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NMOS की निर्माण प्रक्रिया पैरामीटर फॉर्मूला

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LaTeX प्रतिलिपि

निर्माण प्रक्रिया पैरामीटर वह प्रक्रिया है जो सिलिकॉन सब्सट्रेट के ऑक्सीकरण से शुरू होती है जिसमें सतह पर अपेक्षाकृत मोटी ऑक्साइड परत जमा होती है। FAQs जांचें

γ = \frac{\sqrt{2 \cdot [Charge-e] \cdot N P \cdot [Permitivity-vacuum]}}{C ox}

γ - निर्माण प्रक्रिया पैरामीटर?N_P - पी सब्सट्रेट की डोपिंग एकाग्रता?C_ox - ऑक्साइड क्षमता?[Charge-e] - इलेक्ट्रॉन का आवेश?[Permitivity-vacuum] - निर्वात की पारगम्यता?

NMOS की निर्माण प्रक्रिया पैरामीटर उदाहरण

मूल्यों के साथ

इकाइयों के साथ

केवल उदाहरण

NMOS की निर्माण प्रक्रिया पैरामीटर समीकरण मूल्यों के साथ जैसा दिखता है।

NMOS की निर्माण प्रक्रिया पैरामीटर समीकरण इकाइयों के साथ जैसा दिखता है।

NMOS की निर्माण प्रक्रिया पैरामीटर समीकरण जैसा दिखता है।

204.2049 = \frac{\sqrt{2 \cdot 1.6E-19 \cdot 6E+16 \cdot 8.9E-12}}{2.02}

204.2049 = \frac{\sqrt{2 \cdot 1.6E-19C \cdot 6E+161/cm³ \cdot 8.9E-12F/m}}{2.02μF}

204.2049 = \frac{\sqrt{2 \cdot 1.6E-19 \cdot 6E+16 \cdot 8.9E-12}}{2.02}

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NMOS की निर्माण प्रक्रिया पैरामीटर समाधान

NMOS की निर्माण प्रक्रिया पैरामीटर की गणना कैसे करें, इसके लिए हमारे चरण-दर-चरण समाधान का पालन करें।

पहला कदम सूत्र पर विचार करें

γ = \frac{\sqrt{2 \cdot [Charge-e] \cdot N P \cdot [Permitivity-vacuum]}}{C ox}

अगला कदम चरों के प्रतिस्थापन मान

∴

γ = \frac{\sqrt{2 \cdot [Charge-e] \cdot 6E+161/cm³ \cdot [Permitivity-vacuum]}}{2.02μF}

अगला कदम स्थिरांकों के प्रतिस्थापन मान

∴

γ = \frac{\sqrt{2 \cdot 1.6E-19C \cdot 6E+161/cm³ \cdot 8.9E-12F/m}}{2.02μF}

अगला कदम इकाइयों को परिवर्तित करें

∴

γ = \frac{\sqrt{2 \cdot 1.6E-19C \cdot 6E+221/m³ \cdot 8.9E-12F/m}}{2E-6F}

अगला कदम मूल्यांकन के लिए तैयार रहें

∴

γ = \frac{\sqrt{2 \cdot 1.6E-19 \cdot 6E+22 \cdot 8.9E-12}}{2E-6}

अगला कदम मूल्यांकन करना

∴

γ = 204.204864690003

अंतिम चरण उत्तर को गोल करना

∴

γ = 204.2049

NMOS की निर्माण प्रक्रिया पैरामीटर FORMULA तत्वों

चर

स्थिरांक

कार्य

निर्माण प्रक्रिया पैरामीटर

निर्माण प्रक्रिया पैरामीटर वह प्रक्रिया है जो सिलिकॉन सब्सट्रेट के ऑक्सीकरण से शुरू होती है जिसमें सतह पर अपेक्षाकृत मोटी ऑक्साइड परत जमा होती है।

प्रतीक: γ

माप: NAइकाई: Unitless

टिप्पणी: मूल्य सकारात्मक या नकारात्मक हो सकता है.

निर्माण प्रक्रिया पैरामीटर खोजने के लिए सूत्र

पी सब्सट्रेट की डोपिंग एकाग्रता

पी सब्सट्रेट की डोपिंग एकाग्रता सब्सट्रेट में जोड़े गए अशुद्धियों की संख्या है। यह स्वीकर्ता आयनों की कुल सांद्रता है।

प्रतीक: N_P

माप: वाहक एकाग्रताइकाई: 1/cm³

टिप्पणी: मूल्य सकारात्मक या नकारात्मक हो सकता है.

पी सब्सट्रेट की डोपिंग एकाग्रता खोजने के लिए सूत्र

ऑक्साइड क्षमता

ऑक्साइड कैपेसिटेंस एक महत्वपूर्ण पैरामीटर है जो एमओएस उपकरणों के प्रदर्शन को प्रभावित करता है, जैसे एकीकृत सर्किट की गति और बिजली की खपत।

प्रतीक: C_ox

माप: समाईइकाई: μF

टिप्पणी: मूल्य सकारात्मक या नकारात्मक हो सकता है.

