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एफईटी का ओमिक रीजन ड्रेन करंट फॉर्मूला

जानाएफईटी का ड्रेन करंट FORMULA

Fx प्रतिलिपि

LaTeX प्रतिलिपि

ड्रेन करंट FET वह करंट है जो FET के ड्रेन जंक्शन के माध्यम से प्रवाहित होता है। FAQs जांचें

I d(fet) = G o(fet) \cdot (V ds(fet) + \frac{3}{2} \cdot \frac{{(Ψ 0(fet) + V ds(fet) - V ds(fet))}^{\frac{3}{2}} - {(Ψ 0(fet) + V ds(fet))}^{\frac{3}{2}}}{{(Ψ 0(fet) + V off(fet))}^{\frac{1}{2}}})

I_d(fet) - ड्रेन करंट FET?G_o(fet) - चैनल चालकता FET?V_ds(fet) - नाली स्रोत वोल्टेज FET?Ψ_0(fet) - सतही विभव FET?V_off(fet) - पिंच ऑफ वोल्टेज?

एफईटी का ओमिक रीजन ड्रेन करंट उदाहरण

मूल्यों के साथ

इकाइयों के साथ

केवल उदाहरण

एफईटी का ओमिक रीजन ड्रेन करंट समीकरण मूल्यों के साथ जैसा दिखता है।

एफईटी का ओमिक रीजन ड्रेन करंट समीकरण इकाइयों के साथ जैसा दिखता है।

एफईटी का ओमिक रीजन ड्रेन करंट समीकरण जैसा दिखता है।

0.3055 = 0.24 \cdot (4.8 + \frac{3}{2} \cdot \frac{{(4.976 + 4.8 - 4.8)}^{\frac{3}{2}} - {(4.976 + 4.8)}^{\frac{3}{2}}}{{(4.976 + 63.56)}^{\frac{1}{2}}})

0.3055mA = 0.24mS \cdot (4.8V + \frac{3}{2} \cdot \frac{{(4.976V + 4.8V - 4.8V)}^{\frac{3}{2}} - {(4.976V + 4.8V)}^{\frac{3}{2}}}{{(4.976V + 63.56V)}^{\frac{1}{2}}})

0.3055 = 0.24 \cdot (4.8 + \frac{3}{2} \cdot \frac{{(4.976 + 4.8 - 4.8)}^{\frac{3}{2}} - {(4.976 + 4.8)}^{\frac{3}{2}}}{{(4.976 + 63.56)}^{\frac{1}{2}}})

बख्शीश: इनपुट मान और इकाइयों को संपादित करने के लिए ऊपर दिए गए पेंसिल ( Pencil

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गणना

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बिजली के इलेक्ट्रॉनिक्स » fx एफईटी का ओमिक रीजन ड्रेन करंट

एफईटी का ओमिक रीजन ड्रेन करंट समाधान

एफईटी का ओमिक रीजन ड्रेन करंट की गणना कैसे करें, इसके लिए हमारे चरण-दर-चरण समाधान का पालन करें।

पहला कदम सूत्र पर विचार करें

I d(fet) = G o(fet) \cdot (V ds(fet) + \frac{3}{2} \cdot \frac{{(Ψ 0(fet) + V ds(fet) - V ds(fet))}^{\frac{3}{2}} - {(Ψ 0(fet) + V ds(fet))}^{\frac{3}{2}}}{{(Ψ 0(fet) + V off(fet))}^{\frac{1}{2}}})

अगला कदम चरों के प्रतिस्थापन मान

∴

I d(fet) = 0.24mS \cdot (4.8V + \frac{3}{2} \cdot \frac{{(4.976V + 4.8V - 4.8V)}^{\frac{3}{2}} - {(4.976V + 4.8V)}^{\frac{3}{2}}}{{(4.976V + 63.56V)}^{\frac{1}{2}}})

अगला कदम इकाइयों को परिवर्तित करें

∴

I d(fet) = 0.0002S \cdot (4.8V + \frac{3}{2} \cdot \frac{{(4.976V + 4.8V - 4.8V)}^{\frac{3}{2}} - {(4.976V + 4.8V)}^{\frac{3}{2}}}{{(4.976V + 63.56V)}^{\frac{1}{2}}})

अगला कदम मूल्यांकन के लिए तैयार रहें

∴

I d(fet) = 0.0002 \cdot (4.8 + \frac{3}{2} \cdot \frac{{(4.976 + 4.8 - 4.8)}^{\frac{3}{2}} - {(4.976 + 4.8)}^{\frac{3}{2}}}{{(4.976 + 63.56)}^{\frac{1}{2}}})

अगला कदम मूल्यांकन करना

∴

I d(fet) = 0.000305501451597179A

अगला कदम आउटपुट की इकाई में परिवर्तित करें

∴

I d(fet) = 0.305501451597179mA

अंतिम चरण उत्तर को गोल करना

∴

I d(fet) = 0.3055mA

एफईटी का ओमिक रीजन ड्रेन करंट FORMULA तत्वों

चर

ड्रेन करंट FET

ड्रेन करंट FET वह करंट है जो FET के ड्रेन जंक्शन के माध्यम से प्रवाहित होता है।

प्रतीक: I_d(fet)

माप: विद्युत प्रवाहइकाई: mA

टिप्पणी: मान 0 से अधिक होना चाहिए.

