Tension Pn Jonction 1 (IGBT) dans Dispositifs à transistors avancés Formules

La tension Pn Junction 1 (IGBT) est provoquée par la barrière de potentiel qui existe à la jonction. Cette barrière de potentiel est créée par la diffusion de porteurs de charge à travers la jonction. Et est désigné par V_j1(igbt). Tension Pn Jonction 1 (IGBT) est généralement mesuré à l'aide du Volt pour Potentiel électrique. Notez que la valeur de Tension Pn Jonction 1 (IGBT) est toujours positif.

Formules Dispositifs à transistors avancés qui utilisent Tension Pn Jonction 1 (IGBT)

fxChute de tension dans l'IGBT à l'état ONva

FAQ

Qu'est-ce que Tension Pn Jonction 1 (IGBT) ?

La tension Pn Junction 1 (IGBT) est provoquée par la barrière de potentiel qui existe à la jonction. Cette barrière de potentiel est créée par la diffusion de porteurs de charge à travers la jonction. Tension Pn Jonction 1 (IGBT) est généralement mesuré à l'aide du Volt pour Potentiel électrique. Notez que la valeur de Tension Pn Jonction 1 (IGBT) est toujours positif.

Le Tension Pn Jonction 1 (IGBT) peut-il être négatif ?

Non, le Tension Pn Jonction 1 (IGBT), mesuré dans Potentiel électrique ne peut pas, peut être négatif.

Quelle unité est utilisée pour mesurer Tension Pn Jonction 1 (IGBT) ?

Tension Pn Jonction 1 (IGBT) est généralement mesuré à l'aide de Volt[V] pour Potentiel électrique. millivolt[V], Microvolt[V], Nanovolt[V] sont les quelques autres unités dans lesquelles Tension Pn Jonction 1 (IGBT) peut être mesuré.

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