्रतिरोध है जब आईजीबीटी चालू होता है।
प्रतीक: Rch(igbt)
माप: विद्युत प्रतिरोधइकाई: kΩ
टिप्पणी: मान 0 से अधिक होना चाहिए.
एन चैनल प्रतिरोध (आईजीबीटी) खोजने के लिए सूत्रOpen Variable
बहाव प्रतिरोध (आईजीबीटी)
ड्रिफ्ट रेजिस्टेंस (IGBT) डिवाइस में सेमीकंडक्टर सामग्री का N-ड्रिफ्ट क्षेत्र है। N-ड्रिफ्ट क्षेत्र एक मोटा डोप्ड सिलिकॉन है जो कलेक्टर को P-बेस क्षेत्र से अलग करता है।
प्रतीक: Rd(igbt)
माप: विद्युत प्रतिरोधइकाई: kΩ
टिप्पणी: मान 0 से अधिक होना चाहिए.
बहाव प्रतिरोध (आईजीबीटी) खोजने के लिए सूत्रOpen Variable
वोल्टेज पीएन जंक्शन 1 (आईजीबीटी)
वोल्टेज Pn जंक्शन 1 (IGBT) जंक्शन पर मौजूद संभावित अवरोध के कारण होता है। यह संभावित अवरोध जंक्शन पर आवेश वाहकों के प्रसार द्वारा निर्मित होता है।
प्रतीक: Vj1(igbt)
माप: विद्युतीय संभाव्यताइकाई: V
टिप्पणी: मान 0 से अधिक होना चाहिए.
वोल्टेज पीएन जंक्शन 1 (आईजीबीटी) खोजने के लिए सूत्रOpen Variable

आईजीबीटी श्रेणी में अन्य सूत्र

​जाना आईजीबीटी बंद करने का समय
Toff(igbt)=Tdl(igbt)+tf1(igbt)+tf2(igbt)
​जाना आईजीबीटी का उत्सर्जक धारा
Ie(igbt)=Ih(igbt)+ie(igbt)
​जाना आईजीबीटी की इनपुट कैपेसिटेंस
Cin(igbt)=C(g-e)(igbt)+C(g-c)(igbt)
​जाना आईजीबीटी का नाममात्र सतत कलेक्टर वर्तमान
if(igbt)=-Vce(igbt)+(Vce(igbt))2+4⋅Rce(igbt)⋅(Tjmax(igbt)-Tc(igbt)Rth(jc)(igbt))2⋅Rce(igbt)

ऑन-स्टेट में आईजीबीटी में वोल्टेज में गिरावट का मूल्यांकन कैसे करें?

ऑन-स्टेट में आईजीबीटी में वोल्टेज में गिरावट मूल्यांकनकर्ता वोल्टेज ड्रॉप ऑन स्टेज (आईजीबीटी), ऑन-स्टेट में आईजीबीटी में वोल्टेज ड्रॉप डिवाइस में सेमीकंडक्टर सामग्री के प्रतिरोध के साथ-साथ बॉन्ड तारों और अन्य आंतरिक कनेक्शन के प्रतिरोध के कारण होता है। आईजीबीटी ऑन-स्टेट में वोल्टेज ड्रॉप को कम ऑन-स्टेट प्रतिरोध वाले बड़े उपकरण का उपयोग करके कम किया जा सकता है। वोल्टेज ड्रॉप को कम करने का दूसरा तरीका डिवाइस के माध्यम से बहने वाले करंट को कम करना है। का मूल्यांकन करने के लिए Voltage Drop ON Stage (IGBT) = फॉरवर्ड करंट (आईजीबीटी)*एन चैनल प्रतिरोध (आईजीबीटी)+फॉरवर्ड करंट (आईजीबीटी)*बहाव प्रतिरोध (आईजीबीटी)+वोल्टेज पीएन जंक्शन 1 (आईजीबीटी) का उपयोग करता है। वोल्टेज ड्रॉप ऑन स्टेज (आईजीबीटी) को VON(igbt) प्रतीक द्वारा दर्शाया जाता है।

इस ऑनलाइन मूल्यांकनकर्ता का उपयोग करके ऑन-स्टेट में आईजीबीटी में वोल्टेज में गिरावट का मूल्यांकन कैसे करें? ऑन-स्टेट में आईजीबीटी में वोल्टेज में गिरावट के लिए इस ऑनलाइन मूल्यांकनकर्ता का उपयोग करने के लिए, फॉरवर्ड करंट (आईजीबीटी) (if(igbt)), एन चैनल प्रतिरोध (आईजीबीटी) (Rch(igbt)), बहाव प्रतिरोध (आईजीबीटी) (Rd(igbt)) & वोल्टेज पीएन जंक्शन 1 (आईजीबीटी) (Vj1(igbt)) दर्ज करें और गणना बटन दबाएं।

FAQs पर ऑन-स्टेट में आईजीबीटी में वोल्टेज में गिरावट

ऑन-स्टेट में आईजीबीटी में वोल्टेज में गिरावट ज्ञात करने का सूत्र क्या है?
ऑन-स्टेट में आईजीबीटी में वोल्टेज में गिरावट का सूत्र Voltage Drop ON Stage (IGBT) = फॉरवर्ड करंट (आईजीबीटी)*एन चैनल प्रतिरोध (आईजीबीटी)+फॉरवर्ड करंट (आईजीबीटी)*बहाव प्रतिरोध (आईजीबीटी)+वोल्टेज पीएन जंक्शन 1 (आईजीबीटी) के रूप में व्यक्त किया जाता है। यहाँ एक उदाहरण दिया गया है- 18.59876 = 0.00169*10590+0.00169*0.98+0.7.
ऑन-स्टेट में आईजीबीटी में वोल्टेज में गिरावट की गणना कैसे करें?
फॉरवर्ड करंट (आईजीबीटी) (if(igbt)), एन चैनल प्रतिरोध (आईजीबीटी) (Rch(igbt)), बहाव प्रतिरोध (आईजीबीटी) (Rd(igbt)) & वोल्टेज पीएन जंक्शन 1 (आईजीबीटी) (Vj1(igbt)) के साथ हम ऑन-स्टेट में आईजीबीटी में वोल्टेज में गिरावट को सूत्र - Voltage Drop ON Stage (IGBT) = फॉरवर्ड करंट (आईजीबीटी)*एन चैनल प्रतिरोध (आईजीबीटी)+फॉरवर्ड करंट (आईजीबीटी)*बहाव प्रतिरोध (आईजीबीटी)+वोल्टेज पीएन जंक्शन 1 (आईजीबीटी) का उपयोग करके पा सकते हैं।
क्या ऑन-स्टेट में आईजीबीटी में वोल्टेज में गिरावट ऋणात्मक हो सकता है?
{हां या नहीं}, विद्युतीय संभाव्यता में मापा गया ऑन-स्टेट में आईजीबीटी में वोल्टेज में गिरावट ऋणात्मक {हो सकता है या नहीं हो सकता}।
ऑन-स्टेट में आईजीबीटी में वोल्टेज में गिरावट को मापने के लिए किस इकाई का उपयोग किया जाता है?
ऑन-स्टेट में आईजीबीटी में वोल्टेज में गिरावट को आम तौर पर विद्युतीय संभाव्यता के लिए वोल्ट[V] का उपयोग करके मापा जाता है। millivolt[V], माइक्रोवोल्ट[V], नैनोवोल्ट[V] कुछ अन्य इकाइयाँ हैं जिनमें ऑन-स्टेट में आईजीबीटी में वोल्टेज में गिरावट को मापा जा सकता है।
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