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चैनल के प्रवाहकत्त्व को आम तौर पर चैनल के माध्यम से गुजरने वाले मौजूदा वोल्टेज के अनुपात के रूप में परिभाषित किया जाता है। FAQs जांचें
G=1Rds
G - चैनल का संचालन?Rds - रैखिक प्रतिरोध?

MOSFET के रैखिक प्रतिरोध में आचरण उदाहरण

मूल्यों के साथ
इकाइयों के साथ
केवल उदाहरण

MOSFET के रैखिक प्रतिरोध में आचरण समीकरण मूल्यों के साथ जैसा दिखता है।

MOSFET के रैखिक प्रतिरोध में आचरण समीकरण इकाइयों के साथ जैसा दिखता है।

MOSFET के रैखिक प्रतिरोध में आचरण समीकरण जैसा दिखता है।

6.0241Edit=10.166Edit
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MOSFET के रैखिक प्रतिरोध में आचरण समाधान

MOSFET के रैखिक प्रतिरोध में आचरण की गणना कैसे करें, इसके लिए हमारे चरण-दर-चरण समाधान का पालन करें।

पहला कदम सूत्र पर विचार करें
G=1Rds
अगला कदम चरों के प्रतिस्थापन मान
G=10.166
अगला कदम इकाइयों को परिवर्तित करें
G=1166Ω
अगला कदम मूल्यांकन के लिए तैयार रहें
G=1166
अगला कदम मूल्यांकन करना
G=0.00602409638554217S
अगला कदम आउटपुट की इकाई में परिवर्तित करें
G=6.02409638554217mS
अंतिम चरण उत्तर को गोल करना
G=6.0241mS

MOSFET के रैखिक प्रतिरोध में आचरण FORMULA तत्वों

चर
चैनल का संचालन
चैनल के प्रवाहकत्त्व को आम तौर पर चैनल के माध्यम से गुजरने वाले मौजूदा वोल्टेज के अनुपात के रूप में परिभाषित किया जाता है।
प्रतीक: G
माप: विद्युत चालनइकाई: mS
टिप्पणी: मूल्य सकारात्मक या नकारात्मक हो सकता है.
रैखिक प्रतिरोध
रैखिक प्रतिरोध, विरोध या प्रतिरोध की मात्रा इसके माध्यम से बहने वाली धारा की मात्रा के सीधे आनुपातिक होती है, जैसा कि ओम के नियम द्वारा वर्णित है।
प्रतीक: Rds
माप: विद्युत प्रतिरोधइकाई:
टिप्पणी: मान 0 से अधिक होना चाहिए.

चैनल का संचालन खोजने के लिए अन्य सूत्र

​जाना गेट टू सोर्स वोल्टेज का उपयोग करके MOSFET के चैनल का संचालन
G=μsCoxWcL(Vgs-Vth)

प्रतिरोध श्रेणी में अन्य सूत्र

​जाना बायस प्वाइंट पर अधिकतम वोल्टेज लाभ
Avm=2Vdd-VeffVeff
​जाना सभी वोल्टेज को देखते हुए अधिकतम वोल्टेज लाभ
Avm=Vdd-0.3Vt
​जाना वोल्टेज गेन ने ड्रेन वोल्टेज दिया
Av=idRL2Veff
​जाना वोल्टेज लाभ MOSFET का भार प्रतिरोध दिया गया
Av=gm11RL+1Rout1+gmRs

MOSFET के रैखिक प्रतिरोध में आचरण का मूल्यांकन कैसे करें?

MOSFET के रैखिक प्रतिरोध में आचरण मूल्यांकनकर्ता चैनल का संचालन, MOSFET के रैखिक प्रतिरोध में चालन MOSFET के रैखिक प्रतिरोध का व्युत्क्रम है। MOSFET का रैखिक प्रतिरोध MOSFET चैनल पर वोल्टेज और रैखिक ऑपरेटिंग क्षेत्र में इसके माध्यम से बहने वाली धारा को मापकर निर्धारित किया जा सकता है। का मूल्यांकन करने के लिए Conductance of Channel = 1/रैखिक प्रतिरोध का उपयोग करता है। चैनल का संचालन को G प्रतीक द्वारा दर्शाया जाता है।

इस ऑनलाइन मूल्यांकनकर्ता का उपयोग करके MOSFET के रैखिक प्रतिरोध में आचरण का मूल्यांकन कैसे करें? MOSFET के रैखिक प्रतिरोध में आचरण के लिए इस ऑनलाइन मूल्यांकनकर्ता का उपयोग करने के लिए, रैखिक प्रतिरोध (Rds) दर्ज करें और गणना बटन दबाएं।

FAQs पर MOSFET के रैखिक प्रतिरोध में आचरण

MOSFET के रैखिक प्रतिरोध में आचरण ज्ञात करने का सूत्र क्या है?
MOSFET के रैखिक प्रतिरोध में आचरण का सूत्र Conductance of Channel = 1/रैखिक प्रतिरोध के रूप में व्यक्त किया जाता है। यहाँ एक उदाहरण दिया गया है- 6024.096 = 1/166.
MOSFET के रैखिक प्रतिरोध में आचरण की गणना कैसे करें?
रैखिक प्रतिरोध (Rds) के साथ हम MOSFET के रैखिक प्रतिरोध में आचरण को सूत्र - Conductance of Channel = 1/रैखिक प्रतिरोध का उपयोग करके पा सकते हैं।
चैनल का संचालन की गणना करने के अन्य तरीके क्या हैं?
चैनल का संचालन-
  • Conductance of Channel=Mobility of Electrons at Surface of Channel*Oxide Capacitance*Channel Width/Channel Length*(Gate-Source Voltage-Threshold Voltage)OpenImg
की गणना करने के विभिन्न तरीके यहां दिए गए हैं
क्या MOSFET के रैखिक प्रतिरोध में आचरण ऋणात्मक हो सकता है?
{हां या नहीं}, विद्युत चालन में मापा गया MOSFET के रैखिक प्रतिरोध में आचरण ऋणात्मक {हो सकता है या नहीं हो सकता}।
MOSFET के रैखिक प्रतिरोध में आचरण को मापने के लिए किस इकाई का उपयोग किया जाता है?
MOSFET के रैखिक प्रतिरोध में आचरण को आम तौर पर विद्युत चालन के लिए मिलिसिएमेंस[mS] का उपयोग करके मापा जाता है। सीमेंस[mS], मेगासीमेन्स[mS], म्हो[mS] कुछ अन्य इकाइयाँ हैं जिनमें MOSFET के रैखिक प्रतिरोध में आचरण को मापा जा सकता है।
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