Tension de rupture de la base du collecteur dans Circuits intégrés (CI) Formules

La tension de rupture de base du collecteur est la tension maximale entre les bornes du collecteur et de la base d’un transistor à jonction bipolaire sans provoquer de claquage dans le transistor. Et est désigné par V_cb. Tension de rupture de la base du collecteur est généralement mesuré à l'aide du Volt pour Potentiel électrique. Notez que la valeur de Tension de rupture de la base du collecteur est toujours positif.