Vitesse de dérive des électrons de saturation dans Fabrication VLSI Formules

La vitesse de dérive des électrons de saturation est définie comme la vitesse maximale atteinte par les électrons dans un matériau semi-conducteur sous l’influence d’un champ électrique. Et est désigné par v_d(sat). Vitesse de dérive des électrons de saturation est généralement mesuré à l'aide du Centimètre par seconde pour La rapidité. Notez que la valeur de Vitesse de dérive des électrons de saturation est toujours positif.

Formules Fabrication VLSI qui utilisent Vitesse de dérive des électrons de saturation

fxCourant de saturation des canaux courts VLSIva

FAQ

Qu'est-ce que Vitesse de dérive des électrons de saturation ?

La vitesse de dérive des électrons de saturation est définie comme la vitesse maximale atteinte par les électrons dans un matériau semi-conducteur sous l’influence d’un champ électrique. Vitesse de dérive des électrons de saturation est généralement mesuré à l'aide du Centimètre par seconde pour La rapidité. Notez que la valeur de Vitesse de dérive des électrons de saturation est toujours positif.

Le Vitesse de dérive des électrons de saturation peut-il être négatif ?

Non, le Vitesse de dérive des électrons de saturation, mesuré dans La rapidité ne peut pas, peut être négatif.

Quelle unité est utilisée pour mesurer Vitesse de dérive des électrons de saturation ?

Vitesse de dérive des électrons de saturation est généralement mesuré à l'aide de Centimètre par seconde[cm/s] pour La rapidité. Mètre par seconde[cm/s], Mètre par minute[cm/s], Mètre par heure[cm/s] sont les quelques autres unités dans lesquelles Vitesse de dérive des électrons de saturation peut être mesuré.

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