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NMOS के ट्रायोड क्षेत्र में वर्तमान में प्रवेश करने वाली नाली-स्रोत फॉर्मूला

जानाNMOS के वर्तमान में प्रवेश करने वाले ड्रेन टर्मिनल में गेट स्रोत वोल्टेज दिया गया है FORMULA

जानाNMOS के संतृप्ति क्षेत्र में वर्तमान में प्रवेश करने वाली नाली-स्रोत FORMULA

Fx प्रतिलिपि

LaTeX प्रतिलिपि

NMOS में ड्रेन करंट ड्रेन से फील्ड-इफेक्ट ट्रांजिस्टर (FET) या मेटल-ऑक्साइड-सेमीकंडक्टर फील्ड-इफेक्ट ट्रांजिस्टर (MOSFET) के स्रोत तक बहने वाली विद्युत धारा है। FAQs जांचें

I d = k' n \cdot \frac{W c}{L} \cdot ((V gs - V T) \cdot V ds - \frac{1}{2} \cdot {(V ds)}^{2})

I_d - NMOS में ड्रेन करेंट?k'_n - NMOS में प्रोसेस ट्रांसकंडक्शन पैरामीटर?W_c - चैनल की चौड़ाई?L - चैनल की लंबाई?V_gs - गेट स्रोत वोल्टेज?V_T - सीमा वोल्टेज?V_ds - नाली स्रोत वोल्टेज?

NMOS के ट्रायोड क्षेत्र में वर्तमान में प्रवेश करने वाली नाली-स्रोत उदाहरण

मूल्यों के साथ

इकाइयों के साथ

केवल उदाहरण

NMOS के ट्रायोड क्षेत्र में वर्तमान में प्रवेश करने वाली नाली-स्रोत समीकरण मूल्यों के साथ जैसा दिखता है।

NMOS के ट्रायोड क्षेत्र में वर्तमान में प्रवेश करने वाली नाली-स्रोत समीकरण इकाइयों के साथ जैसा दिखता है।

NMOS के ट्रायोड क्षेत्र में वर्तमान में प्रवेश करने वाली नाली-स्रोत समीकरण जैसा दिखता है।

239.693 = 2 \cdot \frac{10}{3} \cdot ((10.3 - 1.82) \cdot 8.43 - \frac{1}{2} \cdot {(8.43)}^{2})

239.693mA = 2mS \cdot \frac{10μm}{3μm} \cdot ((10.3V - 1.82V) \cdot 8.43V - \frac{1}{2} \cdot {(8.43V)}^{2})

239.693 = 2 \cdot \frac{10}{3} \cdot ((10.3 - 1.82) \cdot 8.43 - \frac{1}{2} \cdot {(8.43)}^{2})

बख्शीश: इनपुट मान और इकाइयों को संपादित करने के लिए ऊपर दिए गए पेंसिल ( Pencil

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NMOS के ट्रायोड क्षेत्र में वर्तमान में प्रवेश करने वाली नाली-स्रोत समाधान

NMOS के ट्रायोड क्षेत्र में वर्तमान में प्रवेश करने वाली नाली-स्रोत की गणना कैसे करें, इसके लिए हमारे चरण-दर-चरण समाधान का पालन करें।

पहला कदम सूत्र पर विचार करें

I d = k' n \cdot \frac{W c}{L} \cdot ((V gs - V T) \cdot V ds - \frac{1}{2} \cdot {(V ds)}^{2})

अगला कदम चरों के प्रतिस्थापन मान

∴

I d = 2mS \cdot \frac{10μm}{3μm} \cdot ((10.3V - 1.82V) \cdot 8.43V - \frac{1}{2} \cdot {(8.43V)}^{2})

अगला कदम इकाइयों को परिवर्तित करें

∴

I d = 0.002S \cdot \frac{1E-5m}{3E-6m} \cdot ((10.3V - 1.82V) \cdot 8.43V - \frac{1}{2} \cdot {(8.43V)}^{2})

अगला कदम मूल्यांकन के लिए तैयार रहें

∴

I d = 0.002 \cdot \frac{1E-5}{3E-6} \cdot ((10.3 - 1.82) \cdot 8.43 - \frac{1}{2} \cdot {(8.43)}^{2})

