Tension aux bornes de la jonction base-émetteur dans Amplificateurs à transistors Formules

La tension aux bornes de la jonction base-émetteur est la tension directe entre la base et l’émetteur du transistor. Et est désigné par V_be. Tension aux bornes de la jonction base-émetteur est généralement mesuré à l'aide du Volt pour Potentiel électrique. Notez que la valeur de Tension aux bornes de la jonction base-émetteur est toujours positif.

Formules Amplificateurs à transistors qui utilisent Tension aux bornes de la jonction base-émetteur

fxCourant de saturation de l'émetteur suiveurva

fxCourant de collecteur dans la région active lorsque le transistor agit comme amplificateurva

FAQ

Qu'est-ce que Tension aux bornes de la jonction base-émetteur ?

La tension aux bornes de la jonction base-émetteur est la tension directe entre la base et l’émetteur du transistor. Tension aux bornes de la jonction base-émetteur est généralement mesuré à l'aide du Volt pour Potentiel électrique. Notez que la valeur de Tension aux bornes de la jonction base-émetteur est toujours positif.

Le Tension aux bornes de la jonction base-émetteur peut-il être négatif ?

Non, le Tension aux bornes de la jonction base-émetteur, mesuré dans Potentiel électrique ne peut pas, peut être négatif.

Quelle unité est utilisée pour mesurer Tension aux bornes de la jonction base-émetteur ?

Tension aux bornes de la jonction base-émetteur est généralement mesuré à l'aide de Volt[V] pour Potentiel électrique. millivolt[V], Microvolt[V], Nanovolt[V] sont les quelques autres unités dans lesquelles Tension aux bornes de la jonction base-émetteur peut être mesuré.

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