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MOSFET ट्रांसकंडक्शन फॉर्मूला

जानाट्रांसकंडक्टेंस ने ड्रेन करंट दिया FORMULA

जानाट्रांसकंडक्शन दिया गया प्रोसेस ट्रांसकंडक्शन पैरामीटर FORMULA

Fx प्रतिलिपि

LaTeX प्रतिलिपि

ट्रांसकंडक्शन को गेट-सोर्स वोल्टेज स्थिर रखने के साथ इनपुट वोल्टेज में बदलाव के लिए आउटपुट करंट में बदलाव के अनुपात के रूप में परिभाषित किया गया है। FAQs जांचें

g m = \frac{ΔI d}{V gs}

g_m - transconductance?ΔI_d - ड्रेन करंट में बदलाव?V_gs - गेट-स्रोत वोल्टेज?

MOSFET ट्रांसकंडक्शन उदाहरण

मूल्यों के साथ

इकाइयों के साथ

केवल उदाहरण

MOSFET ट्रांसकंडक्शन समीकरण मूल्यों के साथ जैसा दिखता है।

MOSFET ट्रांसकंडक्शन समीकरण इकाइयों के साथ जैसा दिखता है।

MOSFET ट्रांसकंडक्शन समीकरण जैसा दिखता है।

0.5 = \frac{2}{4}

0.5mS = \frac{2mA}{4V}

0.5 = \frac{2}{4}

बख्शीश: इनपुट मान और इकाइयों को संपादित करने के लिए ऊपर दिए गए पेंसिल ( Pencil

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गणना

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समाधान

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MOSFET ट्रांसकंडक्शन समाधान

MOSFET ट्रांसकंडक्शन की गणना कैसे करें, इसके लिए हमारे चरण-दर-चरण समाधान का पालन करें।

पहला कदम सूत्र पर विचार करें

g m = \frac{ΔI d}{V gs}

अगला कदम चरों के प्रतिस्थापन मान

∴

g m = \frac{2mA}{4V}

अगला कदम इकाइयों को परिवर्तित करें

∴

g m = \frac{0.002A}{4V}

अगला कदम मूल्यांकन के लिए तैयार रहें

∴

g m = \frac{0.002}{4}

अगला कदम मूल्यांकन करना

∴

g m = 0.0005S

अंतिम चरण आउटपुट की इकाई में परिवर्तित करें

∴

g m = 0.5mS

MOSFET ट्रांसकंडक्शन FORMULA तत्वों

चर

transconductance

ट्रांसकंडक्शन को गेट-सोर्स वोल्टेज स्थिर रखने के साथ इनपुट वोल्टेज में बदलाव के लिए आउटपुट करंट में बदलाव के अनुपात के रूप में परिभाषित किया गया है।

प्रतीक: g_m

माप: विद्युत चालनइकाई: mS

टिप्पणी: मूल्य सकारात्मक या नकारात्मक हो सकता है.

transconductance खोजने के लिए सूत्र

ड्रेन करंट में बदलाव

ड्रेन करंट में बदलाव सिलिकॉन चिप की करंट कंडक्शन क्षमता में बदलाव को दर्शाता है; विभिन्न उपकरणों की तुलना करते समय इसे एक गाइड के रूप में इस्तेमाल किया जा सकता है।

प्रतीक: ΔI_d

माप: विद्युत प्रवाहइकाई: mA

टिप्पणी: मूल्य सकारात्मक या नकारात्मक हो सकता है.

ड्रेन करंट में बदलाव खोजने के लिए सूत्र

गेट-स्रोत वोल्टेज

गेट-सोर्स वोल्टेज एक महत्वपूर्ण पैरामीटर है जो FET के संचालन को प्रभावित करता है, और इसका उपयोग अक्सर डिवाइस के व्यवहार को नियंत्रित करने के लिए किया जाता है।

प्रतीक: V_gs

माप: विद्युतीय संभाव्यताइकाई: V

टिप्पणी: मान 0 से अधिक होना चाहिए.