अगला कदम मूल्यांकन करना

∴

I d = 0.239693A

अंतिम चरण आउटपुट की इकाई में परिवर्तित करें

∴

I d = 239.693mA

NMOS के ट्रायोड क्षेत्र में वर्तमान में प्रवेश करने वाली नाली-स्रोत FORMULA तत्वों

चर

NMOS में ड्रेन करेंट

NMOS में ड्रेन करंट ड्रेन से फील्ड-इफेक्ट ट्रांजिस्टर (FET) या मेटल-ऑक्साइड-सेमीकंडक्टर फील्ड-इफेक्ट ट्रांजिस्टर (MOSFET) के स्रोत तक बहने वाली विद्युत धारा है।

प्रतीक: I_d

माप: विद्युत प्रवाहइकाई: mA

टिप्पणी: मान 0 से अधिक होना चाहिए.

NMOS में ड्रेन करेंट खोजने के लिए सूत्र

NMOS में प्रोसेस ट्रांसकंडक्शन पैरामीटर

NMOS (PTM) में प्रोसेस ट्रांसकंडक्शन पैरामीटर एक ट्रांजिस्टर के प्रदर्शन को चिह्नित करने के लिए सेमीकंडक्टर डिवाइस मॉडलिंग में उपयोग किया जाने वाला एक पैरामीटर है।

प्रतीक: k'_n

माप: विद्युत चालनइकाई: mS

टिप्पणी: मूल्य सकारात्मक या नकारात्मक हो सकता है.

NMOS में प्रोसेस ट्रांसकंडक्शन पैरामीटर खोजने के लिए सूत्र

चैनल की चौड़ाई

चैनल की चौड़ाई संचार चैनल के भीतर डेटा संचारित करने के लिए उपलब्ध बैंडविड्थ की मात्रा को संदर्भित करती है।

प्रतीक: W_c

माप: लंबाईइकाई: μm

टिप्पणी: मूल्य सकारात्मक या नकारात्मक हो सकता है.

चैनल की चौड़ाई खोजने के लिए सूत्र

चैनल की लंबाई

चैनल की लंबाई को इसके प्रारंभ और अंत बिंदुओं के बीच की दूरी के रूप में परिभाषित किया जा सकता है, और यह इसके उद्देश्य और स्थान के आधार पर बहुत भिन्न हो सकता है।

प्रतीक: L

माप: लंबाईइकाई: μm

टिप्पणी: मूल्य सकारात्मक या नकारात्मक हो सकता है.

चैनल की लंबाई खोजने के लिए सूत्र

गेट स्रोत वोल्टेज

गेट सोर्स वोल्टेज वह वोल्टेज है जो ट्रांजिस्टर के गेट-सोर्स टर्मिनल पर पड़ता है।

प्रतीक: V_gs

माप: विद्युतीय संभाव्यताइकाई: V

टिप्पणी: मूल्य सकारात्मक या नकारात्मक हो सकता है.

गेट स्रोत वोल्टेज खोजने के लिए सूत्र

सीमा वोल्टेज

थ्रेशोल्ड वोल्टेज, जिसे गेट थ्रेशोल्ड वोल्टेज या केवल Vth के रूप में भी जाना जाता है, फील्ड-इफेक्ट ट्रांजिस्टर के संचालन में एक महत्वपूर्ण पैरामीटर है, जो आधुनिक इलेक्ट्रॉनिक्स में मूलभूत घटक हैं।

प्रतीक: V_T

माप: विद्युतीय संभाव्यताइकाई: V

टिप्पणी: मान 0 से अधिक होना चाहिए.

सीमा वोल्टेज खोजने के लिए सूत्र

नाली स्रोत वोल्टेज

नाली स्रोत वोल्टेज एक विद्युत शब्द है जिसका उपयोग इलेक्ट्रॉनिक्स में और विशेष रूप से क्षेत्र-प्रभाव ट्रांजिस्टर में किया जाता है। यह FET के ड्रेन और सोर्स टर्मिनलों के बीच वोल्टेज अंतर को संदर्भित करता है।

प्रतीक: V_ds

माप: विद्युतीय संभाव्यताइकाई: V

टिप्पणी: मूल्य सकारात्मक या नकारात्मक हो सकता है.

