Tension aux bornes de l'oxyde dans MOSFET Formules

La tension aux bornes de l’oxyde est due à la charge à l’interface oxyde-semi-conducteur et le troisième terme est dû à la densité de charge dans l’oxyde. Et est désigné par V_ox. Tension aux bornes de l'oxyde est généralement mesuré à l'aide du Volt pour Potentiel électrique. Notez que la valeur de Tension aux bornes de l'oxyde est toujours négatif.

Formules MOSFET qui utilisent Tension aux bornes de l'oxyde

fxConductance du canal des MOSFETva

FAQ

Qu'est-ce que Tension aux bornes de l'oxyde ?

La tension aux bornes de l’oxyde est due à la charge à l’interface oxyde-semi-conducteur et le troisième terme est dû à la densité de charge dans l’oxyde. Tension aux bornes de l'oxyde est généralement mesuré à l'aide du Volt pour Potentiel électrique. Notez que la valeur de Tension aux bornes de l'oxyde est toujours négatif.

Le Tension aux bornes de l'oxyde peut-il être négatif ?

Oui, le Tension aux bornes de l'oxyde, mesuré dans Potentiel électrique peut, peut être négatif.

Quelle unité est utilisée pour mesurer Tension aux bornes de l'oxyde ?

Tension aux bornes de l'oxyde est généralement mesuré à l'aide de Volt[V] pour Potentiel électrique. millivolt[V], Microvolt[V], Nanovolt[V] sont les quelques autres unités dans lesquelles Tension aux bornes de l'oxyde peut être mesuré.

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