ड्रेन करंट FET खोजने के लिए सूत्र

चैनल चालकता FET

चैनल कंडक्टेंस FET इस बात का माप है कि FET का चैनल कितनी अच्छी तरह से करंट का संचालन करता है। यह चैनल में चार्ज कैरियर्स की गतिशीलता से निर्धारित होता है।

प्रतीक: G_o(fet)

माप: विद्युत चालनइकाई: mS

टिप्पणी: मूल्य सकारात्मक या नकारात्मक हो सकता है.

चैनल चालकता FET खोजने के लिए सूत्र

नाली स्रोत वोल्टेज FET

ड्रेन स्रोत वोल्टेज FET, FET के ड्रेन और स्रोत टर्मिनल के बीच का वोल्टेज है।

प्रतीक: V_ds(fet)

माप: विद्युतीय संभाव्यताइकाई: V

टिप्पणी: मूल्य सकारात्मक या नकारात्मक हो सकता है.

नाली स्रोत वोल्टेज FET खोजने के लिए सूत्र

सतही विभव FET

सतही विभव (FET) अर्धचालक चैनल के सतही विभव के आधार पर कार्य करता है, तथा व्युत्क्रम परतें उत्पन्न किए बिना गेट वोल्टेज के माध्यम से धारा के प्रवाह को नियंत्रित करता है।

प्रतीक: Ψ_0(fet)

माप: विद्युतीय संभाव्यताइकाई: V

टिप्पणी: मान 0 से अधिक होना चाहिए.

सतही विभव FET खोजने के लिए सूत्र

पिंच ऑफ वोल्टेज

पिंच ऑफ वोल्टेज वह वोल्टेज है जिस पर फील्ड-इफेक्ट ट्रांजिस्टर (FET) का चैनल इतना संकीर्ण हो जाता है कि वह प्रभावी रूप से बंद हो जाता है, जिससे आगे कोई भी धारा प्रवाह रुक जाता है।

प्रतीक: V_off(fet)

माप: विद्युतीय संभाव्यताइकाई: V

टिप्पणी: मूल्य सकारात्मक या नकारात्मक हो सकता है.

पिंच ऑफ वोल्टेज खोजने के लिए सूत्र

ड्रेन करंट FET खोजने के लिए अन्य सूत्र

जाना एफईटी का ड्रेन करंट

I d(fet) = I dss(fet) \cdot {(1 - \frac{V ds(fet)}{V cut-off(fet)})}^{2}

एफईटी श्रेणी में अन्य सूत्र

जाना FET का वोल्टेज बंद करें

V off(fet) = V ds-off(fet) - V ds(fet)

जाना एफईटी का ट्रांसकंडक्टेंस

G m(fet) = \frac{2 \cdot I dss(fet)}{V off(fet)} \cdot (1 - \frac{V ds(fet)}{V off(fet)})

जाना एफईटी का ड्रेन सोर्स वोल्टेज

V ds(fet) = V dd(fet) - I d(fet) \cdot (R d(fet) + R s(fet))

जाना एफईटी का वोल्टेज लाभ

A v(fet) = - G m(fet) \cdot R d(fet)

और देखें

एफईटी का ओमिक रीजन ड्रेन करंट का मूल्यांकन कैसे करें?

एफईटी का ओमिक रीजन ड्रेन करंट मूल्यांकनकर्ता ड्रेन करंट FET, एफईटी का ओमिक रीजन ड्रेन करंट वह ड्रेन करंट है जो तब प्रवाहित होता है जब ड्रेन-टू-सोर्स वोल्टेज छोटा होता है और गेट वोल्टेज शून्य होता है। इस क्षेत्र में, ड्रेन करंट ड्रेन-टू-सोर्स वोल्टेज और एफईटी के चैनल संचालन के समानुपाती होता है। वोल्टेज एम्पलीफायर में, FET के ओमिक क्षेत्र ड्रेन करंट का उपयोग वोल्टेज लाभ उत्पन्न करने के लिए किया जाता है। एफईटी ओमिक क्षेत्र में पक्षपाती है ताकि यह एक रैखिक अवरोधक की तरह व्यवहार करे। इनपुट वोल्टेज को FET के गेट पर लगाया जाता है और आउटपुट वोल्टेज को FET के ड्रेन से लिया जाता है। एम्पलीफायर का वोल्टेज लाभ एफईटी के चैनल संचालन और लोड प्रतिरोध द्वारा निर्धारित किया जाता है। का मूल्यांकन करने के लिए Drain Current FET = चैनल चालकता FET*(नाली स्रोत वोल्टेज FET+3/2*((सतही विभव FET+नाली स्रोत वोल्टेज FET-नाली स्रोत वोल्टेज FET)^(3/2)-(सतही विभव FET+नाली स्रोत वोल्टेज FET)^(3/2))/((सतही विभव FET+पिंच ऑफ वोल्टेज)^(1/2))) का उपयोग करता है। ड्रेन करंट FET को I_d(fet) प्रतीक द्वारा दर्शाया जाता है।