ऑक्साइड क्षमता खोजने के लिए सूत्र

इलेक्ट्रॉन का आवेश

इलेक्ट्रॉन का आवेश एक मौलिक भौतिक स्थिरांक है, जो एक इलेक्ट्रॉन द्वारा किए गए विद्युत आवेश का प्रतिनिधित्व करता है, जो एक नकारात्मक विद्युत आवेश वाला प्राथमिक कण है।

प्रतीक: [Charge-e]

कीमत: 1.60217662E-19 C

निर्वात की पारगम्यता

निर्वात की पारगम्यता एक मौलिक भौतिक स्थिरांक है जो विद्युत क्षेत्र रेखाओं के संचरण की अनुमति देने के लिए निर्वात की क्षमता का वर्णन करता है।

प्रतीक: [Permitivity-vacuum]

कीमत: 8.85E-12 F/m

sqrt

वर्गमूल फ़ंक्शन एक ऐसा फ़ंक्शन है जो एक गैर-ऋणात्मक संख्या को इनपुट के रूप में लेता है और दी गई इनपुट संख्या का वर्गमूल लौटाता है।

वाक्य - विन्यास: sqrt(Number)

एन चैनल संवर्द्धन श्रेणी में अन्य सूत्र

जाना NMOS ट्रांजिस्टर में चैनल का इलेक्ट्रॉन बहाव वेग

v d = μ n \cdot E L

जाना NMOS रैखिक प्रतिरोध के रूप में

r DS = \frac{L}{μ n \cdot C ox \cdot W c \cdot (V gs - V T)}

जाना NMOS के वर्तमान में प्रवेश करने वाले ड्रेन टर्मिनल में गेट स्रोत वोल्टेज दिया गया है

I d = k' n \cdot \frac{W c}{L} \cdot ((V gs - V T) \cdot V ds - \frac{1}{2} \cdot {V ds}^{2})

जाना NMOS के ट्रायोड क्षेत्र में वर्तमान में प्रवेश करने वाली नाली-स्रोत

I d = k' n \cdot \frac{W c}{L} \cdot ((V gs - V T) \cdot V ds - \frac{1}{2} \cdot {(V ds)}^{2})

और देखें

NMOS की निर्माण प्रक्रिया पैरामीटर का मूल्यांकन कैसे करें?

NMOS की निर्माण प्रक्रिया पैरामीटर मूल्यांकनकर्ता निर्माण प्रक्रिया पैरामीटर, NMOS की निर्माण प्रक्रिया पैरामीटर वह प्रक्रिया है जो सिलिकॉन सब्सट्रेट के ऑक्सीकरण से शुरू होती है जिसमें सतह पर एक अपेक्षाकृत मोटी ऑक्साइड परत जमा होती है। का मूल्यांकन करने के लिए Fabrication Process Parameter = sqrt(2*[Charge-e]*पी सब्सट्रेट की डोपिंग एकाग्रता*[Permitivity-vacuum])/ऑक्साइड क्षमता का उपयोग करता है। निर्माण प्रक्रिया पैरामीटर को γ प्रतीक द्वारा दर्शाया जाता है।

इस ऑनलाइन मूल्यांकनकर्ता का उपयोग करके NMOS की निर्माण प्रक्रिया पैरामीटर का मूल्यांकन कैसे करें? NMOS की निर्माण प्रक्रिया पैरामीटर के लिए इस ऑनलाइन मूल्यांकनकर्ता का उपयोग करने के लिए, पी सब्सट्रेट की डोपिंग एकाग्रता (N_P) & ऑक्साइड क्षमता (C_ox) दर्ज करें और गणना बटन दबाएं।

FAQs पर NMOS की निर्माण प्रक्रिया पैरामीटर

NMOS की निर्माण प्रक्रिया पैरामीटर ज्ञात करने का सूत्र क्या है?

NMOS की निर्माण प्रक्रिया पैरामीटर का सूत्र Fabrication Process Parameter = sqrt(2*[Charge-e]*पी सब्सट्रेट की डोपिंग एकाग्रता*[Permitivity-vacuum])/ऑक्साइड क्षमता के रूप में व्यक्त किया जाता है। यहाँ एक उदाहरण दिया गया है- 204.2049 = sqrt(2*[Charge-e]*6E+22*[Permitivity-vacuum])/2.02E-06.

NMOS की निर्माण प्रक्रिया पैरामीटर की गणना कैसे करें?

पी सब्सट्रेट की डोपिंग एकाग्रता (N_P) & ऑक्साइड क्षमता (C_ox) के साथ हम NMOS की निर्माण प्रक्रिया पैरामीटर को सूत्र - Fabrication Process Parameter = sqrt(2*[Charge-e]*पी सब्सट्रेट की डोपिंग एकाग्रता*[Permitivity-vacuum])/ऑक्साइड क्षमता का उपयोग करके पा सकते हैं। यह सूत्र इलेक्ट्रॉन का आवेश, निर्वात की पारगम्यता स्थिरांक और वर्गमूल (sqrt) फ़ंक्शन का भी उपयोग करता है.

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NMOS की निर्माण प्रक्रिया पैरामीटर फॉर्मूला

NMOS की निर्माण प्रक्रिया पैरामीटर उदाहरण

NMOS की निर्माण प्रक्रिया पैरामीटर समाधान

NMOS की निर्माण प्रक्रिया पैरामीटर FORMULA तत्वों

एन चैनल संवर्द्धन श्रेणी में अन्य सूत्र

NMOS की निर्माण प्रक्रिया पैरामीटर का मूल्यांकन कैसे करें?

FAQs पर NMOS की निर्माण प्रक्रिया पैरामीटर

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