Tension du collecteur de base dans Fabrication VLSI Formules

La tension du collecteur de base est un paramètre crucial dans la polarisation des transistors. Il fait référence à la différence de tension entre les bornes de base et de collecteur du transistor lorsqu’il est dans son état actif. Et est désigné par V_bc. Tension du collecteur de base est généralement mesuré à l'aide du Volt pour Potentiel électrique. Notez que la valeur de Tension du collecteur de base est toujours positif.

Formules pour rechercher Tension du collecteur de base dans Fabrication VLSI

fxTension de vidangeva

Formules Fabrication VLSI qui utilisent Tension du collecteur de base

fxCourant de jonctionva

Liste des variables dans les formules Fabrication VLSI

fx Puissance dynamique va

fx Fréquence va

fx Capacitance va

FAQ

Qu'est-ce que Tension du collecteur de base ?

La tension du collecteur de base est un paramètre crucial dans la polarisation des transistors. Il fait référence à la différence de tension entre les bornes de base et de collecteur du transistor lorsqu’il est dans son état actif. Tension du collecteur de base est généralement mesuré à l'aide du Volt pour Potentiel électrique. Notez que la valeur de Tension du collecteur de base est toujours positif.

Le Tension du collecteur de base peut-il être négatif ?

Non, le Tension du collecteur de base, mesuré dans Potentiel électrique ne peut pas, peut être négatif.

Quelle unité est utilisée pour mesurer Tension du collecteur de base ?

Tension du collecteur de base est généralement mesuré à l'aide de Volt[V] pour Potentiel électrique. millivolt[V], Microvolt[V], Nanovolt[V] sont les quelques autres unités dans lesquelles Tension du collecteur de base peut être mesuré.

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