Tension collecteur-émetteur dans Étages de sortie et amplificateurs de puissance Formules

La tension collecteur-émetteur du transistor 1, c’est-à-dire Q1, est définie comme la différence entre les tensions de polarisation directe de l’EBJ et du CBJ. Et est désigné par V_ce. Tension collecteur-émetteur est généralement mesuré à l'aide du Volt pour Potentiel électrique. Notez que la valeur de Tension collecteur-émetteur est toujours négatif.

Formules Étages de sortie et amplificateurs de puissance qui utilisent Tension collecteur-émetteur

fxDissipation de puissance instantanée de l'émetteur-suiveurva

FAQ

Qu'est-ce que Tension collecteur-émetteur ?

La tension collecteur-émetteur du transistor 1, c’est-à-dire Q1, est définie comme la différence entre les tensions de polarisation directe de l’EBJ et du CBJ. Tension collecteur-émetteur est généralement mesuré à l'aide du Volt pour Potentiel électrique. Notez que la valeur de Tension collecteur-émetteur est toujours négatif.

Le Tension collecteur-émetteur peut-il être négatif ?

Oui, le Tension collecteur-émetteur, mesuré dans Potentiel électrique peut, peut être négatif.

Quelle unité est utilisée pour mesurer Tension collecteur-émetteur ?

Tension collecteur-émetteur est généralement mesuré à l'aide de Volt[V] pour Potentiel électrique. millivolt[V], Microvolt[V], Nanovolt[V] sont les quelques autres unités dans lesquelles Tension collecteur-émetteur peut être mesuré.

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