Tension de saturation entre drain et source dans Amplificateurs à transistors Formules

La tension de saturation entre le drain et la source dans un transistor est une tension entre le collecteur et l’émetteur nécessaire à la saturation. Et est désigné par V_ds. Tension de saturation entre drain et source est généralement mesuré à l'aide du Volt pour Potentiel électrique. Notez que la valeur de Tension de saturation entre drain et source est toujours positif.

Formules Amplificateurs à transistors qui utilisent Tension de saturation entre drain et source

fxCourant circulant dans le canal induit dans le transistor étant donné la tension d'oxydeva

FAQ

Qu'est-ce que Tension de saturation entre drain et source ?

La tension de saturation entre le drain et la source dans un transistor est une tension entre le collecteur et l’émetteur nécessaire à la saturation. Tension de saturation entre drain et source est généralement mesuré à l'aide du Volt pour Potentiel électrique. Notez que la valeur de Tension de saturation entre drain et source est toujours positif.

Le Tension de saturation entre drain et source peut-il être négatif ?

Non, le Tension de saturation entre drain et source, mesuré dans Potentiel électrique ne peut pas, peut être négatif.

Quelle unité est utilisée pour mesurer Tension de saturation entre drain et source ?

Tension de saturation entre drain et source est généralement mesuré à l'aide de Volt[V] pour Potentiel électrique. millivolt[V], Microvolt[V], Nanovolt[V] sont les quelques autres unités dans lesquelles Tension de saturation entre drain et source peut être mesuré.

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