Tension de source de drain FET dans Dispositifs à transistors avancés Formules

Drain Source Tension FET est la tension entre le drain et la borne source d’un FET. Et est désigné par V_ds(fet). Tension de source de drain FET est généralement mesuré à l'aide du Volt pour Potentiel électrique. Notez que la valeur de Tension de source de drain FET est toujours négatif.

Formules pour rechercher Tension de source de drain FET dans Dispositifs à transistors avancés

fxTension de source de drain du FETva

Formules Dispositifs à transistors avancés qui utilisent Tension de source de drain FET

fxPincer la tension du FETva

fxCourant de drain du FETva

fxTransconductance du FETva

fxCourant de drainage de la région ohmique du FETva

fxCapacité de source de porte du FETva

Liste des variables dans les formules Dispositifs à transistors avancés

fx Tension d'alimentation au drain FET va

fx Courant de vidange FET va

fx FET de résistance de drainage va

fx Source Résistance FET va

FAQ

Qu'est-ce que Tension de source de drain FET ?

Drain Source Tension FET est la tension entre le drain et la borne source d’un FET. Tension de source de drain FET est généralement mesuré à l'aide du Volt pour Potentiel électrique. Notez que la valeur de Tension de source de drain FET est toujours négatif.

Le Tension de source de drain FET peut-il être négatif ?

Oui, le Tension de source de drain FET, mesuré dans Potentiel électrique peut, peut être négatif.

Quelle unité est utilisée pour mesurer Tension de source de drain FET ?

Tension de source de drain FET est généralement mesuré à l'aide de Volt[V] pour Potentiel électrique. millivolt[V], Microvolt[V], Nanovolt[V] sont les quelques autres unités dans lesquelles Tension de source de drain FET peut être mesuré.

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