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एफईटी की गेट ड्रेन कैपेसिटेंस फॉर्मूला

Fx प्रतिलिपि

LaTeX प्रतिलिपि

गेट ड्रेन कैपेसिटेंस FET, FET के गेट और ड्रेन टर्मिनलों के बीच की कैपेसिटेंस है। यह गेट और ड्रेन क्षेत्रों के बीच ओवरलैप के कारण होता है। FAQs जांचें

C gd(fet) = \frac{T gd-off(fet)}{{(1 - \frac{V gd(fet)}{Ψ 0(fet)})}^{\frac{1}{3}}}

C_gd(fet) - गेट ड्रेन कैपेसिटेंस FET?T_gd-off(fet) - गेट ड्रेन कैपेसिटेंस ऑफ टाइम FET?V_gd(fet) - गेट टू ड्रेन वोल्टेज FET?Ψ_0(fet) - सतही विभव FET?

एफईटी की गेट ड्रेन कैपेसिटेंस उदाहरण

मूल्यों के साथ

इकाइयों के साथ

केवल उदाहरण

एफईटी की गेट ड्रेन कैपेसिटेंस समीकरण मूल्यों के साथ जैसा दिखता है।

एफईटी की गेट ड्रेन कैपेसिटेंस समीकरण इकाइयों के साथ जैसा दिखता है।

एफईटी की गेट ड्रेन कैपेसिटेंस समीकरण जैसा दिखता है।

6.4756 = \frac{6.47}{{(1 - \frac{0.0128}{4.976})}^{\frac{1}{3}}}

6.4756F = \frac{6.47s}{{(1 - \frac{0.0128V}{4.976V})}^{\frac{1}{3}}}

6.4756 = \frac{6.47}{{(1 - \frac{0.0128}{4.976})}^{\frac{1}{3}}}

बख्शीश: इनपुट मान और इकाइयों को संपादित करने के लिए ऊपर दिए गए पेंसिल ( Pencil

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एफईटी की गेट ड्रेन कैपेसिटेंस समाधान

एफईटी की गेट ड्रेन कैपेसिटेंस की गणना कैसे करें, इसके लिए हमारे चरण-दर-चरण समाधान का पालन करें।

पहला कदम सूत्र पर विचार करें

C gd(fet) = \frac{T gd-off(fet)}{{(1 - \frac{V gd(fet)}{Ψ 0(fet)})}^{\frac{1}{3}}}

अगला कदम चरों के प्रतिस्थापन मान

∴

C gd(fet) = \frac{6.47s}{{(1 - \frac{0.0128V}{4.976V})}^{\frac{1}{3}}}

अगला कदम मूल्यांकन के लिए तैयार रहें

∴

C gd(fet) = \frac{6.47}{{(1 - \frac{0.0128}{4.976})}^{\frac{1}{3}}}

अगला कदम मूल्यांकन करना

∴

C gd(fet) = 6.47555722841382F

अंतिम चरण उत्तर को गोल करना

∴

C gd(fet) = 6.4756F

एफईटी की गेट ड्रेन कैपेसिटेंस FORMULA तत्वों

चर

गेट ड्रेन कैपेसिटेंस FET

गेट ड्रेन कैपेसिटेंस FET, FET के गेट और ड्रेन टर्मिनलों के बीच की कैपेसिटेंस है। यह गेट और ड्रेन क्षेत्रों के बीच ओवरलैप के कारण होता है।

प्रतीक: C_gd(fet)

माप: समाईइकाई: F

टिप्पणी: मान 0 से अधिक होना चाहिए.

गेट ड्रेन कैपेसिटेंस FET खोजने के लिए सूत्र

गेट ड्रेन कैपेसिटेंस ऑफ टाइम FET

गेट ड्रेन कैपेसिटेंस ऑफ टाइम (FET) गेट-टू-ड्रेन कैपेसिटेंस के डिस्चार्ज होने की अवधि को दर्शाता है, जो इलेक्ट्रॉनिक सर्किट में स्विचिंग विशेषताओं और पावर दक्षता को प्रभावित करता है।

प्रतीक: T_gd-off(fet)

माप: समयइकाई: s

टिप्पणी: मान 0 से अधिक होना चाहिए.

गेट ड्रेन कैपेसिटेंस ऑफ टाइम FET खोजने के लिए सूत्र

गेट टू ड्रेन वोल्टेज FET

गेट टू ड्रेन वोल्टेज (FET) एक FET के गेट और ड्रेन टर्मिनलों के बीच वोल्टेज का अंतर है।

प्रतीक: V_gd(fet)

माप: विद्युतीय संभाव्यताइकाई: V

टिप्पणी: मूल्य सकारात्मक या नकारात्मक हो सकता है.

गेट टू ड्रेन वोल्टेज FET खोजने के लिए सूत्र

सतही विभव FET

सतही विभव (FET) अर्धचालक चैनल के सतही विभव के आधार पर कार्य करता है, तथा व्युत्क्रम परतें उत्पन्न किए बिना गेट वोल्टेज के माध्यम से धारा के प्रवाह को नियंत्रित करता है।

प्रतीक: Ψ_0(fet)

माप: विद्युतीय संभाव्यताइकाई: V

टिप्पणी: मान 0 से अधिक होना चाहिए.

