Tension de source de drain de saturation dans Fabrication VLSI Formules

La tension drain-source de saturation est définie comme la tension aux bornes du drain et de la source d’un MOSFET lorsque le transistor fonctionne en mode saturation. Et est désigné par V_Dsat. Tension de source de drain de saturation est généralement mesuré à l'aide du Volt pour Potentiel électrique. Notez que la valeur de Tension de source de drain de saturation est toujours positif.

Formules Fabrication VLSI qui utilisent Tension de source de drain de saturation

fxCourant de saturation des canaux courts VLSIva

FAQ

Qu'est-ce que Tension de source de drain de saturation ?

La tension drain-source de saturation est définie comme la tension aux bornes du drain et de la source d’un MOSFET lorsque le transistor fonctionne en mode saturation. Tension de source de drain de saturation est généralement mesuré à l'aide du Volt pour Potentiel électrique. Notez que la valeur de Tension de source de drain de saturation est toujours positif.

Le Tension de source de drain de saturation peut-il être négatif ?

Non, le Tension de source de drain de saturation, mesuré dans Potentiel électrique ne peut pas, peut être négatif.

Quelle unité est utilisée pour mesurer Tension de source de drain de saturation ?

Tension de source de drain de saturation est généralement mesuré à l'aide de Volt[V] pour Potentiel électrique. millivolt[V], Microvolt[V], Nanovolt[V] sont les quelques autres unités dans lesquelles Tension de source de drain de saturation peut être mesuré.

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