Zone de cellule mémoire dans Conception et applications CMOS Formules

La zone de cellule mémoire est définie comme la zone totale occupée par le nombre N de bits de mémoire. Et est désigné par A. Zone de cellule mémoire est généralement mesuré à l'aide du Millimètre carré pour Zone. Notez que la valeur de Zone de cellule mémoire est toujours positif.

Formules pour rechercher Zone de cellule mémoire dans Conception et applications CMOS

fxZone de mémoire contenant N bitsva

Formules Conception et applications CMOS qui utilisent Zone de cellule mémoire

fxZone de cellule mémoireva

fxEfficacité de la baieva

Liste des variables dans les formules Conception et applications CMOS

fx Zone d'une cellule mémoire d'un bit va

fx Fréquence absolue va

fx Efficacité de la baie va

FAQ

Qu'est-ce que Zone de cellule mémoire ?

La zone de cellule mémoire est définie comme la zone totale occupée par le nombre N de bits de mémoire. Zone de cellule mémoire est généralement mesuré à l'aide du Millimètre carré pour Zone. Notez que la valeur de Zone de cellule mémoire est toujours positif.

Le Zone de cellule mémoire peut-il être négatif ?

Non, le Zone de cellule mémoire, mesuré dans Zone ne peut pas, peut être négatif.

Quelle unité est utilisée pour mesurer Zone de cellule mémoire ?

Zone de cellule mémoire est généralement mesuré à l'aide de Millimètre carré[mm²] pour Zone. Mètre carré[mm²], Kilomètre carré[mm²], place Centimètre[mm²] sont les quelques autres unités dans lesquelles Zone de cellule mémoire peut être mesuré.

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