नाली स्रोत वोल्टेज खोजने के लिए सूत्र

NMOS में ड्रेन करेंट खोजने के लिए अन्य सूत्र

जाना NMOS के वर्तमान में प्रवेश करने वाले ड्रेन टर्मिनल में गेट स्रोत वोल्टेज दिया गया है

I d = k' n \cdot \frac{W c}{L} \cdot ((V gs - V T) \cdot V ds - \frac{1}{2} \cdot {V ds}^{2})

जाना NMOS के संतृप्ति क्षेत्र में वर्तमान में प्रवेश करने वाली नाली-स्रोत

I d = \frac{1}{2} \cdot k' n \cdot \frac{W c}{L} \cdot {(V gs - V T)}^{2}

और देखें

एन चैनल संवर्द्धन श्रेणी में अन्य सूत्र

जाना NMOS ट्रांजिस्टर में चैनल का इलेक्ट्रॉन बहाव वेग

v d = μ n \cdot E L

जाना NMOS रैखिक प्रतिरोध के रूप में

r DS = \frac{L}{μ n \cdot C ox \cdot W c \cdot (V gs - V T)}

और देखें

NMOS के ट्रायोड क्षेत्र में वर्तमान में प्रवेश करने वाली नाली-स्रोत का मूल्यांकन कैसे करें?

NMOS के ट्रायोड क्षेत्र में वर्तमान में प्रवेश करने वाली नाली-स्रोत मूल्यांकनकर्ता NMOS में ड्रेन करेंट, एनएमओएस के ट्रायोड क्षेत्र में ड्रेन-सोर्स में प्रवेश करने पर जब वीजीएस दिया जाता है, तो इलेक्ट्रॉन बहाव वेग द्वारा प्रति यूनिट चैनल लंबाई के चार्ज को गुणा करके पाया जा सकता है। का मूल्यांकन करने के लिए Drain Current in NMOS = NMOS में प्रोसेस ट्रांसकंडक्शन पैरामीटर*चैनल की चौड़ाई/चैनल की लंबाई*((गेट स्रोत वोल्टेज-सीमा वोल्टेज)*नाली स्रोत वोल्टेज-1/2*(नाली स्रोत वोल्टेज)^2) का उपयोग करता है। NMOS में ड्रेन करेंट को I_d प्रतीक द्वारा दर्शाया जाता है।

इस ऑनलाइन मूल्यांकनकर्ता का उपयोग करके NMOS के ट्रायोड क्षेत्र में वर्तमान में प्रवेश करने वाली नाली-स्रोत का मूल्यांकन कैसे करें? NMOS के ट्रायोड क्षेत्र में वर्तमान में प्रवेश करने वाली नाली-स्रोत के लिए इस ऑनलाइन मूल्यांकनकर्ता का उपयोग करने के लिए, NMOS में प्रोसेस ट्रांसकंडक्शन पैरामीटर (k'_n), चैनल की चौड़ाई (W_c), चैनल की लंबाई (L), गेट स्रोत वोल्टेज (V_gs), सीमा वोल्टेज (V_T) & नाली स्रोत वोल्टेज (V_ds) दर्ज करें और गणना बटन दबाएं।

FAQs पर NMOS के ट्रायोड क्षेत्र में वर्तमान में प्रवेश करने वाली नाली-स्रोत

NMOS के ट्रायोड क्षेत्र में वर्तमान में प्रवेश करने वाली नाली-स्रोत ज्ञात करने का सूत्र क्या है?

NMOS के ट्रायोड क्षेत्र में वर्तमान में प्रवेश करने वाली नाली-स्रोत का सूत्र Drain Current in NMOS = NMOS में प्रोसेस ट्रांसकंडक्शन पैरामीटर*चैनल की चौड़ाई/चैनल की लंबाई*((गेट स्रोत वोल्टेज-सीमा वोल्टेज)*नाली स्रोत वोल्टेज-1/2*(नाली स्रोत वोल्टेज)^2) के रूप में व्यक्त किया जाता है। यहाँ एक उदाहरण दिया गया है- 239693 = 0.002*1E-05/3E-06*((10.3-1.82)*8.43-1/2*(8.43)^2).

