Tension collecteur-émetteur dans BJT Formules

La tension collecteur-émetteur est le potentiel électrique entre la base et la région du collecteur d’un transistor. Et est désigné par V_CE. Tension collecteur-émetteur est généralement mesuré à l'aide du Volt pour Potentiel électrique. Notez que la valeur de Tension collecteur-émetteur est toujours négatif.

Formules pour rechercher Tension collecteur-émetteur dans BJT

fxTension du collecteur à l'émetteur à saturationva

fxTension aux bornes du collecteur-émetteur de l'amplificateur BJTva

Formules BJT qui utilisent Tension collecteur-émetteur

fxCourant de collecteur utilisant la tension précoce pour le transistor NPNva

fxCourant de collecteur donné tension précoce pour le transistor PNPva

fxGain de tension compte tenu de toutes les tensionsva

fxFacteur d'amplification de BJTva

fxPuissance totale dissipée en BJTva

fxRésistance de sortie de BJTva

fxRésistance de sortie du transistor lorsque le courant de base est constantva

Liste des variables dans les formules BJT

fx Tension base-émetteur va

fx Tension base-collecteur va

fx Tension d'alimentation va

fx Résistance de charge va

fx Courant de saturation va

fx Tension de seuil va

FAQ

Qu'est-ce que Tension collecteur-émetteur ?

La tension collecteur-émetteur est le potentiel électrique entre la base et la région du collecteur d’un transistor. Tension collecteur-émetteur est généralement mesuré à l'aide du Volt pour Potentiel électrique. Notez que la valeur de Tension collecteur-émetteur est toujours négatif.

Le Tension collecteur-émetteur peut-il être négatif ?

Oui, le Tension collecteur-émetteur, mesuré dans Potentiel électrique peut, peut être négatif.

Quelle unité est utilisée pour mesurer Tension collecteur-émetteur ?

Tension collecteur-émetteur est généralement mesuré à l'aide de Volt[V] pour Potentiel électrique. millivolt[V], Microvolt[V], Nanovolt[V] sont les quelques autres unités dans lesquelles Tension collecteur-émetteur peut être mesuré.

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