Tension de rupture du collecteur et de l'émetteur dans Circuits intégrés (CI) Formules

La tension de rupture du collecteur et de l’émetteur est la tension entre les bornes du collecteur et de l’émetteur d’un transistor à jonction bipolaire sans provoquer de claquage dans le transistor. Et est désigné par V_ce. Tension de rupture du collecteur et de l'émetteur est généralement mesuré à l'aide du Volt pour Potentiel électrique. Notez que la valeur de Tension de rupture du collecteur et de l'émetteur est toujours positif.

Formules pour rechercher Tension de rupture du collecteur et de l'émetteur dans Circuits intégrés (CI)

fxTension de rupture de l'émetteur collecteurva

Liste des variables dans les formules Circuits intégrés (CI)

fx Tension de rupture de la base du collecteur va

fx Gain actuel du BJT va

fx Numéro racine va

FAQ

Qu'est-ce que Tension de rupture du collecteur et de l'émetteur ?

La tension de rupture du collecteur et de l’émetteur est la tension entre les bornes du collecteur et de l’émetteur d’un transistor à jonction bipolaire sans provoquer de claquage dans le transistor. Tension de rupture du collecteur et de l'émetteur est généralement mesuré à l'aide du Volt pour Potentiel électrique. Notez que la valeur de Tension de rupture du collecteur et de l'émetteur est toujours positif.

Le Tension de rupture du collecteur et de l'émetteur peut-il être négatif ?

Non, le Tension de rupture du collecteur et de l'émetteur, mesuré dans Potentiel électrique ne peut pas, peut être négatif.

Quelle unité est utilisée pour mesurer Tension de rupture du collecteur et de l'émetteur ?

Tension de rupture du collecteur et de l'émetteur est généralement mesuré à l'aide de Volt[V] pour Potentiel électrique. millivolt[V], Microvolt[V], Nanovolt[V] sont les quelques autres unités dans lesquelles Tension de rupture du collecteur et de l'émetteur peut être mesuré.

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