गेट-स्रोत वोल्टेज खोजने के लिए सूत्र

transconductance खोजने के लिए अन्य सूत्र

जाना ट्रांसकंडक्टेंस ने ड्रेन करंट दिया

g m = \sqrt{2 \cdot k' n \cdot WL \cdot i d}

जाना ट्रांसकंडक्शन दिया गया प्रोसेस ट्रांसकंडक्शन पैरामीटर

g m = k' n \cdot WL \cdot (V gs - V th)

जाना प्रक्रिया ट्रांसकंडक्शन पैरामीटर और ओवरड्राइव वोल्टेज का उपयोग करके ट्रांसकंडक्शन

g m = k' n \cdot WL \cdot V ov

जाना MOSFET Transconductance दिए गए Transconductance पैरामीटर

g m = k n \cdot (V gs - V th)

और देखें

transconductance श्रेणी में अन्य सूत्र

जाना ट्रांसकंडक्शन का उपयोग करके करंट को ड्रेन करें

i d = (V ov) \cdot \frac{g m}{2}

जाना ट्रांसकंडक्शन और ड्रेन करंट को देखते हुए प्रोसेस ट्रांसकंडक्शन

k' n = \frac{{g m}^{2}}{2 \cdot WL \cdot i d}

जाना प्रोसेस ट्रांसकंडक्शन पैरामीटर का उपयोग करके MOSFET ट्रांसकंडक्शन

k' n = \frac{g m}{WL \cdot (V gs - V th)}

जाना प्रोसेस ट्रांसकंडक्शन पैरामीटर और ओवरड्राइव वोल्टेज का उपयोग करके MOSFET ट्रांसकंडक्शन

k' n = \frac{g m}{WL \cdot V ov}

और देखें

MOSFET ट्रांसकंडक्शन का मूल्यांकन कैसे करें?

MOSFET ट्रांसकंडक्शन मूल्यांकनकर्ता transconductance, MOSFET ट्रांसकंडक्शन ड्रेन करंट में बदलाव है, जो गेट/स्रोत वोल्टेज में एक निरंतर ड्रेन/स्रोत वोल्टेज के साथ छोटे बदलाव से विभाजित होता है। का मूल्यांकन करने के लिए Transconductance = ड्रेन करंट में बदलाव/गेट-स्रोत वोल्टेज का उपयोग करता है। transconductance को g_m प्रतीक द्वारा दर्शाया जाता है।

इस ऑनलाइन मूल्यांकनकर्ता का उपयोग करके MOSFET ट्रांसकंडक्शन का मूल्यांकन कैसे करें? MOSFET ट्रांसकंडक्शन के लिए इस ऑनलाइन मूल्यांकनकर्ता का उपयोग करने के लिए, ड्रेन करंट में बदलाव (ΔI_d) & गेट-स्रोत वोल्टेज (V_gs) दर्ज करें और गणना बटन दबाएं।

FAQs पर MOSFET ट्रांसकंडक्शन

MOSFET ट्रांसकंडक्शन ज्ञात करने का सूत्र क्या है?

MOSFET ट्रांसकंडक्शन का सूत्र Transconductance = ड्रेन करंट में बदलाव/गेट-स्रोत वोल्टेज के रूप में व्यक्त किया जाता है। यहाँ एक उदाहरण दिया गया है- 500 = 0.002/4.

MOSFET ट्रांसकंडक्शन की गणना कैसे करें?

ड्रेन करंट में बदलाव (ΔI_d) & गेट-स्रोत वोल्टेज (V_gs) के साथ हम MOSFET ट्रांसकंडक्शन को सूत्र - Transconductance = ड्रेन करंट में बदलाव/गेट-स्रोत वोल्टेज का उपयोग करके पा सकते हैं।

transconductance की गणना करने के अन्य तरीके क्या हैं?

transconductance-

Transconductance=sqrt(2*Process Transconductance Parameter*Aspect Ratio*Drain Current)
Transconductance=Process Transconductance Parameter*Aspect Ratio*(Gate-Source Voltage-Threshold Voltage)
Transconductance=Process Transconductance Parameter*Aspect Ratio*Overdrive Voltage

की गणना करने के विभिन्न तरीके यहां दिए गए हैं

क्या MOSFET ट्रांसकंडक्शन ऋणात्मक हो सकता है?

{हां या नहीं}, विद्युत चालन में मापा गया MOSFET ट्रांसकंडक्शन ऋणात्मक {हो सकता है या नहीं हो सकता}।

MOSFET ट्रांसकंडक्शन को मापने के लिए किस इकाई का उपयोग किया जाता है?

MOSFET ट्रांसकंडक्शन को आम तौर पर विद्युत चालन के लिए मिलिसिएमेंस[mS] का उपयोग करके मापा जाता है। सीमेंस[mS], मेगासीमेन्स[mS], म्हो[mS] कुछ अन्य इकाइयाँ हैं जिनमें MOSFET ट्रांसकंडक्शन को मापा जा सकता है।

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