Tension entre la porte et la source dans MOSFET Formules

La tension entre grille et source d’un transistor à effet de champ (FET) est appelée tension grille-source (VGS). C’est un paramètre important qui affecte le fonctionnement du FET. Et est désigné par V_GS. Tension entre la porte et la source est généralement mesuré à l'aide du Volt pour Potentiel électrique. Notez que la valeur de Tension entre la porte et la source est toujours négatif.

Formules MOSFET qui utilisent Tension entre la porte et la source

fxCourant de drain dans la région triode du transistor PMOSva

fxCourant de drain dans la région de saturation du transistor PMOSva

fxCourant de drain global du transistor PMOSva

fxCharge de couche d'inversion dans PMOSva

fxCharge de la couche d'inversion à la condition de pincement dans PMOSva

fxTension de surmultiplication du PMOSva

FAQ

Qu'est-ce que Tension entre la porte et la source ?

La tension entre grille et source d’un transistor à effet de champ (FET) est appelée tension grille-source (VGS). C’est un paramètre important qui affecte le fonctionnement du FET. Tension entre la porte et la source est généralement mesuré à l'aide du Volt pour Potentiel électrique. Notez que la valeur de Tension entre la porte et la source est toujours négatif.

Le Tension entre la porte et la source peut-il être négatif ?

Oui, le Tension entre la porte et la source, mesuré dans Potentiel électrique peut, peut être négatif.

Quelle unité est utilisée pour mesurer Tension entre la porte et la source ?

Tension entre la porte et la source est généralement mesuré à l'aide de Volt[V] pour Potentiel électrique. millivolt[V], Microvolt[V], Nanovolt[V] sont les quelques autres unités dans lesquelles Tension entre la porte et la source peut être mesuré.

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