इस ऑनलाइन मूल्यांकनकर्ता का उपयोग करके एफईटी का ओमिक रीजन ड्रेन करंट का मूल्यांकन कैसे करें? एफईटी का ओमिक रीजन ड्रेन करंट के लिए इस ऑनलाइन मूल्यांकनकर्ता का उपयोग करने के लिए, चैनल चालकता FET (G_o(fet)), नाली स्रोत वोल्टेज FET (V_ds(fet)), सतही विभव FET (Ψ_0(fet)) & पिंच ऑफ वोल्टेज (V_off(fet)) दर्ज करें और गणना बटन दबाएं।

FAQs पर एफईटी का ओमिक रीजन ड्रेन करंट

एफईटी का ओमिक रीजन ड्रेन करंट ज्ञात करने का सूत्र क्या है?

एफईटी का ओमिक रीजन ड्रेन करंट का सूत्र Drain Current FET = चैनल चालकता FET*(नाली स्रोत वोल्टेज FET+3/2*((सतही विभव FET+नाली स्रोत वोल्टेज FET-नाली स्रोत वोल्टेज FET)^(3/2)-(सतही विभव FET+नाली स्रोत वोल्टेज FET)^(3/2))/((सतही विभव FET+पिंच ऑफ वोल्टेज)^(1/2))) के रूप में व्यक्त किया जाता है। यहाँ एक उदाहरण दिया गया है- 95.4692 = 0.00024*(4.8+3/2*((4.976+4.8-4.8)^(3/2)-(4.976+4.8)^(3/2))/((4.976+63.56)^(1/2))).

एफईटी का ओमिक रीजन ड्रेन करंट की गणना कैसे करें?

चैनल चालकता FET (G_o(fet)), नाली स्रोत वोल्टेज FET (V_ds(fet)), सतही विभव FET (Ψ_0(fet)) & पिंच ऑफ वोल्टेज (V_off(fet)) के साथ हम एफईटी का ओमिक रीजन ड्रेन करंट को सूत्र - Drain Current FET = चैनल चालकता FET*(नाली स्रोत वोल्टेज FET+3/2*((सतही विभव FET+नाली स्रोत वोल्टेज FET-नाली स्रोत वोल्टेज FET)^(3/2)-(सतही विभव FET+नाली स्रोत वोल्टेज FET)^(3/2))/((सतही विभव FET+पिंच ऑफ वोल्टेज)^(1/2))) का उपयोग करके पा सकते हैं।

ड्रेन करंट FET की गणना करने के अन्य तरीके क्या हैं?

ड्रेन करंट FET-

Drain Current FET=Zero Bias Drain Current*(1-Drain Source Voltage FET/Cutt-off Voltage FET)^2

की गणना करने के विभिन्न तरीके यहां दिए गए हैं

क्या एफईटी का ओमिक रीजन ड्रेन करंट ऋणात्मक हो सकता है?

{हां या नहीं}, विद्युत प्रवाह में मापा गया एफईटी का ओमिक रीजन ड्रेन करंट ऋणात्मक {हो सकता है या नहीं हो सकता}।

एफईटी का ओमिक रीजन ड्रेन करंट को मापने के लिए किस इकाई का उपयोग किया जाता है?

एफईटी का ओमिक रीजन ड्रेन करंट को आम तौर पर विद्युत प्रवाह के लिए मिलीएम्पियर[mA] का उपयोग करके मापा जाता है। एम्पेयर[mA], माइक्रोएम्पीयर[mA], सेंटियमपीयर[mA] कुछ अन्य इकाइयाँ हैं जिनमें एफईटी का ओमिक रीजन ड्रेन करंट को मापा जा सकता है।

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एफईटी का ओमिक रीजन ड्रेन करंट फॉर्मूला

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एफईटी का ओमिक रीजन ड्रेन करंट उदाहरण

एफईटी का ओमिक रीजन ड्रेन करंट समाधान

एफईटी का ओमिक रीजन ड्रेन करंट FORMULA तत्वों

ड्रेन करंट FET खोजने के लिए अन्य सूत्र

एफईटी श्रेणी में अन्य सूत्र

एफईटी का ओमिक रीजन ड्रेन करंट का मूल्यांकन कैसे करें?

FAQs पर एफईटी का ओमिक रीजन ड्रेन करंट

Variable Name

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