Tension de source de drain dans MOSFET Formules

La tension de source de drain est un terme électrique utilisé en électronique et plus particulièrement dans les transistors à effet de champ. Il fait référence à la différence de tension entre les bornes Drain et Source du FET. Et est désigné par V_ds. Tension de source de drain est généralement mesuré à l'aide du Volt pour Potentiel électrique. Notez que la valeur de Tension de source de drain est toujours négatif.

Formules MOSFET qui utilisent Tension de source de drain

fxCourant entrant dans la borne de drain du NMOS étant donné la tension de source de grilleva

fxCourant entrant dans la source de drain dans la région triode de NMOSva

fxCourant entrant dans la source de drain à la limite de la saturation et de la région triode de NMOSva

fxCourant entrant dans la borne de drain de NMOSva

FAQ

Qu'est-ce que Tension de source de drain ?

La tension de source de drain est un terme électrique utilisé en électronique et plus particulièrement dans les transistors à effet de champ. Il fait référence à la différence de tension entre les bornes Drain et Source du FET. Tension de source de drain est généralement mesuré à l'aide du Volt pour Potentiel électrique. Notez que la valeur de Tension de source de drain est toujours négatif.

Le Tension de source de drain peut-il être négatif ?

Oui, le Tension de source de drain, mesuré dans Potentiel électrique peut, peut être négatif.

Quelle unité est utilisée pour mesurer Tension de source de drain ?

Tension de source de drain est généralement mesuré à l'aide de Volt[V] pour Potentiel électrique. millivolt[V], Microvolt[V], Nanovolt[V] sont les quelques autres unités dans lesquelles Tension de source de drain peut être mesuré.

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