Tension de saturation collecteur-émetteur (IGBT) dans Dispositifs à transistors avancés Formules

La tension de saturation collecteur-émetteur (IGBT) d’un transistor bipolaire à grille isolée est la chute de tension aux bornes de l’IGBT lorsqu’il est allumé et conduit le courant. Et est désigné par V_{c-e(sat)(igbt)}. Tension de saturation collecteur-émetteur (IGBT) est généralement mesuré à l'aide du Volt pour Potentiel électrique. Notez que la valeur de Tension de saturation collecteur-émetteur (IGBT) est toujours positif.

Formules pour rechercher Tension de saturation collecteur-émetteur (IGBT) dans Dispositifs à transistors avancés

fxTension de saturation de l'IGBTva

Liste des variables dans les formules Dispositifs à transistors avancés

fx Tension de l'émetteur de base PNP IGBT va

fx Courant de drain (IGBT) va

fx Résistance à la conductivité IGBT va

fx Résistance du canal N (IGBT) va

FAQ

Qu'est-ce que Tension de saturation collecteur-émetteur (IGBT) ?

La tension de saturation collecteur-émetteur (IGBT) d’un transistor bipolaire à grille isolée est la chute de tension aux bornes de l’IGBT lorsqu’il est allumé et conduit le courant. Tension de saturation collecteur-émetteur (IGBT) est généralement mesuré à l'aide du Volt pour Potentiel électrique. Notez que la valeur de Tension de saturation collecteur-émetteur (IGBT) est toujours positif.

Le Tension de saturation collecteur-émetteur (IGBT) peut-il être négatif ?

Non, le Tension de saturation collecteur-émetteur (IGBT), mesuré dans Potentiel électrique ne peut pas, peut être négatif.

Quelle unité est utilisée pour mesurer Tension de saturation collecteur-émetteur (IGBT) ?

Tension de saturation collecteur-émetteur (IGBT) est généralement mesuré à l'aide de Volt[V] pour Potentiel électrique. millivolt[V], Microvolt[V], Nanovolt[V] sont les quelques autres unités dans lesquelles Tension de saturation collecteur-émetteur (IGBT) peut être mesuré.

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