Tension du collecteur de base dans Conception et applications CMOS Formules

La tension du collecteur de base est un paramètre crucial dans la polarisation des transistors. Il fait référence à la différence de tension entre les bornes de base et de collecteur du transistor lorsqu’il est dans son état actif. Et est désigné par V_bc. Tension du collecteur de base est généralement mesuré à l'aide du Volt pour Potentiel électrique. Notez que la valeur de Tension du collecteur de base est toujours positif.

Formules Conception et applications CMOS qui utilisent Tension du collecteur de base

fxCourant statiqueva

fxDissipation de puissance statiqueva

fxFacteur d'activitéva

fxPuissance de commutationva

fxCourant de contention dans les circuits rationésva

fxFuite sous le seuil via les transistors OFFva

fxPortes sur le chemin critiqueva

fxFuite de grille à travers le diélectrique de grilleva

fxPorte NAND de tension XORva

fxCapacité effective en CMOSva

FAQ

Qu'est-ce que Tension du collecteur de base ?

La tension du collecteur de base est un paramètre crucial dans la polarisation des transistors. Il fait référence à la différence de tension entre les bornes de base et de collecteur du transistor lorsqu’il est dans son état actif. Tension du collecteur de base est généralement mesuré à l'aide du Volt pour Potentiel électrique. Notez que la valeur de Tension du collecteur de base est toujours positif.

Le Tension du collecteur de base peut-il être négatif ?

Non, le Tension du collecteur de base, mesuré dans Potentiel électrique ne peut pas, peut être négatif.

Quelle unité est utilisée pour mesurer Tension du collecteur de base ?

Tension du collecteur de base est généralement mesuré à l'aide de Volt[V] pour Potentiel électrique. millivolt[V], Microvolt[V], Nanovolt[V] sont les quelques autres unités dans lesquelles Tension du collecteur de base peut être mesuré.

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