NMOS के ट्रायोड क्षेत्र में वर्तमान में प्रवेश करने वाली नाली-स्रोत की गणना कैसे करें?

NMOS में प्रोसेस ट्रांसकंडक्शन पैरामीटर (k'_n), चैनल की चौड़ाई (W_c), चैनल की लंबाई (L), गेट स्रोत वोल्टेज (V_gs), सीमा वोल्टेज (V_T) & नाली स्रोत वोल्टेज (V_ds) के साथ हम NMOS के ट्रायोड क्षेत्र में वर्तमान में प्रवेश करने वाली नाली-स्रोत को सूत्र - Drain Current in NMOS = NMOS में प्रोसेस ट्रांसकंडक्शन पैरामीटर*चैनल की चौड़ाई/चैनल की लंबाई*((गेट स्रोत वोल्टेज-सीमा वोल्टेज)*नाली स्रोत वोल्टेज-1/2*(नाली स्रोत वोल्टेज)^2) का उपयोग करके पा सकते हैं।

NMOS में ड्रेन करेंट की गणना करने के अन्य तरीके क्या हैं?

NMOS में ड्रेन करेंट-

Drain Current in NMOS=Process Transconductance Parameter in NMOS*Width of Channel/Length of the Channel*((Gate Source Voltage-Threshold Voltage)*Drain Source Voltage-1/2*Drain Source Voltage^2)
Drain Current in NMOS=1/2*Process Transconductance Parameter in NMOS*Width of Channel/Length of the Channel*(Gate Source Voltage-Threshold Voltage)^2
Drain Current in NMOS=1/2*Process Transconductance Parameter in NMOS*Width of Channel/Length of the Channel*(Drain Source Voltage)^2

की गणना करने के विभिन्न तरीके यहां दिए गए हैं

क्या NMOS के ट्रायोड क्षेत्र में वर्तमान में प्रवेश करने वाली नाली-स्रोत ऋणात्मक हो सकता है?

{हां या नहीं}, विद्युत प्रवाह में मापा गया NMOS के ट्रायोड क्षेत्र में वर्तमान में प्रवेश करने वाली नाली-स्रोत ऋणात्मक {हो सकता है या नहीं हो सकता}।

NMOS के ट्रायोड क्षेत्र में वर्तमान में प्रवेश करने वाली नाली-स्रोत को मापने के लिए किस इकाई का उपयोग किया जाता है?

NMOS के ट्रायोड क्षेत्र में वर्तमान में प्रवेश करने वाली नाली-स्रोत को आम तौर पर विद्युत प्रवाह के लिए मिलीएम्पियर[mA] का उपयोग करके मापा जाता है। एम्पेयर[mA], माइक्रोएम्पीयर[mA], सेंटियमपीयर[mA] कुछ अन्य इकाइयाँ हैं जिनमें NMOS के ट्रायोड क्षेत्र में वर्तमान में प्रवेश करने वाली नाली-स्रोत को मापा जा सकता है।

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NMOS के ट्रायोड क्षेत्र में वर्तमान में प्रवेश करने वाली नाली-स्रोत फॉर्मूला

​जानाNMOS के वर्तमान में प्रवेश करने वाले ड्रेन टर्मिनल में गेट स्रोत वोल्टेज दिया गया है FORMULA

​जानाNMOS के संतृप्ति क्षेत्र में वर्तमान में प्रवेश करने वाली नाली-स्रोत FORMULA

NMOS के ट्रायोड क्षेत्र में वर्तमान में प्रवेश करने वाली नाली-स्रोत उदाहरण

NMOS के ट्रायोड क्षेत्र में वर्तमान में प्रवेश करने वाली नाली-स्रोत समाधान

NMOS के ट्रायोड क्षेत्र में वर्तमान में प्रवेश करने वाली नाली-स्रोत FORMULA तत्वों

NMOS में ड्रेन करेंट खोजने के लिए अन्य सूत्र

एन चैनल संवर्द्धन श्रेणी में अन्य सूत्र

NMOS के ट्रायोड क्षेत्र में वर्तमान में प्रवेश करने वाली नाली-स्रोत का मूल्यांकन कैसे करें?

FAQs पर NMOS के ट्रायोड क्षेत्र में वर्तमान में प्रवेश करने वाली नाली-स्रोत

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