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Transconductance de processus dans PMOS dans MOSFET Formules

La transconductance de processus dans PMOS fait référence au gain d’un transistor PMOS par rapport à sa tension grille-source. Et est désigné par k'p. Transconductance de processus dans PMOS est généralement mesuré à l'aide du millisiemens pour Conductivité électrique. Notez que la valeur de Transconductance de processus dans PMOS est toujours négatif.

Formules MOSFET qui utilisent Transconductance de processus dans PMOS

fxCourant de drain sans modulation de longueur de canal du MOSFET​va
fxCourant de saturation de drain du MOSFET​va

FAQ

Qu'est-ce que Transconductance de processus dans PMOS ?
La transconductance de processus dans PMOS fait référence au gain d’un transistor PMOS par rapport à sa tension grille-source. Transconductance de processus dans PMOS est généralement mesuré à l'aide du millisiemens pour Conductivité électrique. Notez que la valeur de Transconductance de processus dans PMOS est toujours négatif.
Le Transconductance de processus dans PMOS peut-il être négatif ?
Oui, le Transconductance de processus dans PMOS, mesuré dans Conductivité électrique peut, peut être négatif.
Quelle unité est utilisée pour mesurer Transconductance de processus dans PMOS ?
Transconductance de processus dans PMOS est généralement mesuré à l'aide de millisiemens[mS] pour Conductivité électrique. Siemens[mS], mégasiemens[mS], Mho[mS] sont les quelques autres unités dans lesquelles Transconductance de processus dans PMOS peut être mesuré.
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