अंतर्निहित क्षमता फॉर्मूला

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MOSFET के अंदर अंतर्निहित क्षमता संभावित है। FAQs जांचें
ψo=Vtln(NaNdni2)
ψo - अंतर्निहित क्षमता?Vt - थर्मल वोल्टेज?Na - स्वीकर्ता एकाग्रता?Nd - दाता एकाग्रता?ni - आंतरिक इलेक्ट्रॉन एकाग्रता?

अंतर्निहित क्षमता उदाहरण

मूल्यों के साथ
इकाइयों के साथ
केवल उदाहरण

अंतर्निहित क्षमता समीकरण मूल्यों के साथ जैसा दिखता है।

अंतर्निहित क्षमता समीकरण इकाइयों के साथ जैसा दिखता है।

अंतर्निहित क्षमता समीकरण जैसा दिखता है।

18.8181Edit=0.55Editln(1100Edit1.9E+14Edit17Edit2)
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अंतर्निहित क्षमता समाधान

अंतर्निहित क्षमता की गणना कैसे करें, इसके लिए हमारे चरण-दर-चरण समाधान का पालन करें।

पहला कदम सूत्र पर विचार करें
ψo=Vtln(NaNdni2)
अगला कदम चरों के प्रतिस्थापन मान
ψo=0.55Vln(11001/m³1.9E+141/m³172)
अगला कदम मूल्यांकन के लिए तैयार रहें
ψo=0.55ln(11001.9E+14172)
अगला कदम मूल्यांकन करना
ψo=18.8180761773197V
अंतिम चरण उत्तर को गोल करना
ψo=18.8181V

अंतर्निहित क्षमता FORMULA तत्वों

चर
कार्य
अंतर्निहित क्षमता
MOSFET के अंदर अंतर्निहित क्षमता संभावित है।
प्रतीक: ψo
माप: विद्युतीय संभाव्यताइकाई: V
टिप्पणी: मूल्य सकारात्मक या नकारात्मक हो सकता है.
थर्मल वोल्टेज
थर्मल वोल्टेज पीएन जंक्शन के भीतर उत्पन्न वोल्टेज है।
प्रतीक: Vt
माप: विद्युतीय संभाव्यताइकाई: V
टिप्पणी: मान 0 से अधिक होना चाहिए.
स्वीकर्ता एकाग्रता
स्वीकर्ता एकाग्रता स्वीकर्ता अवस्था में छिद्रों की सांद्रता है।
प्रतीक: Na
माप: वाहक एकाग्रताइकाई: 1/m³
टिप्पणी: मान 0 से अधिक होना चाहिए.
दाता एकाग्रता
दाता सांद्रता दाता अवस्था में इलेक्ट्रॉनों की सांद्रता है।
प्रतीक: Nd
माप: वाहक एकाग्रताइकाई: 1/m³
टिप्पणी: मान 0 से अधिक होना चाहिए.
आंतरिक इलेक्ट्रॉन एकाग्रता
आंतरिक इलेक्ट्रॉन एकाग्रता को चालन बैंड में इलेक्ट्रॉनों की संख्या या आंतरिक सामग्री में वैलेंस बैंड में छिद्रों की संख्या के रूप में परिभाषित किया गया है।
प्रतीक: ni
माप: NAइकाई: Unitless
टिप्पणी: मान 0 से अधिक होना चाहिए.
ln
प्राकृतिक लघुगणक, जिसे आधार e का लघुगणक भी कहा जाता है, प्राकृतिक घातांकीय फलन का व्युत्क्रम फलन है।
वाक्य - विन्यास: ln(Number)

सीएमओएस डिज़ाइन विशेषताएँ श्रेणी में अन्य सूत्र

​जाना स्थैतिक वर्तमान
istatic=PstaticVbc
​जाना फ्रीक्वेंसी क्लॉक में बदलाव
Δf=KvcoVctrl
​जाना संकरा ओनपाथ
Conpath=Ct-Coffpath
​जाना कैपेसाइटेंस ऑफपथ
Coffpath=Ct-Conpath

अंतर्निहित क्षमता का मूल्यांकन कैसे करें?

अंतर्निहित क्षमता मूल्यांकनकर्ता अंतर्निहित क्षमता, अंतर्निहित क्षमता सूत्र को अर्धचालक में अंतर्निहित क्षमता के रूप में परिभाषित किया गया है जो थर्मल संतुलन में कमी क्षेत्र में क्षमता के बराबर है। यह प्रत्येक क्षेत्र की थोक क्षमता के योग के बराबर भी है, क्योंकि थोक क्षमता फर्मी ऊर्जा और आंतरिक ऊर्जा के बीच की दूरी को निर्धारित करती है। का मूल्यांकन करने के लिए Built-in Potential = थर्मल वोल्टेज*ln((स्वीकर्ता एकाग्रता*दाता एकाग्रता)/(आंतरिक इलेक्ट्रॉन एकाग्रता^2)) का उपयोग करता है। अंतर्निहित क्षमता को ψo प्रतीक द्वारा दर्शाया जाता है।

इस ऑनलाइन मूल्यांकनकर्ता का उपयोग करके अंतर्निहित क्षमता का मूल्यांकन कैसे करें? अंतर्निहित क्षमता के लिए इस ऑनलाइन मूल्यांकनकर्ता का उपयोग करने के लिए, थर्मल वोल्टेज (Vt), स्वीकर्ता एकाग्रता (Na), दाता एकाग्रता (Nd) & आंतरिक इलेक्ट्रॉन एकाग्रता (ni) दर्ज करें और गणना बटन दबाएं।

FAQs पर अंतर्निहित क्षमता

अंतर्निहित क्षमता ज्ञात करने का सूत्र क्या है?
अंतर्निहित क्षमता का सूत्र Built-in Potential = थर्मल वोल्टेज*ln((स्वीकर्ता एकाग्रता*दाता एकाग्रता)/(आंतरिक इलेक्ट्रॉन एकाग्रता^2)) के रूप में व्यक्त किया जाता है। यहाँ एक उदाहरण दिया गया है- 18.81808 = 0.55*ln((1100*190000000000000)/(17^2)).
अंतर्निहित क्षमता की गणना कैसे करें?
थर्मल वोल्टेज (Vt), स्वीकर्ता एकाग्रता (Na), दाता एकाग्रता (Nd) & आंतरिक इलेक्ट्रॉन एकाग्रता (ni) के साथ हम अंतर्निहित क्षमता को सूत्र - Built-in Potential = थर्मल वोल्टेज*ln((स्वीकर्ता एकाग्रता*दाता एकाग्रता)/(आंतरिक इलेक्ट्रॉन एकाग्रता^2)) का उपयोग करके पा सकते हैं। यह सूत्र प्राकृतिक लघुगणक फ़ंक्शन फ़ंक्शन का भी उपयोग करता है.
क्या अंतर्निहित क्षमता ऋणात्मक हो सकता है?
{हां या नहीं}, विद्युतीय संभाव्यता में मापा गया अंतर्निहित क्षमता ऋणात्मक {हो सकता है या नहीं हो सकता}।
अंतर्निहित क्षमता को मापने के लिए किस इकाई का उपयोग किया जाता है?
अंतर्निहित क्षमता को आम तौर पर विद्युतीय संभाव्यता के लिए वोल्ट[V] का उपयोग करके मापा जाता है। millivolt[V], माइक्रोवोल्ट[V], नैनोवोल्ट[V] कुछ अन्य इकाइयाँ हैं जिनमें अंतर्निहित क्षमता को मापा जा सकता है।
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