सतही विभव FET खोजने के लिए सूत्र

एफईटी श्रेणी में अन्य सूत्र

जाना FET का वोल्टेज बंद करें

V off(fet) = V ds-off(fet) - V ds(fet)

जाना एफईटी का ड्रेन करंट

I d(fet) = I dss(fet) \cdot {(1 - \frac{V ds(fet)}{V cut-off(fet)})}^{2}

जाना एफईटी का ट्रांसकंडक्टेंस

G m(fet) = \frac{2 \cdot I dss(fet)}{V off(fet)} \cdot (1 - \frac{V ds(fet)}{V off(fet)})

जाना एफईटी का ड्रेन सोर्स वोल्टेज

V ds(fet) = V dd(fet) - I d(fet) \cdot (R d(fet) + R s(fet))

और देखें

एफईटी की गेट ड्रेन कैपेसिटेंस का मूल्यांकन कैसे करें?

एफईटी की गेट ड्रेन कैपेसिटेंस मूल्यांकनकर्ता गेट ड्रेन कैपेसिटेंस FET, FET की गेट ड्रेन कैपेसिटेंस FET के गेट और ड्रेन टर्मिनलों के बीच की कैपेसिटेंस है। यह गेट और ड्रेन क्षेत्रों के बीच ओवरलैप के कारण होता है जो एक परजीवी कैपेसिटेंस है जो एफईटी सर्किट के प्रदर्शन को प्रभावित कर सकता है। उच्च आउटपुट करंट वाले गेट ड्राइवर का उपयोग करें। इससे गेट कैपेसिटेंस को अधिक तेज़ी से चार्ज और डिस्चार्ज करने में मदद मिलेगी। सी का मूल्यांकन करने के लिए Gate Drain Capacitance FET = गेट ड्रेन कैपेसिटेंस ऑफ टाइम FET/(1-गेट टू ड्रेन वोल्टेज FET/सतही विभव FET)^(1/3) का उपयोग करता है। गेट ड्रेन कैपेसिटेंस FET को C_gd(fet) प्रतीक द्वारा दर्शाया जाता है।

इस ऑनलाइन मूल्यांकनकर्ता का उपयोग करके एफईटी की गेट ड्रेन कैपेसिटेंस का मूल्यांकन कैसे करें? एफईटी की गेट ड्रेन कैपेसिटेंस के लिए इस ऑनलाइन मूल्यांकनकर्ता का उपयोग करने के लिए, गेट ड्रेन कैपेसिटेंस ऑफ टाइम FET (T_gd-off(fet)), गेट टू ड्रेन वोल्टेज FET (V_gd(fet)) & सतही विभव FET (Ψ_0(fet)) दर्ज करें और गणना बटन दबाएं।

FAQs पर एफईटी की गेट ड्रेन कैपेसिटेंस

एफईटी की गेट ड्रेन कैपेसिटेंस ज्ञात करने का सूत्र क्या है?

एफईटी की गेट ड्रेन कैपेसिटेंस का सूत्र Gate Drain Capacitance FET = गेट ड्रेन कैपेसिटेंस ऑफ टाइम FET/(1-गेट टू ड्रेन वोल्टेज FET/सतही विभव FET)^(1/3) के रूप में व्यक्त किया जाता है। यहाँ एक उदाहरण दिया गया है- 6.475557 = 6.47/(1-0.0128/4.976)^(1/3).

एफईटी की गेट ड्रेन कैपेसिटेंस की गणना कैसे करें?

गेट ड्रेन कैपेसिटेंस ऑफ टाइम FET (T_gd-off(fet)), गेट टू ड्रेन वोल्टेज FET (V_gd(fet)) & सतही विभव FET (Ψ_0(fet)) के साथ हम एफईटी की गेट ड्रेन कैपेसिटेंस को सूत्र - Gate Drain Capacitance FET = गेट ड्रेन कैपेसिटेंस ऑफ टाइम FET/(1-गेट टू ड्रेन वोल्टेज FET/सतही विभव FET)^(1/3) का उपयोग करके पा सकते हैं।

क्या एफईटी की गेट ड्रेन कैपेसिटेंस ऋणात्मक हो सकता है?

{हां या नहीं}, समाई में मापा गया एफईटी की गेट ड्रेन कैपेसिटेंस ऋणात्मक {हो सकता है या नहीं हो सकता}।

एफईटी की गेट ड्रेन कैपेसिटेंस को मापने के लिए किस इकाई का उपयोग किया जाता है?

एफईटी की गेट ड्रेन कैपेसिटेंस को आम तौर पर समाई के लिए फैरड[F] का उपयोग करके मापा जाता है। किलोफ़ारैड[F], मिलिफाराडी[F], माइक्रोफ़ारड[F] कुछ अन्य इकाइयाँ हैं जिनमें एफईटी की गेट ड्रेन कैपेसिटेंस को मापा जा सकता है।

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एफईटी की गेट ड्रेन कैपेसिटेंस फॉर्मूला

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FAQs पर एफईटी की गेट ड्रेन कैपेसिटेंस

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